- 聯電與Cypress 27日宣布采用新的65納米SONOS(Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon;硅-氧-氮化硅-氧-硅)閃存技術，已成功產出有效硅芯片(working silicon)，預計將于第3季正式問世;聯電不但會采用此新制程為Cypress生產次世代PSoC可編程系統單芯片、nvSRAM和其他產品，也可在Cypress授權協議下，將此技術提供其他公司使用。
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聯電 SONOS閃存
- 花旗環(huán)球證券分析師GlenYeung指出，智慧型手機業(yè)者對半導體廠第三季的投片量不佳，將使半導體大廠第三季營收陷入嚴重困境(Inbig trouble)。
花旗環(huán)球追蹤供應鏈發(fā)現，即使智慧型手機大廠蘋果與宏達電，也缺乏強力拉貨力道，因此供應鏈廠商如聯電第三季的營收表現也被大幅下修，季增率原本預期為20%，現在降為3%?！?/li>
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聯電 智能手機
- 聯電本周三將舉行股東會，由于聯電先前合并和艦條件，因大股東意見不同及未符合主管機關規(guī)定下破局，聯電這次重新修訂預計先取得和艦3成股權，日后再全數購回，議案將在股東會討論，預料將成為今年股東會焦點。
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聯電 晶圓
- 聯電日前定價發(fā)行了5億美元的歐元可轉換公司債(Euro-Convertible Bond，ECB)，以負利率發(fā)行，首創(chuàng)臺幣計價。主辦承銷商野村證券表示，以臺幣計價公司沒有匯兌風險，將匯兌風險轉嫁到投資人身上，未來可能成為公司發(fā)行海外債的新趨勢。
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聯電 芯片
- 晶圓代工廠40納米及28納米等先進制程技術競爭激烈，臺積電目前仍是全球最大40/28納米產能供應者，全球晶圓(GlobalFoundries)及韓國三星電子等2家業(yè)者緊跟在后，但過去與臺積電在技術研發(fā)上競爭激烈的聯電，已多次表示，不會跟進其它同業(yè)進行軍備競賽。
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聯電 晶圓
- 為維持全球第二大晶圓代工廠地位，聯電今年資本支出的18億美元預算，其中9成資金將用來擴充南科12寸廠Fab12A及新加坡12寸廠Fab12i的產能。
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聯電 晶圓.ic
- 聯電2010年營收創(chuàng)下1204億(新臺幣，下同)新高，全年EPS達1.91元，則是近年來最佳紀錄。聯電今年資本支出預計與去年的18億美元持平。
聯電日前召開法說會，公布2010年第四季營收為313.2億元，季減4.1%，年增12.9%。單季毛利率為32.1%，營業(yè)凈利率21.1%，稅后凈利64.2億元，每股獲利為0.52元。2010年全年營收為1204.3億元，獲利239億元，每股盈余1.91元。
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聯電 晶圓
- 晶圓代工廠聯電投入微機電 (MEMS)技術開發(fā)已3年，19日宣布成功產出CMOS-MEMS感測芯片，預計2011年投入量產。
聯電CMOS-MEMS技術制造的麥克風元件已完成功能驗證，訊噪比 (S/N ratio) 已可達到 56dBA 以上的水平，其性能極具國際競爭力，預計將于2011年上半年提供工程樣品，接著便能進入量產。CMOS-MEMS加速度計的產品開發(fā)也己符合消費性電子產品之應用規(guī)格 (1g ~16g)，其功能也達量產的目標?！?/li>
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聯電 MEMS
- 搶在臺積電之前，聯電日前率先與合作伙伴美高森美(Microsemi)共同發(fā)布首款采用65奈米嵌入式快閃(Embedded Flash,eFlash)制程技術生產的現場可編程門陣列(FPGA)平臺，讓eFlash制程技術順利邁入65奈米世代，對其未來進一步拓展汽車、工業(yè)、醫(yī)療及航天等半導體市場將大有幫助。
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聯電 eFlash
- 聯電法說會昨公布第3季獲利創(chuàng)近6年新高，每股盈余0.7元。展望第4季，聯電認為，整體產能利率將維持在9成以上水平，預估Q4出貨季減5%，不過高階制程比重持續(xù)提升有助平均價格上揚，65奈米制程以下先進制程比重可望拉升至35%。
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聯電 晶圓
- 2009年初才正式成軍的Global Foundries，近2年在晶圓代工業(yè)界掀起波瀾，2010年9月初在美國舉辦首屆全球技術論壇，揭露20納米技術藍圖，展現其先進制程布局速度，并可望于年底前試產28納米制程。10月中技術論壇移師來臺，Global Foundries更宣布2010年營收可望上看35億美元(約新臺幣1,085億元)。Global Foundries這1年來的攻城略地，確實讓市場印象深刻，但如此的積極作為，也恐怕更加動搖聯電的晶圓二哥地位。
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聯電 晶圓
- 聯電日前調高資本支出，25日董事會正式通過2010年資本支出追加計畫，2010年總預算調高至18.19億美元，主要用以擴充12寸與8寸廠產能。
聯電原訂2010年資本支出為12億~15億美元，執(zhí)行長孫世偉在8月初法人說明會中即宣布，將資本支出調高至18億美元。
孫世偉日前指出，2010年資本支出將有高達87%用以擴充12寸廠產能，13%資金用以擴充8寸廠產能。目前機臺采購與裝置進度順利，新加坡 Fab12i廠大幅建置65/55奈米產能以服務客戶，在臺南科學園區(qū) Fab12A廠的第3期無塵室
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聯電 晶圓 65納米
- 據臺灣媒體報道，臺灣聯電周四宣布，公司6月份收入同比增長26%，從上年同期的新臺幣82.4億元增至新臺幣103.4億元。
聯電在公告中稱，截至6月30日的6個月收入同比增長69%，從新臺幣334.7億元增至564.6億元。聯華電子沒有透露收入增長的原因。
聯電第二季度收入增長31%，從上年同期的新臺幣226.3億元增至新臺幣297.5億元。該公司第一季度收入增長超過一倍，從上年同期的新臺幣108.4億元增至新臺幣267.2億元。
聯電4月底表示，繼第一季度8英寸等值晶圓發(fā)貨量達到10
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聯電 晶圓
- 據悉，臺灣代工廠聯電(UMC)計劃于2011年年中開始，使用28nm新工藝試產3D立體堆疊式芯片，并于2012年批量投產。
聯電CEO孫世偉(Shih-Wei Sun)表示，這種3D堆疊芯片使用了硅通孔(TSV)技術，是聯電與日本爾必達、臺灣力成科技(PTI)共同研發(fā)完成的。這次三方合作匯聚了聯電的制造技術、爾必達的內存技術和力成的封裝技術，并在3D IC方案中整合了邏輯電路和DRAM。
孫世偉指出，客戶需要3D-IC TSV方案用于下一代CMOS圖像傳感器、MEMS芯片、功率放大器和其他
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聯電 28nm 立體堆疊式芯片
- 聯電15日召開股東會，會中通過私募增資案，聯電董事長洪嘉聰指出，為維護股東權益，目前的股價不會發(fā)行，未來發(fā)行價格將貼近市價，而大股東也不會參與。對于第3季狀況，財務長劉啟東表示，第3季產能依然吃緊，其中以高階制程最緊。
聯電股東會中承認2009年度財報，每股純益新臺幣 0.31元，并決議通過每股配發(fā)0.5元現金股息。
另外，會中也通過辦理私募增資。洪嘉聰強調，通過私募增資案只是保留彈性，于未來適當時機辦理，引進策略合作伙伴，而目前價格將不會發(fā)行，未來發(fā)行價格將會貼近市價，同時，聯電大股東及
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聯電 晶圓代工
聯電介紹
臺灣聯電集團總部設在臺灣,集團旗下有5家晶圓代工廠,包括聯電、聯誠、聯瑞、聯嘉以及最新投資的合泰半導體,是全球半導體投資第四大,僅次于英代爾、摩托羅拉及西門子. 根據"經濟部中央標準局"公布的近5年島內百大"專利大戶"名單,以申請件數排名, 聯電第一、工研院第二、臺積電第三;就取得美國專利件數而言,1993年至1997年所累積的件數,聯電是臺積電的兩倍、工研院的3倍. [
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