肖特基二極管 文章 進(jìn)入肖特基二極管 技術(shù)社區(qū)
英飛凌推出全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用GaN晶體管產(chǎn)品系列

- 英飛凌科技股份公司近日推出CoolGaN? G5中壓晶體管,它是全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用氮化鎵(GaN)功率晶體管。該產(chǎn)品系列通過減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)的性能,進(jìn)一步提升整體系統(tǒng)效率。此外,該集成解決方案還簡化了功率級設(shè)計(jì),降低了用料成本。集成肖特基二極管的CoolGaN? G5晶體管在硬開關(guān)應(yīng)用中,由于GaN器件的有效體二極管電壓(VSD?)較大,基于GaN的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)可能產(chǎn)生較高的功率損耗。如果控制器的死區(qū)時間較長,那么這種情況就會更加嚴(yán)重,導(dǎo)致效率低于目標(biāo)值。目前功率器件設(shè)
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英飛凌推出CoolSiC?肖特基二極管2000 V的TO-247-2封裝,在提升效率的同時簡化設(shè)計(jì)

- 目前,許多工業(yè)應(yīng)用正朝著更高功率水平、且功率損耗最小化的方向發(fā)展,實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的方法之一是提高直流母線電壓。針對這一市場趨勢,全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)于?2024年9月推出CoolSiC?肖特基二極管2000 V G5產(chǎn)品系列,這是首款擊穿電壓達(dá)到2000 V的碳化硅二極管分立器件。該產(chǎn)品系列目前擴(kuò)展到TO-247-2封裝,其引腳可與現(xiàn)有的大多數(shù)TO-247-2封裝兼容。該產(chǎn)品系列非常適合最高直流母線電壓為15
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肖特基二極管4大特性,你都知道嗎?
- 前言肖特基二極管是重要的電子元器件,因?yàn)槠涑休d著保護(hù)電路的重要作用,所以顯得格外的不可或缺,我們都知道在選擇肖特基二極管時,主要看它的正向?qū)▔航?、反向耐壓、反向漏電流等。但我們卻很少知道其在不同電流、不同反向電壓、不同環(huán)境溫度下的關(guān)系是怎樣的,在電路設(shè)計(jì)中知道這些關(guān)系對選擇合適的肖特基二極管顯得極為重要,尤其是在功率電路中。知道其特性,對于我們的使用也更加得心應(yīng)手,下面這篇文章將帶你一起去探索神秘的肖特基二極管特性。正向?qū)▔航蹬c導(dǎo)通電流的關(guān)系在肖特基二極管兩端加正向偏置電壓時,其內(nèi)部電場區(qū)域變窄,可以
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為什么所有的SiC肖特基二極管都不一樣
- 在高功率應(yīng)用中,碳化硅(SiC)的許多方面都優(yōu)于硅,包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開關(guān)性能。但是,與硅快速恢復(fù)二極管相比,純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia(安世半導(dǎo)體)如何將先進(jìn)的器件結(jié)構(gòu)與創(chuàng)新工藝技術(shù)結(jié)合在一起,以進(jìn)一步提高 SiC 肖特基二極管的性能。在高功率應(yīng)用中,碳化硅(SiC)的許多方面都優(yōu)于硅,包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開關(guān)性能。但是,與硅快速恢復(fù)二極管相比,純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia(安世半導(dǎo)體
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中國科大在氧化鎵半導(dǎo)體器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

- IT之家 12 月 12 日消息,據(jù)中國科大發(fā)布,第 68 屆 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM, 國際電子器件大會) 近期在美國舊金山召開。IEEE IEDM 是年度微電子和納電子學(xué)術(shù)會議,是報(bào)告半導(dǎo)體和電子器件技術(shù)、設(shè)計(jì)、制造、物理和建模等領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)突破的世界頂級論壇,其與 ISSCC、VLSI 并稱為集成電路和半導(dǎo)體領(lǐng)域的“奧林匹克盛會”。中國科大國家示范性微電子學(xué)院龍世兵教授課題組兩篇關(guān)于氧化鎵器件的研究論文(高功率氧
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Littelfuse將于2019年APEC大會上推出650V碳化硅肖特基二極管,該二極管提供新的封裝尺寸以及6A至40A的額定電流

- Littelfuse, Inc.今日宣布推出兩款二極管,進(jìn)一步擴(kuò)大了其二代650V、符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅肖特基二極管系列。 相比傳統(tǒng)的硅基器件,兩個系列均為電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供多種優(yōu)勢,包括可忽略不計(jì)的反向恢復(fù)電流、高浪涌保護(hù)能力以及175°C最高運(yùn)行結(jié)溫,因此是需要增強(qiáng)效率、可靠性與熱管理的應(yīng)用的理想選擇。 這些產(chǎn)品將在加州安海姆舉辦的應(yīng)用電力電子會議(APEC 2019)上亮相。Littelfuse展位號:253。 LSIC2SD065DxxA/LSIC2SD065Exx
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Littelfuse新推經(jīng)過擴(kuò)展的碳化硅肖特基二極管產(chǎn)品系列,可降低開關(guān)損耗,提高效率和耐用性

- Littelfuse, Inc.,作為全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè),今日宣布新推出了四個隸屬于其第2代產(chǎn)品家族的1200V碳化硅(SiC)肖特基二極管系列產(chǎn)品,該產(chǎn)品家族最初于2017年5月發(fā)布?! 〉?代1200V碳化硅肖特基二極管 LSIC2SD120A08系列、LSIC2SD120A15系列和LSIC2SD120A20系列的額定電流分別為8A、15A、20A,并采用主流的TO-220-2L封裝。 此外,LSIC2SD120C08系列的額定電流為8A,采用TO-252-2L封裝
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Littelfuse 新推新平臺開發(fā)的首批產(chǎn)品1200V碳化硅肖特基二極管,具有更低的開關(guān)損耗與更高的效率

- -Littelfuse, Inc.,作為全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè),今天宣布推出首款GEN2系列1200V碳化硅(SiC)肖特基二極管,以配合2017年歐洲電力轉(zhuǎn)換與智能運(yùn)動(PCIM)展的開幕。 這種碳化硅二極管是通過Littelfuse與Monolith Semiconductor合作技術(shù)平臺開發(fā)的產(chǎn)品系列中的首批產(chǎn)品。 其他基于該技術(shù)平臺的碳化硅產(chǎn)品(包括1200V碳化硅金氧半場效晶體管)正在籌備中,預(yù)計(jì)于不遠(yuǎn)的將來推出?! EN2系列碳化硅肖特基二極管
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肖特基二極管的目前趨勢
- 引言 雖然肖特基二極管已經(jīng)上市有幾十年了,新的發(fā)展和產(chǎn)品卻不斷增強(qiáng)了它的特性并擴(kuò)展了應(yīng)用的可能性。除了太陽能電池板和汽車,它們現(xiàn)在也被用于筆記本電腦、智能手機(jī)和平板電腦的電池充電器?! ≡缭?938年,德國物理學(xué)家Walter?Schottky開發(fā)了金屬-半導(dǎo)體接觸的模型。與半導(dǎo)體-半導(dǎo)體接觸相反,肖特基二極管由于材料組成的選擇方式在半導(dǎo)體的界面上形成了一個耗盡區(qū)而因此具有勢壘。這防止了低于特定功率閾值的電功率在金屬和半導(dǎo)體之間流通。肖特基二極管因此比其他金屬-半導(dǎo)體二極管(例如:表現(xiàn)出歐
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深度挖掘肖特基二極管應(yīng)用要點(diǎn)

- 肖特基二極管廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中,每一個從事電子行業(yè)的人都有聽過肖特基,但我們是否真正了解,肖特基內(nèi)部結(jié)構(gòu)、應(yīng)用范圍以及為什么肖特基廣泛應(yīng)用于高頻開關(guān)電源中?那么下面就讓我們一起走進(jìn)肖特基的世界尋找我們想要的答案。 二極管有多種類型:按材料分為鍺二極管、硅二極管、砷化鎵二極管等;按管芯結(jié)構(gòu)可分為面接觸二極管和點(diǎn)接觸二極管;按用途不同又可分為整流二極管、檢波二極管、穩(wěn)壓二極管、變?nèi)荻O管、光電二極管、發(fā)光二極管、開關(guān)二極管、快速恢復(fù)二極管等;按照結(jié)類型又可分為半導(dǎo)體結(jié)型二極管和金屬半導(dǎo)體結(jié)型二極管
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日益壯大的ROHM最新功率元器件產(chǎn)品陣容

- 前言 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM利用多年來在消費(fèi)電子領(lǐng)域積累的技術(shù)優(yōu)勢,正在積極推進(jìn)面向工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的產(chǎn)品陣容擴(kuò)充。在支撐“節(jié)能、創(chuàng)能、蓄能”技術(shù)的半導(dǎo)體功率元器件領(lǐng)域,ROHM實(shí)現(xiàn)了具有硅半導(dǎo)體無法得到的突破性特性的碳化硅半導(dǎo)體(SiC半導(dǎo)體)的量產(chǎn)。另外,在傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體功率元器件領(lǐng)域,實(shí)現(xiàn)了從分立式半導(dǎo)體到IC全覆蓋的融合了ROHM綜合實(shí)力的復(fù)合型產(chǎn)品群。下面介紹這些產(chǎn)品中的一部分。 已逐步滲透到生活中的SiC功率元器件 SiC功率元器件是以碳和硅組成
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肖特基二極管 介紹
目錄
簡介
原理
優(yōu)點(diǎn)
結(jié)構(gòu)
特點(diǎn)
應(yīng)用
其它
簡介
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的,而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此,SBD也稱為金屬-半導(dǎo) [ 查看詳細(xì) ]
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