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理解功率MOSFET的UIS及雪崩能量
- 在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中,通常包括單脈沖雪崩能量EAS,雪崩電流IAR,重復(fù)脈沖雪崩能量EAR等參數(shù),而許多電子工程師在設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)的過(guò)程中,很少考慮到這些參數(shù)與電源系統(tǒng)的應(yīng)用有什么樣的聯(lián)系,如何在實(shí)際的應(yīng)用中評(píng)定這些參數(shù)對(duì)其的影響,以及在哪些應(yīng)用條件下需要考慮這些參數(shù)。本文將論述這些問(wèn)題,同時(shí)探討功率MOSFET在非鉗位感性開關(guān)條件下的工作狀態(tài)。
- 關(guān)鍵字: 雪崩 能量 UIS MOSFET 功率 理解
如何正確理解音頻元件數(shù)據(jù)手冊(cè)中的功耗數(shù)據(jù)

- 不同供應(yīng)商會(huì)使用不同的測(cè)試條件去測(cè)試他們的音頻芯片,但如果設(shè)計(jì)師能夠理解對(duì)功耗有顯著影響的上述幾個(gè)因素,就能去蕪存精,并根據(jù)正在設(shè)計(jì)的系統(tǒng)的實(shí)際情況,從測(cè)試條件中推斷出正確的數(shù)據(jù)。明確設(shè)計(jì)系統(tǒng)的相關(guān)功能、確定由哪個(gè)物理器件負(fù)責(zé)該功能,并正確計(jì)算每個(gè)功能的功耗非常重要。
- 關(guān)鍵字: 數(shù)據(jù) 手冊(cè) 功耗 元件 音頻 正確 理解 如何 音頻
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