晶閘管文章最新資訊

變頻器應用中的干擾問題及其對策

在各種工業(yè)控制系統(tǒng)中，隨著變頻器等電力電子裝置的廣泛使用，系統(tǒng)的電磁干擾（EMI）日益嚴重，相應的抗干擾設計...
關鍵字：變頻器干擾晶閘管環(huán)流

高壓晶閘管串聯(lián)閥觸發(fā)電路的設計

隨著柔性交流輸電和高壓直流輸電設備在電力系統(tǒng)中越來越多的應用，使晶閘管在高電壓大電流場合下的設計使...
關鍵字：晶閘管串聯(lián)閥觸發(fā)電路

高能效功率電子技術領域的最新進展綜述

從1957年第一只晶閘管的誕生開始，功率電子技術以相當迅猛的速度發(fā)展。近年來又取得了長足的進展，產生極佳...
關鍵字：高能效功率電子晶閘管智能電源

用EDA設計全數(shù)字三相昌閘管觸發(fā)器IP軟核

IP(IntellectualPropcrty)就是常說的知識產權。美國Dataquest咨詢公司將半導體產業(yè)的IP定義為用于ASIC...
關鍵字： IP核晶閘管 EDA VHDL

低壓無功補償中晶閘管電子開關模塊的特點與應用

分析了低壓無功補償裝置的開關特點，介紹了交流接觸器以及新型晶閘管電子開關模塊在無功補償裝置中的優(yōu)缺點，同時對晶閘管電子開關模塊在用于投切時的情況進行了模擬試驗，并給出了相關的波形。
關鍵字：低壓無功補償晶閘管電子開關模塊

晶閘管SCR觸發(fā)驅動器及電路

晶閘管SCR觸發(fā)驅動器及電路為觸發(fā)SCR開通，門極脈沖電流必須有足夠大的幅度和持續(xù)時間，以及盡可能短的電流上升時間。采用脈沖變壓器（PTR）和晶體管放大器（TRA）的驅動器如右圖所示。
左圖為SCR的一個簡單光電隔離
關鍵字： SCR 晶閘管觸發(fā)驅動器電路

中國南車建成最大的大功率半導體產業(yè)基地

　　新聞事件：　　中國南車建成最大的大功率半導體產業(yè)基地　　事件影響：　　國內最大的大功率半導體器件研發(fā)及產業(yè)化基地在中國南車正式投產　　9月8日，隨著第一批高壓大功率晶閘管正式投片，國內最大的大功率半導體器件研發(fā)及產業(yè)化基地在中國南車正式投產。　　為滿足國民經濟發(fā)展的急切需求，打破國外公司的市場壟斷，推動大功率半導體產業(yè)上水平、上規(guī)模，中國南車旗下的株洲南車時代電氣股份有限公司(南車時代電氣)依托公司良好的技術基礎，總投資近3.5億元，于2006年年底
關鍵字：半導體晶閘管 IGBT封裝

中國最大大功率半導體產業(yè)基地在湖南株洲投產

　　中國最大的大尺寸功率半導體器件研發(fā)及產業(yè)化基地近日在湖南株洲正式投產。長期以來，高端半導體器件技術和市場一直被國外壟斷，該基地的投產運行將加速推動國產化大功率半導體器件產業(yè)化進程。　　大尺寸功率半導體器件(晶閘管、IGBT、IGCT均屬于大尺寸功率半導體器件)是變流器的關鍵元件，被譽為電力電子產品的“CPU”，廣泛用于軌道交通、電力(高壓直流輸電、風力發(fā)電)、化工、冶煉等領域。長期以來，國內高端半導體器件技術和產品主要依靠進口，價格昂貴，嚴重制約民族工業(yè)的快速發(fā)展。　　
關鍵字：半導體晶閘管 IGBT

ST推出高溫柵靈敏型雙向晶閘管

　　晶閘管和雙向晶閘管市場領先廠商意法半導體推出首款柵靈敏度10mA、額定工作溫度高達150℃的雙向晶閘管。通過節(jié)省散熱器、柵驅動電源和緩沖電路，新產品可以讓設計人員為加熱器、電機、小家電開發(fā)低成本的電源驅動解決方案。　　全新產品T410H、T610H、T810H和T1010H的最大額定電流分別為4A、6A、8A和10A。10mA的低柵電流讓雙向晶閘管可直接進行邏輯級開關操作，這個優(yōu)點可減少元器件的數(shù)量，降低電源的尺寸和成本。此外，柵電流低還可以讓晶閘管保持高動態(tài)性能，在150℃時，可以保持最小額
關鍵字： ST 晶閘管電源驅動緩沖電路

單片機芯片的三相半控整流電路設計

整流電路廣泛應用在直流電機調速，直流穩(wěn)壓電壓等場合。而三相半控整流橋電路結構是一種常見的整流電路，其容易控制，成本較低。本文中介紹了一種基于 PIC690單片機與專用集成觸發(fā)芯片TC787的三相半控整流電路，它結
關鍵字：電路設計整流三相芯片單片機單片機三相半控整流 PIC690 晶閘管 PWM 驅動電路

一種基于TCF792的晶閘管整流電路的設計

1 引言　　TCF92A、CF792B是單相、三相通用數(shù)字相位控制觸發(fā)電路。該系列器件具有單相同步輸入信號和數(shù)字 ...
關鍵字：整流電路晶閘管相位控制/軟啟動 TCF792

晶閘管(SCR)原理

　　晶閘管(thyristor)是硅晶體閘流管的簡稱，俗稱可控硅（SCR），其正式名稱應是反向阻斷三端晶閘管。除此之外，在普通晶閘管的基礎上還派生出許多新型器件，它們是工作頻率較高的快速晶閘管(fast switching thyristor，F(xiàn)ST)、反向導通的逆導晶閘管(reverse conducting thyristor，RCT)、兩個方向都具有開關特性的雙向晶閘管(TRIAC)、門極可以自行關斷的門極可關斷晶閘管（gate turn off thyristor，GTO）、門極輔助關斷晶閘管(g
關鍵字：晶閘管半導體材料

晶閘管的保護措施

1、過電壓保護　　晶閘管對過電壓很敏感，當正向電壓超過其斷態(tài)重復峰值電壓UDRM一定值時晶閘管就會誤導通，引發(fā)電路故障；當外加反向電壓超過其反向重復峰值電壓URRM一定值時，晶閘管就會立即損壞。因此，必須研究過電壓的產生原因及抑制過電壓的方法。　　過電壓產生的原因主要是供給的電功率或系統(tǒng)的儲能發(fā)生了激烈的變化，使得系統(tǒng)來不及轉換，或者系統(tǒng)中原來積聚的電磁能量來不及消散而造成的。主要發(fā)現(xiàn)為雷擊等外來沖擊引起的過電壓和開關的開閉引起的沖擊電壓兩種類型。由雷擊或高壓斷路器動作等產生的過電壓是幾微秒至幾
關鍵字：晶閘管半導體材料

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晶閘管介紹

全稱晶體閘流管。俗稱可控硅。一種包含3個或3個以上PN結，能從斷態(tài)轉入通態(tài)，或由通態(tài)轉入斷態(tài)的雙穩(wěn)態(tài)電力電子器件。它泛指所有PNPN類型的開關管，也可表示這類開關管中的任一器件。自1957年美國貝爾電話實驗室將第一只晶閘管用于工業(yè)領域以來，由于它的優(yōu)異性能，很快受到各國重視。隨著新材料的出現(xiàn)，新工藝的采用，單只晶閘管的電流容量從幾安發(fā)展到幾千安，耐壓等級從幾百伏提高到幾千伏，工作頻率大大提高，器件 [ 查看詳細 ]