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晶圓減薄文章進入晶圓減薄技術社區(qū)

宜特晶圓減薄能力達1.5mil

隨5G、物聯(lián)網(wǎng)、電動車蓬勃發(fā)展，對于低功耗要求越來越高，功率半導體成為這些產(chǎn)業(yè)勢不可擋的必備組件。宜特(TWSE: 3289)晶圓后端工藝廠的晶圓減薄能力也隨之精進。宜特今(1/6)宣布，晶圓后端工藝廠（竹科二廠），通過客戶肯定，成功開發(fā)晶圓減薄達1.5mil(38um)技術，技術門坎大突破。同時，為更專注服務國際客戶，即日起成立宜錦股份有限公司(Prosperity Power Technology Inc)。使用控片測得2mil、1.5 mil、1.5 mil優(yōu)化條件后的損壞層厚度及TEM分析宜
關鍵字：宜特晶圓減薄

得益于晶圓減薄工藝與創(chuàng)新的封裝，功率MOSFET在不斷進步

要點1.導通電阻與柵極電荷規(guī)格的改善正在變得更難以實現(xiàn)和更昂貴。2.作為功率開關器件的選擇，硅遠未到...
關鍵字：晶圓減薄 MOSFET

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晶圓減薄介紹

　　晶圓減薄　　集成電路制造技術的進步首先來源于市場需求的要求，其次是競爭的要求。在集成電路制造中，　　半導體硅材料由于其資源豐富，制造成本低，工藝性好，是集成電路重要的基體材料。　　從集成電路斷面結構來看，大部分集成電路是在硅基體材料的淺表面層上制造。由于制造工藝的　　要求，對晶片的尺寸精度、幾何精度、表面潔凈度以及表面微晶格結構提出很高要求。因此在幾百道工　　藝流程中，不可 [ 查看詳細 ]

晶圓減薄 文章 進入晶圓減薄技術社區(qū)

宜特晶圓減薄能力達1.5mil

得益于晶圓減薄工藝與創(chuàng)新的封裝，功率MOSFET在不斷進步

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