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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 開關(guān)損耗

了解E類放大器中的開關(guān)損耗

  • 在本文中，我們研究了非零開關(guān)轉(zhuǎn)換時間如何影響E類功率放大器的效率。通常假設(shè)具有理想組件的E級效率為100%。在實踐中，有幾個非理想因素會降低E類放大器的效率。在本文中，我們將只討論一個：實際開關(guān)的非零轉(zhuǎn)換時間。了解這種損耗機制可以幫助我們更真實地估計放大器的性能，并實現(xiàn)更準確的熱系統(tǒng)設(shè)計。如果您從“E類功率放大器簡介”開始閱讀本系列文章，您可能還記得這些放大器的負載網(wǎng)絡(luò)旨在最大限度地減少開關(guān)損耗。即使使用非理想晶體管，設(shè)計良好的E級的導(dǎo)通開關(guān)損耗也可能接近于零。然而，關(guān)斷開關(guān)損耗可能相當(dāng)大，我們很快就會看
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雙極性結(jié)型晶體管的開關(guān)損耗

  • 在SPICE仿真的幫助下，我們研究了當(dāng)BJT用作開關(guān)時發(fā)生的兩種類型的功耗。雙極性結(jié)型晶體管（BJT）既可以用作小信號放大器，也可以用作開關(guān)。盡管現(xiàn)在你在電路板上看不到很多分立的BJT放大器——使用運算放大器要方便有效得多——但作為開關(guān)連接的BJT仍然很常見。BJT開關(guān)通常用于阻斷或向有刷直流電機、燈或螺線管等負載輸送電流。它們有時也出現(xiàn)在更高頻率的開關(guān)應(yīng)用中，如開關(guān)模式調(diào)節(jié)器或D類放大器。圖1顯示了BJT開關(guān)的兩種常見應(yīng)用：高強度LED照明（左）和繼電器控制（右）。兩個開關(guān)都由微控制器上的通用輸入/輸出
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MOSFET開關(guān)損耗簡介

  • 本文將通過解釋MOSFET功耗的重要來源來幫助您優(yōu)化開關(guān)模式調(diào)節(jié)器和驅(qū)動器電路。MOSFET的工作可以分為兩種基本模式：線性和開關(guān)。在線性模式中，晶體管的柵極到源極電壓足以使電流流過溝道，但溝道電阻相對較高?？鐪系赖碾妷汉土鬟^溝道的電流都是顯著的，導(dǎo)致晶體管中的高功耗。在開關(guān)模式中，柵極到源極電壓足夠低以防止電流流動，或者足夠高以使FET處于“完全增強”狀態(tài)，在該狀態(tài)下溝道電阻大大降低。在這種狀態(tài)下，晶體管就像一個閉合的開關(guān)：即使大電流流過通道，功耗也會很低或中等。隨著開關(guān)模式操作接近理想情況，功耗變得可
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簡單的速率控制技術(shù)可降低開通能耗

  • 　　Wolfgang?Frank?（英飛凌）　　摘?要：電力電子系統(tǒng)（如馬達）中的開關(guān)損耗降低受到電磁干擾（EMI）或開關(guān)電壓斜率等參數(shù)的限制。通常是通過選擇有效的功率晶體管柵極電阻來解決這一問題。但這在運行中是無法自主進行調(diào)整的?！　”疚膶⒔榻B一種通過并聯(lián)常規(guī)柵極驅(qū)動芯片來攻克這一難題的簡單方法。文中還介紹了與開通能耗改進有關(guān)的表征數(shù)據(jù)的評估?！　￡P(guān)鍵詞：馬達；開關(guān)損耗；EMI；開關(guān)電壓斜率；柵極驅(qū)動　　0 引言　　連接MOS柵極功率晶體管的柵極電阻選型，一般有2個優(yōu)化目標。首先，應(yīng)通過選擇電阻值較小的
  • 關(guān)鍵字： 202006  馬達  開關(guān)損耗  EMI  開關(guān)電壓斜率  柵極驅(qū)動  

理解MOSFET時間相關(guān)及能量相關(guān)輸出電容Coss(tr)和Coss(er)

  • Understanding time-related and energy-related output capacitances Coss(tr) and Coss(er)劉松（萬國半導(dǎo)體元件(深圳)有限公司，上海 靜安 200070）??????摘要：本文論述了功率MOSFET數(shù)據(jù)表中靜態(tài)輸出電容Coss、時間相關(guān)輸出電容Coss(tr)和能量相關(guān)輸出電容Coss(er)的具體定義以及測量的方法，特別說明了在實際的不同應(yīng)用中，采用不同的輸出電
  • 關(guān)鍵字： 輸出電容  死區(qū)時間  開關(guān)損耗  超結(jié)  201904  

MOSFET開關(guān)損耗分析

  • 摘要：為了有效解決金屬一氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)在通信設(shè)備直流-48 V緩啟動應(yīng)用電路中出現(xiàn)的開關(guān)損耗失效問題，通過對MOSFET柵極電荷、極間
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  帶電插拔  緩啟動  開關(guān)損耗  

技術(shù)解析：有效地降低開關(guān)電源開關(guān)損耗的原理

  • 基于電感的開關(guān)電源(SM-PS)包含一個功率開關(guān)，用于控制輸入電源流經(jīng)電感的電流。大多數(shù)開關(guān)電源設(shè)計選擇MOSFE...
  • 關(guān)鍵字： 開關(guān)電源  開關(guān)損耗  

淺析讓IGBT更快的技巧

  • IGBT關(guān)斷損耗大；拖尾是嚴重制約高頻運用的攔路虎。這問題由兩方面構(gòu)成：1）IGBT的主導(dǎo)器件—GTR的基區(qū)儲...
  • 關(guān)鍵字： IGBT  開關(guān)損耗  

論述如何控制IGBT逆變器設(shè)計中的雜散電感

  • IGBT技術(shù)不能落后于應(yīng)用要求。因此，英飛凌推出了最新一代的IGBT芯片以滿足具體應(yīng)用的需求。與目前逆變器設(shè)...
  • 關(guān)鍵字： 反向恢復(fù)  過壓  開關(guān)損耗  

零電壓開關(guān)技術(shù)在降壓穩(wěn)壓器上的應(yīng)用

  • 對降壓穩(wěn)壓器的關(guān)鍵要求通常是尺寸和效率。由于印制電路板面積彌足珍貴，哪個設(shè)計人員也不愿意分配額外的空...
  • 關(guān)鍵字： 零電壓  開關(guān)損耗  功率密度  

開關(guān)調(diào)節(jié)器的效率（忽略交疊開關(guān)損耗）

開關(guān)調(diào)節(jié)器的效率（考慮交疊開關(guān)損耗）

理解MOSFET開關(guān)損耗和主導(dǎo)參數(shù)

  • 本文詳細分析計算開關(guān)損耗，并論述實際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程，從而使電子工程師知...
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  開關(guān)損耗  主導(dǎo)參數(shù)  

功率MOSFET的開關(guān)損耗的研究

  • 本文詳細分析計算開關(guān)損耗，并論述實際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程，從而使電子工程師知...
  • 關(guān)鍵字： 功率MOSFET  開關(guān)損耗  

國內(nèi)高頻變換中小功率逆變電源存在問題分析

  • 20世紀70年代初期，20kHzPWM型開關(guān)電源的應(yīng)用在世界上引起了所謂“20kHz電源技術(shù)革命”。逆變電源按變換方式...
  • 關(guān)鍵字： 磁性材料  開關(guān)損耗  諧振  
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開關(guān)損耗介紹

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