閂鎖效應文章進入閂鎖效應技術社區(qū)

功率半導體IGBT失效分析與可靠性研究

高端變頻空調在實際應用中出現(xiàn)大量外機不工作，經過大量失效主板分析確認是主動式PFC電路中IGBT擊穿失效，本文結合大量失效品分析與電路設計分析，對IGBT失效原因及失效機理分析，分析結果表明：經過對IGBT失效分析及IGBT工作電路失效分析及整機相關波形檢測、熱設計分析、IGBT極限參數(shù)檢測對比發(fā)現(xiàn)IGBT失效由多種原因導致，IGBT在器件選型、器件可靠性、閂鎖效應、驅動控制、ESD能力等方面存在不足，逐一分析論證后從IGBT本身及電路設計方面全部提升IGBT工作可靠性。
關鍵字：主動式PFC升壓電路 IGBT SOA 閂鎖效應 ESD 熱擊穿失效 202108 MOSFET

一種非對稱雙向可控硅靜電防護器件的設計*

非對稱雙向可控硅（ADDSCR）是在考慮了保護環(huán)結構之后，為使I-V特性曲線對稱而設計的非對稱結構，但是其維持電壓較低，容易閂鎖。為了提高傳統(tǒng)ADDSCR的維持電壓，基于0.18 μm BCD工藝，設計維持電壓高的HHVADDSCR。經TCAD仿真，證明HHVADDSCR具有高維持電壓，避免了閂鎖，且器件適用于傳輸電平在18~60 V的芯片信號端口的靜電保護。
關鍵字： 202107 非對稱可控硅維持電壓 ESD 閂鎖效應

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閂鎖效應介紹

　　目錄　　1 簡介　　2 原理分析　　簡介　　閂鎖效應是CMOS工藝所特有的寄生效應，嚴重會導致電路的失效，甚至燒毀芯片。閂鎖效應是由NMOS的有源區(qū)、P襯底、N阱、PMOS的有源區(qū)構成的n-p-n-p結構產生的，當其中一個三極管正偏時，就會構成正反饋形成閂鎖。避免閂鎖的方法就是要減小襯底和N阱的寄生電阻，使寄生的三極管不會處于正偏狀態(tài)。靜電是一種看不見的破壞力，會對電子元器件 [ 查看詳細 ]

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