開關(guān)損耗文章進(jìn)入開關(guān)損耗技術(shù)社區(qū)

了解E類放大器中的開關(guān)損耗

在本文中，我們研究了非零開關(guān)轉(zhuǎn)換時(shí)間如何影響E類功率放大器的效率。通常假設(shè)具有理想組件的E級效率為100%。在實(shí)踐中，有幾個(gè)非理想因素會(huì)降低E類放大器的效率。在本文中，我們將只討論一個(gè)：實(shí)際開關(guān)的非零轉(zhuǎn)換時(shí)間。了解這種損耗機(jī)制可以幫助我們更真實(shí)地估計(jì)放大器的性能，并實(shí)現(xiàn)更準(zhǔn)確的熱系統(tǒng)設(shè)計(jì)。如果您從“E類功率放大器簡介”開始閱讀本系列文章，您可能還記得這些放大器的負(fù)載網(wǎng)絡(luò)旨在最大限度地減少開關(guān)損耗。即使使用非理想晶體管，設(shè)計(jì)良好的E級的導(dǎo)通開關(guān)損耗也可能接近于零。然而，關(guān)斷開關(guān)損耗可能相當(dāng)大，我們很快就會(huì)看
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雙極性結(jié)型晶體管的開關(guān)損耗

在SPICE仿真的幫助下，我們研究了當(dāng)BJT用作開關(guān)時(shí)發(fā)生的兩種類型的功耗。雙極性結(jié)型晶體管（BJT）既可以用作小信號放大器，也可以用作開關(guān)。盡管現(xiàn)在你在電路板上看不到很多分立的BJT放大器——使用運(yùn)算放大器要方便有效得多——但作為開關(guān)連接的BJT仍然很常見。BJT開關(guān)通常用于阻斷或向有刷直流電機(jī)、燈或螺線管等負(fù)載輸送電流。它們有時(shí)也出現(xiàn)在更高頻率的開關(guān)應(yīng)用中，如開關(guān)模式調(diào)節(jié)器或D類放大器。圖1顯示了BJT開關(guān)的兩種常見應(yīng)用：高強(qiáng)度LED照明（左）和繼電器控制（右）。兩個(gè)開關(guān)都由微控制器上的通用輸入/輸出
關(guān)鍵字： LTspice 雙極性結(jié)型晶體管開關(guān)損耗

MOSFET開關(guān)損耗簡介

本文將通過解釋MOSFET功耗的重要來源來幫助您優(yōu)化開關(guān)模式調(diào)節(jié)器和驅(qū)動(dòng)器電路。MOSFET的工作可以分為兩種基本模式：線性和開關(guān)。在線性模式中，晶體管的柵極到源極電壓足以使電流流過溝道，但溝道電阻相對較高?？鐪系赖碾妷汉土鬟^溝道的電流都是顯著的，導(dǎo)致晶體管中的高功耗。在開關(guān)模式中，柵極到源極電壓足夠低以防止電流流動(dòng)，或者足夠高以使FET處于“完全增強(qiáng)”狀態(tài)，在該狀態(tài)下溝道電阻大大降低。在這種狀態(tài)下，晶體管就像一個(gè)閉合的開關(guān)：即使大電流流過通道，功耗也會(huì)很低或中等。隨著開關(guān)模式操作接近理想情況，功耗變得可
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簡單的速率控制技術(shù)可降低開通能耗

　　Wolfgang?Frank?（英飛凌）　　摘?要：電力電子系統(tǒng)（如馬達(dá)）中的開關(guān)損耗降低受到電磁干擾（EMI）或開關(guān)電壓斜率等參數(shù)的限制。通常是通過選擇有效的功率晶體管柵極電阻來解決這一問題。但這在運(yùn)行中是無法自主進(jìn)行調(diào)整的?！　”疚膶⒔榻B一種通過并聯(lián)常規(guī)柵極驅(qū)動(dòng)芯片來攻克這一難題的簡單方法。文中還介紹了與開通能耗改進(jìn)有關(guān)的表征數(shù)據(jù)的評估。　　關(guān)鍵詞：馬達(dá)；開關(guān)損耗；EMI；開關(guān)電壓斜率；柵極驅(qū)動(dòng)　　0 引言　　連接MOS柵極功率晶體管的柵極電阻選型，一般有2個(gè)優(yōu)化目標(biāo)。首先，應(yīng)通過選擇電阻值較小的
關(guān)鍵字： 202006 馬達(dá) 開關(guān)損耗 EMI 開關(guān)電壓斜率柵極驅(qū)動(dòng)

理解MOSFET時(shí)間相關(guān)及能量相關(guān)輸出電容Coss(tr)和Coss(er)

Understanding time-related and energy-related output capacitances Coss(tr) and Coss(er)劉松（萬國半導(dǎo)體元件(深圳)有限公司，上海靜安 200070）??????摘要：本文論述了功率MOSFET數(shù)據(jù)表中靜態(tài)輸出電容Coss、時(shí)間相關(guān)輸出電容Coss(tr)和能量相關(guān)輸出電容Coss(er)的具體定義以及測量的方法，特別說明了在實(shí)際的不同應(yīng)用中，采用不同的輸出電
關(guān)鍵字：輸出電容死區(qū)時(shí)間開關(guān)損耗超結(jié) 201904

MOSFET開關(guān)損耗分析

摘要：為了有效解決金屬一氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)在通信設(shè)備直流-48 V緩啟動(dòng)應(yīng)用電路中出現(xiàn)的開關(guān)損耗失效問題，通過對MOSFET柵極電荷、極間
關(guān)鍵字： MOSFET 帶電插拔緩啟動(dòng) 開關(guān)損耗

技術(shù)解析：有效地降低開關(guān)電源開關(guān)損耗的原理

基于電感的開關(guān)電源(SM-PS)包含一個(gè)功率開關(guān)，用于控制輸入電源流經(jīng)電感的電流。大多數(shù)開關(guān)電源設(shè)計(jì)選擇MOSFE...
關(guān)鍵字：開關(guān)電源開關(guān)損耗

淺析讓IGBT更快的技巧

IGBT關(guān)斷損耗大；拖尾是嚴(yán)重制約高頻運(yùn)用的攔路虎。這問題由兩方面構(gòu)成：1）IGBT的主導(dǎo)器件—GTR的基區(qū)儲(chǔ)...
關(guān)鍵字： IGBT 開關(guān)損耗

論述如何控制IGBT逆變器設(shè)計(jì)中的雜散電感

IGBT技術(shù)不能落后于應(yīng)用要求。因此，英飛凌推出了最新一代的IGBT芯片以滿足具體應(yīng)用的需求。與目前逆變器設(shè)...
關(guān)鍵字：反向恢復(fù) 過壓開關(guān)損耗

零電壓開關(guān)技術(shù)在降壓穩(wěn)壓器上的應(yīng)用

對降壓穩(wěn)壓器的關(guān)鍵要求通常是尺寸和效率。由于印制電路板面積彌足珍貴，哪個(gè)設(shè)計(jì)人員也不愿意分配額外的空...
關(guān)鍵字：零電壓開關(guān)損耗功率密度

開關(guān)調(diào)節(jié)器的效率（忽略交疊開關(guān)損耗）

了解了開關(guān)管V和續(xù)流二極管D的電流D（見圖d、e）就可以計(jì)算電路的損耗和效率。若電流流過開關(guān)管V和二極管D...
關(guān)鍵字：開關(guān)調(diào)節(jié)器開關(guān)損耗

開關(guān)調(diào)節(jié)器的效率（考慮交疊開關(guān)損耗）

交疊開關(guān)損耗（或稱為電壓電流重疊損耗），可以根據(jù)某時(shí)段內(nèi)電壓電流的動(dòng)態(tài)曲線按照上升電流和下降電壓的斜率...
關(guān)鍵字：開關(guān)調(diào)節(jié)器開關(guān)損耗

理解MOSFET開關(guān)損耗和主導(dǎo)參數(shù)

本文詳細(xì)分析計(jì)算開關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程，從而使電子工程師知...
關(guān)鍵字： MOSFET 開關(guān)損耗主導(dǎo)參數(shù)

功率MOSFET的開關(guān)損耗的研究

本文詳細(xì)分析計(jì)算開關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程，從而使電子工程師知...
關(guān)鍵字：功率MOSFET 開關(guān)損耗

國內(nèi)高頻變換中小功率逆變電源存在問題分析

20世紀(jì)70年代初期，20kHzPWM型開關(guān)電源的應(yīng)用在世界上引起了所謂“20kHz電源技術(shù)革命”。逆變電源按變換方式...
關(guān)鍵字：磁性材料開關(guān)損耗諧振

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開關(guān)損耗介紹

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MOS管的開關(guān)損耗-反激式分析
在SMPS應(yīng)用中選擇IGBT和MOSFET的比較
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