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用于相變存儲器的GeSbTe MOCVD共形淀積

  • 為了達到PCM改進高性能/高密度發(fā)展進程中的下一個里程碑，正在采用的一個途徑是在截面尺寸10-100nm的高深寬比 ...
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相變存儲器(PCM)與存儲器技術(shù)簡介

  • 相變存儲器(PCM)與存儲器技術(shù)簡介,相變存儲器(PCM)是新一代非揮發(fā)性存儲器技術(shù)。透過比較PCM與現(xiàn)有的SLC和MLC NAND快閃存儲器以及硬碟驅(qū)動器(HDD) 和固態(tài)硬碟(SSD)等系統(tǒng)解決方案，*估PCM的相對成本、效能和可靠度，可以了解PCM適用于哪里些應(yīng)用領(lǐng)域，
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相變存儲器(PCM)與存儲器技術(shù)的比較分析

  • 相變存儲器(PCM)與存儲器技術(shù)的比較分析,　相變存儲器(PCM)是新一代非揮發(fā)性存儲器技術(shù)。透過比較PCM與現(xiàn)有的SLC和MLC NAND快閃存儲器以及硬碟驅(qū)動器(HDD) 和固態(tài)硬碟(SSD)等系統(tǒng)解決方案，*估PCM的相對成本、效能和可靠度，可以了解PCM適用于哪里些應(yīng)用領(lǐng)域
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相變存儲器--非易失性計算機存儲器技術(shù)介紹

  • 相變存儲器--非易失性計算機存儲器技術(shù)介紹,相變存儲器(可縮略表示為PCM、PRAM或PCRAM)是一種新興的非易失性計算機存儲器技術(shù)。它可能在將來代替閃存，因為它不僅比閃存速度快得多，更容易縮小到較小尺寸，而且復(fù)原性更好，能夠?qū)崿F(xiàn)一億次以上的擦寫次數(shù)。本文
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相變存儲器的高可靠性多值存儲設(shè)計

  • 摘要：基于相變存儲器(PCM) 已有的2T2R 結(jié)構(gòu)，提出一種以比值為導(dǎo)向的狀態(tài)定義方法，以實現(xiàn)2T2R 結(jié)構(gòu)下PCM 的多值存儲。它在相變電阻具有4 態(tài)可編寫的能力下，可以實現(xiàn)單元內(nèi)8 態(tài)存儲，同時對小尺寸驗證，而對PCM 存
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實現(xiàn)全新存儲器使用模型的新型存儲器--相變存儲器

  • 實現(xiàn)全新存儲器使用模型的新型存儲器--相變存儲器,從下面的幾個重要特性看，相變存儲器（PCM）技術(shù)均符合當(dāng)前電子系統(tǒng)對存儲器子系統(tǒng)的需求：容量
    ndash; 因為消費電子、計算機、通信三合一的應(yīng)用趨勢，所有電子系統(tǒng)的代碼量都以冪指數(shù)的速率增長，數(shù)據(jù)增長速率甚
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相變存儲器(PCM)單元中儲存多個位元的方法

  • 相變存儲器(PCM)單元中儲存多個位元的方法,BM蘇黎世研究中心的科學(xué)家們?nèi)涨氨硎?，已?jīng)發(fā)現(xiàn)能夠可靠地在相變存儲器(PCM)單元中儲存多個位元的方法。該小組采用90nm工藝技術(shù)，在200k單元陣列中實現(xiàn)了每存儲單元為四層(2位元)，并表示已開發(fā)出一種編碼方法，能克
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一種相變存儲器的驅(qū)動電路設(shè)計

  • 引言　　相變存儲器（PC2RAM）是一種新型半導(dǎo)體存儲器，在研發(fā)下一代高性能不揮發(fā)存儲技術(shù)的激烈競爭中，PC2RAM在讀寫速度、讀寫次數(shù)、數(shù)據(jù)保持時間、單元面積、功耗等方面的諸多優(yōu)勢顯示了極大的競爭力，得到了較快
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相變存儲器(PCM)與存儲器技術(shù)的比較

  • 相變存儲器(PCM)與存儲器技術(shù)的比較,　　相變存儲器(PCM)是新一代非揮發(fā)性存儲器技術(shù)。透過比較PCM與現(xiàn)有的SLC和MLC NAND快閃存儲器以及硬碟驅(qū)動器(HDD) 和固態(tài)硬碟(SSD)等系統(tǒng)解決方案，*估PCM的相對成本、效能和可靠度，可以了解PCM適用于哪里些應(yīng)用領(lǐng)
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相變存儲器--非易失性計算機存儲器技術(shù)

  • 相變存儲器--非易失性計算機存儲器技術(shù),　　相變存儲器(可縮略表示為PCM、PRAM或PCRAM)是一種新興的非易失性計算機存儲器技術(shù)。它可能在將來代替閃存，因為它不僅比閃存速度快得多，更容易縮小到較小尺寸，而且復(fù)原性更好，能夠?qū)崿F(xiàn)一億次以上的擦寫次數(shù)。
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相變存儲器：能實現(xiàn)全新存儲器使用模型的新型存儲器

  • 相變存儲器：能實現(xiàn)全新存儲器使用模型的新型存儲器,從下面的幾個重要特性看，相變存儲器（PCM）技術(shù)均符合當(dāng)前電子系統(tǒng)對存儲器子系統(tǒng)的需求： 容量
    C 因為消費電子、計算機、通信三合一的應(yīng)用趨勢，所有電子系統(tǒng)的代碼量都以冪指數(shù)的速率增長，數(shù)據(jù)增長速率甚至更
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日立與瑞薩開發(fā)1.5V相變存儲模塊

  • 日立有限公司與瑞薩科技（Renesas）宣布，為了滿足新一代高密度片上非易失性存儲技術(shù)的需求，雙方共同開發(fā)出了運行于1.5V電源電壓的512KB（相當(dāng)于4Mb）相變存儲模塊，該器件能夠?qū)崿F(xiàn)416KB/s的寫入速度和20ns的讀取時間。利用以前開發(fā)的100μA（Micro[注1]安培）寫入操作電流的“低功耗相變存儲單元”，兩家公司在新模塊中開發(fā)了一種可以實現(xiàn)高速讀寫操作的外設(shè)電路技術(shù)。      日立和瑞薩以前開發(fā)過一種低功耗操作相變存儲器，它在界面層使用了
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