英飛凌 xmc7000 文章最新資訊

英特爾可能以14億美元收購(gòu)英飛凌手機(jī)芯片業(yè)務(wù)

　　德國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)品公司—英飛凌科技公司(Infineon Technologies AG)正與英特爾公司進(jìn)行談判。英飛凌可能會(huì)以14億美元的價(jià)格將手機(jī)芯片業(yè)務(wù)出售給英特爾，目前雙方的談判已經(jīng)進(jìn)入最后階段。　　根據(jù)德國(guó)日?qǐng)?bào)《Die Welt》的報(bào)道，英飛凌和英特爾在最近幾周進(jìn)行了多次談判，盡管雙方還沒(méi)有簽定關(guān)于出售手機(jī)芯片業(yè)務(wù)的合同，但談判已經(jīng)進(jìn)入最后階段，雙方很可能在本周達(dá)成最后協(xié)議。據(jù)悉，目前英飛凌為iPhone、iPad、諾基亞電話等多種產(chǎn)品提供3G芯片，而手機(jī)芯片業(yè)務(wù)是英飛凌的四大業(yè)
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英飛凌推出CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列

　　英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS™ C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級(jí)結(jié)(SJ)器件的優(yōu)勢(shì)(如低導(dǎo)通電阻和低容性開(kāi)關(guān)損耗)與輕松控制的開(kāi)關(guān)行為、及體二極管高牢固性融合在一起。基于同樣的技術(shù)平臺(tái)，C6器件針對(duì)易用性進(jìn)行了優(yōu)化，而E6器件則旨在提供最高效率。　　CoolMOS™ C6/E6是來(lái)自英飛凌的第六代市場(chǎng)領(lǐng)先的高壓超級(jí)結(jié)功率MOSFET。全新的650V CoolMOS™ C6/E6器件具備快速、可控的開(kāi)關(guān)性能，
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英飛凌安全控制器通過(guò)了電子身份證件和芯片卡應(yīng)用安全認(rèn)證

　　英飛凌科技股份公司近日宣布，其SLE 78系列安全控制器通過(guò)了電子身份證件和芯片卡應(yīng)用安全認(rèn)證。德國(guó)聯(lián)邦信息安全辦公室(BSI)對(duì)英飛凌所實(shí)現(xiàn)的高安全標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了認(rèn)證。目前，全球政府和公共機(jī)構(gòu)都在身份證件中采用安全控制器，確保滿足國(guó)際Common Criteria EAL5+ 安全標(biāo)準(zhǔn)要求。在德國(guó)，BSI通過(guò)授予國(guó)際認(rèn)可的證書(shū)，確認(rèn)相關(guān)產(chǎn)品滿足該安全標(biāo)準(zhǔn)。　　英飛凌芯片卡與安全部總裁 Helmut Gassel博士指出：“依靠我們革命性的‘Integrity Guard&rs
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物聯(lián)網(wǎng)將引發(fā)全球芯片領(lǐng)域出現(xiàn)大并購(gòu)

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，近日有傳聞稱，歐洲芯片生產(chǎn)商英飛凌和ARM已經(jīng)成為被收購(gòu)的目標(biāo)，其中英特爾有意收購(gòu)英飛凌，而蘋果可能收購(gòu)ARM.兩家公司，英飛凌在有線、無(wú)線終端設(shè)備、汽車電子、工業(yè)控制及智能卡芯片、能源行業(yè)有著多年的積累和資源，ARM則是英特爾最強(qiáng)勁的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，有別于后者芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、銷售一體化的思路，以提供芯片架構(gòu)的商業(yè)模式贏得了市場(chǎng)的認(rèn)可。　　據(jù)了解，英飛凌和意法半導(dǎo)體均為蘋果產(chǎn)品的芯片提供商，同時(shí)蘋果還在產(chǎn)品中使用ARM的芯片設(shè)計(jì)。一系列的收購(gòu)傳聞雖然尚未成為事實(shí)，但英特爾對(duì)嵌入式芯片市場(chǎng)
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HybridKIT—縮短混合動(dòng)力車和純電力車電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)研發(fā)周期

　　混合動(dòng)力車(HEV)和純電動(dòng)車(EV)是降低個(gè)人交通領(lǐng)域的能源消耗和二氧化碳排量的關(guān)鍵所在。英飛凌推出了完整的三相逆變器系統(tǒng)解決方案(基于HybridPACK 2 IGBT模塊的HybridKIT)，可減少設(shè)計(jì)人員在(H)EV逆變器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)階段的工作量，并幫助他們對(duì)英飛凌的HybridPACK2 IGBT功率模塊性能進(jìn)行評(píng)估，這款I(lǐng)GBT模塊適合最高達(dá)80KW逆變器應(yīng)用。　　逆變器系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)步驟　　用于HybridPACK2的HybridKIT的完整結(jié)構(gòu)圖如圖1所示。HybridPACK2是一
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物聯(lián)網(wǎng)將引發(fā)全球芯片領(lǐng)域出現(xiàn)大并購(gòu)

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，近日有傳聞稱，歐洲芯片生產(chǎn)商英飛凌和ARM已經(jīng)成為被收購(gòu)的目標(biāo)，其中英特爾有意收購(gòu)英飛凌，而蘋果可能收購(gòu)ARM。兩家公司，英飛凌在有線、無(wú)線終端設(shè)備、汽車電子、工業(yè)控制及智能卡芯片、能源行業(yè)有著多年的積累和資源，ARM則是英特爾最強(qiáng)勁的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，有別于后者芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、銷售一體化的思路，以提供芯片架構(gòu)的商業(yè)模式贏得了市場(chǎng)的認(rèn)可。　　據(jù)了解，英飛凌和意法半導(dǎo)體均為蘋果產(chǎn)品的芯片提供商，同時(shí)蘋果還在產(chǎn)品中使用ARM的芯片設(shè)計(jì)。一系列的收購(gòu)傳聞雖然尚未成為事實(shí)，但英特爾對(duì)嵌入式芯片市場(chǎng)
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英飛凌CEO稱營(yíng)收漲幅將高于業(yè)內(nèi)平均水平

　　北京時(shí)間6月24日晚間消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，歐洲第二大芯片廠商英飛凌CEO彼得·鮑爾(Peter Bauer)周四表示，由于智能手機(jī)和節(jié)能芯片需求網(wǎng)旺盛，英飛凌的營(yíng)收漲幅將高于業(yè)內(nèi)平均水平。　　鮑爾說(shuō)：“在半導(dǎo)體市場(chǎng)，我們所專注的業(yè)務(wù)正處于高速發(fā)展態(tài)勢(shì)。我們會(huì)抓住機(jī)會(huì)，擴(kuò)大市場(chǎng)份額，從而獲得更多利潤(rùn)。” 　　鮑爾稱，從長(zhǎng)期角度講，英飛凌的年銷售將達(dá)到50億歐元(約合61億美元)。相比之下，在截至2009年9月30日的上一財(cái)年內(nèi)，英飛凌的銷售額為30.3億歐元
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美光等六廠商就操縱價(jià)格案與美國(guó)33個(gè)州和解

　　北京時(shí)間6月25日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，美國(guó)田納西州司法部長(zhǎng)鮑勃庫(kù)珀(Bob Cooper)昨日在一封電子郵件聲明中表示，六家DRAM電腦芯片廠商已經(jīng)與美國(guó)33個(gè)州就操縱價(jià)格案達(dá)成和解，六家廠商將總共賠付1.73億美元。　　庫(kù)伯辦公室稱，這六家DRAM芯片廠商分別是美光科技、NEC電子美國(guó)分公司、英飛凌、海力士半導(dǎo)體、爾必達(dá)和茂矽電子。
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英飛凌CEO稱營(yíng)收漲幅將高于業(yè)內(nèi)平均水平

　　歐洲第二大芯片廠商英飛凌CEO彼得-鮑爾(Peter Bauer)周四表示，由于智能手機(jī)和節(jié)能芯片需求網(wǎng)旺盛，英飛凌的營(yíng)收漲幅將高于業(yè)內(nèi)平均水平。　　鮑爾說(shuō)：“在半導(dǎo)體市場(chǎng)，我們所專注的業(yè)務(wù)正處于高速發(fā)展態(tài)勢(shì)。我們會(huì)抓住機(jī)會(huì)，擴(kuò)大市場(chǎng)份額，從而獲得更多利潤(rùn)。” 　　鮑爾稱，從長(zhǎng)期角度講，英飛凌的年銷售將達(dá)到50億歐元(約合61億美元)。相比之下，在截至2009年9月30日的上一財(cái)年內(nèi)，英飛凌的銷售額為30.3億歐元。　　鮑爾說(shuō)：“受智能手機(jī)和新興國(guó)家手機(jī)業(yè)
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英飛凌將募集12億美元資金不排除大并購(gòu)可能

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，德國(guó)芯片制造商英飛凌首席財(cái)務(wù)官馬可·施洛特(Marco Schroeter)周一在接受《金融時(shí)報(bào)》德國(guó)版(Financial Times Deutschland)的采訪時(shí)表示，該公司當(dāng)前財(cái)務(wù)狀況良好，足以應(yīng)付其在未來(lái)進(jìn)行收購(gòu)，只不過(guò)目前還沒(méi)有具體的收購(gòu)計(jì)劃。　　施洛特表示，英飛凌今年將通過(guò)發(fā)行債券和法定股本募集超過(guò)10億歐元(約合12.4億美元)資金。他說(shuō)，“我們一直在不斷考察能夠最終加強(qiáng)我們某一業(yè)務(wù)領(lǐng)域的方案，但不會(huì)就此草率行事。不過(guò)截止目前，我們還沒(méi)有
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英飛凌擬出售10億歐元無(wú)線芯片事業(yè)

　　據(jù)金融時(shí)報(bào)(FT)報(bào)導(dǎo)，英飛凌已雇用美國(guó)投資銀行JPMorgan，希望替無(wú)線芯片事業(yè)尋求買主。由于該事業(yè)在2009年的收入為9.17 億美元(約11.29億美元)，業(yè)務(wù)為出售芯片予蘋果(Apple)、三星電子(Samsung Electronics)、RIM及諾基亞(Nokia)，金融界人士預(yù)估該事業(yè)的價(jià)值約10億歐元。然英飛凌拒絕對(duì)此事發(fā)表評(píng)論。　　據(jù)熟知內(nèi)情的人士透露，至少已經(jīng)有1個(gè)買主接洽英飛凌，英飛凌也正評(píng)估各種處理方案。因面臨巨額虧損，英飛凌最早于2009年初考慮出售該部門。不過(guò)，200
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英飛凌推出下一代CoolMOS MOSFET C6系列

　　英飛凌科技股份公司(Infineon)推出下一代高性能金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)600V CoolMOS C6系列。有了600V Cool-MOS C6系列器件，諸如PFC(功率因數(shù)校正)級(jí)或PWM(脈寬調(diào)制)級(jí)等能源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的能源效率可得到大幅提升。全新C6技術(shù)融合了現(xiàn)代超結(jié)結(jié)構(gòu)及包括超低單位面積導(dǎo)通電阻(例如采用TO-220封裝，電阻僅為99毫歐)在內(nèi)的補(bǔ)償器件的優(yōu)勢(shì)，同時(shí)具有更低的電容開(kāi)關(guān)損耗、更簡(jiǎn)單的開(kāi)關(guān)特性控制特性和更結(jié)實(shí)耐用的增強(qiáng)型體二極管。　　C6系列是英飛凌推
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英飛凌爾必達(dá)和解專利糾紛達(dá)成交叉授權(quán)協(xié)議

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，歐洲第二大芯片廠商英飛凌日前宣布，公司已經(jīng)與日本爾必達(dá)就半導(dǎo)體技術(shù)專利糾紛達(dá)成和解。　　英飛凌發(fā)言人Monika Sonntag今日在接受電話采訪時(shí)稱，雙方已經(jīng)同意交叉授權(quán)半導(dǎo)體專利技術(shù)，公司不會(huì)公布和解協(xié)議的具體財(cái)務(wù)條款。　　爾必達(dá)是日本最大的電腦內(nèi)存芯片廠商，它與英飛凌就與微控制器有關(guān)的創(chuàng)新技術(shù)專利向美國(guó)地方法院和國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)提出了訴訟。　　英飛凌負(fù)責(zé)銷售、營(yíng)銷與技術(shù)的管理委員會(huì)成員Hermann Eul表示：“我們期待著兩家公司能夠保持長(zhǎng)久的和平關(guān)系。
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英飛凌與爾必達(dá)就專利侵權(quán)訴訟達(dá)成和解

　　英飛凌科技股份公司今日宣布，該公司與爾必達(dá)公司(Elpida Memory Icn.)就專利侵權(quán)訴訟達(dá)成和解。英飛凌與爾必達(dá)均同意撤消所有未決專利侵權(quán)訴訟。英飛凌于2010年2月向美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)(ITC)遞交起訴書(shū)，起訴爾必達(dá)及其客戶。爾必達(dá)隨后在弗吉尼亞州東部地區(qū)法院針對(duì)英飛凌提起兩項(xiàng)訴訟。　　英飛凌與爾必達(dá)通過(guò)半導(dǎo)體技術(shù)專利交叉許可，就專利侵權(quán)訴訟達(dá)成和解。具體許可條款未透露。　　英飛凌公司董事會(huì)成員兼銷售、營(yíng)銷、技術(shù)和研發(fā)負(fù)責(zé)人Hermann Eul博士指出：“英飛凌很高
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英飛凌推出第二代ThinQ! 碳化硅肖特基二極管

　　英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封裝的第二代SiC(碳化硅)肖特基二極管。新的TO220 FullPak產(chǎn)品系列不僅延續(xù)了第二代ThinQ! SiC肖特基二極管的優(yōu)異電氣性能，而且采用全隔離封裝，無(wú)需使用隔離套管和隔離膜，使安裝更加簡(jiǎn)易、可靠。　　獨(dú)具特色的是，新的TO220 FullPAK器件的內(nèi)部結(jié)到散熱器的熱阻與標(biāo)準(zhǔn)非隔離TO-220器件類似。這要?dú)w功于英飛凌已獲得專利的擴(kuò)散焊接工藝，該技術(shù)大大降低了內(nèi)部芯片到管腳的熱阻，有效地彌補(bǔ)了FullPAK內(nèi)部隔離層的散
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