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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 寄生電容

理解D類放大器的非理想性：無功負載和寄生電容

  • 在本文中，我們將了解D類功率放大器的兩個重要非理想性以及它們如何影響性能。正如我們從之前的文章中所知，實際D類放大器的開關頻率并不總是與其諧振頻率相匹配。這種失配可能是由于組件非理想性或放大器在略微不同的頻率下有意操作造成的。在這兩種情況下，失諧LC電路都會產生無功負載。在本文中，我們將研究當D類放大器的負載網絡具有電抗性組件時，其性能是如何受到影響的。我們還將探討調諧電路輸入端寄生電容的影響。對每個非理想性的討論將以一個示例問題結束。無功負載引起的功率損失圖1顯示了我們在過去幾篇文章中一直在探索的互補電
  • 關鍵字： D類放大器，無功負載，寄生電容  

引入空氣間隙以減少前道工序中的寄生電容

  • 減少柵極金屬和晶體管的源極/漏極接觸之間的寄生電容可以減少器件的開關延遲。減少寄生電容的方法之一是設法降低柵極和源極/漏極之間材料層的有效介電常數(shù)，這可以通過在該位置的介電材料中引入空氣間隙來實現(xiàn)。這種類型的方式過去已經用于后道工序 (BEOL) 中，以減少金屬互連之間的電容[1-4]。本文中，我們將專注于前道工序 (FEOL)，并演示在柵極和源極/漏極之間引入空氣間隙的SEMulator3D?模型[5]。SEMulator3D?是一個虛擬的制造軟件平臺，可以在設定的半導體工藝流程內模擬工藝變量。利用SE
  • 關鍵字： 空氣間隙  前道工序  寄生電容  

保護環(huán)對雙向可控硅靜電防護器件電容特性 的影響*

  • 摘? 要：本文研究了P型保護環(huán)對雙向可控硅（DDSCR）靜電防護器件寄生電容的影響。在低壓工藝下制備 了不帶保護環(huán)的低壓雙向可控硅（LVDDSCR）和帶保護環(huán)的低壓雙向可控硅（LVDDSCR_GR）器件，在 高壓工藝下制備了不帶保護環(huán)的高壓雙向可控硅（HVDDSCR）和帶保護環(huán)的高壓雙向可控硅（HVDDSCR_ GR）器件。利用B1505A功率器件分析儀測試并討論了器件的電容特性，同時利用傳輸線脈沖（TLP）測試儀 分析了它們的靜電性能。結果表明，保護環(huán)的增加對器件靜電防護能力無較大影響，但在1?
  • 關鍵字： 202206  雙向可控硅  保護環(huán)  寄生電容  傳輸線脈沖測試系統(tǒng)  

高速多通道CCD預放電路設計

  • 摘要：高速成像應用中，CCD的輸出通道數(shù)較多，且每個通道的速度也很高。多通道輸出需要多個放大器對信號進行放大。當放大器數(shù)量較多時，電路板布局時很難使放大器靠近CCD放置。較長的電路板走線產生的寄生電容和CCD輸
  • 關鍵字： 高速CCD  預放電路  寄生電容  高頻補償  

PCB Layout中直角走線會產生什么影響?

  • 直角走線一般是PCB布線中要求盡量避免的情況，也幾乎成為衡量布線好壞的標準之一，那么直角走線究竟會對信號傳輸產生多大的影響呢？從原理上說，直角走線會使傳輸線的線寬發(fā)生變化，造成阻抗的不連續(xù)。其實不光是直角走線，頓角，銳角走線都可能會造成阻抗變化的情況。
  • 關鍵字： PCBLayout  PCB  直角走線  EMI  寄生電容  

高速PCB過孔的研究

  • 在數(shù)字通信系統(tǒng)中，隨著PCB布線密 度，布線層數(shù)和傳輸信號速率的不斷增加，信號完整性的問題變得越來越突出，已經成為高速PCB設計者巨大的挑戰(zhàn)。而在高速PCB設計中，過孔已經越來越普 遍使用，其本身的寄生參數(shù)極易造成信號完整性問題，如何減少過孔本身所產生的信號完整性問題，已經成為高速PCB設計者研究的重點和難點。
  • 關鍵字： 高速PCB  過孔  寄生電容  反焊盤  信號完整性  

如何妙用二極管減少寄生電容

  • 　　二極管以其單向導電特性，在整流開關方面發(fā)揮著重要的作用;其在反向擊穿狀態(tài)下，在一定電流范圍下起到穩(wěn)壓效果。令人意外的是，利用二極管的反偏壓結電容，能夠有效地減少信號線上的接入寄生電容，這里將近一步討論這個運用?！　∩洗挝覀兎窒砹岁P于“如何妙用二極管的導通壓降”的知識，之后有用戶要求了解更多有關電子類器件的知識，這里就來講講“如何妙用二極管減少寄生電容”。　　二極管參數(shù)—單向導電性　　提到二極管，大家最熟悉的就是二極管的單向導電性，反映伏安曲線上如圖1所示。當正向偏壓U=0.5V(硅管)時，二極管開始導
  • 關鍵字： 二極管  寄生電容  

感測的內容是什么？ 用于電容感測的有源屏蔽

  • 你在傳感器系統(tǒng)中是否遇到過電容測量值的波動呢?對于這些測量值的波動有幾種解釋，但是最常見的根本原因是外部寄生電容干擾。這種干擾，比如說不經意間將手靠的太近或者周圍區(qū)域中的電磁干擾 (EMI)，需要引起我們的
  • 關鍵字： 電容感測    電容測量    寄生電容  

外部寄生電容干擾消除法

  • 在進行測控系統(tǒng)設計時，常常需要對系統(tǒng)中的電容值進行測量。而測量的結果常常會產生波動，造成不準確的測量結果。這種情況的發(fā)生通常都是由于寄生電容的干擾導致的。寄生電容的產生也可能有多種來源。比如布線的電線
  • 關鍵字： 寄生電容  電容  傳感器  電磁干擾  

使用PGIA以免開關寄生電容燃燒

  • 可編程增益儀表放大器通常用于最大程度地擴大精密傳感器測量的動態(tài)范圍。 多數(shù)儀表放大器使用外部增益電阻Rg設置增益，因此所需增益可通過對一組電阻進行多路復用實現(xiàn)。 然而，通過這種方式實施系統(tǒng)前，須考慮三大
  • 關鍵字： PGIA  寄生電容    

論述如何降低肖特基PIN限幅器損耗

  • 介紹無線通信接收器前端可能會因同步或異步信號傳輸形成過載[1]，在時域雙工系統(tǒng)中，交換器或循環(huán)器連接端...
  • 關鍵字： 等效電路  寄生電容  低噪聲放大器  

電容傳感器寄生電容產生原因及消除方法

  • 引 言　　電容式傳感器具有結構簡單，靈敏度高，溫度穩(wěn)定性好，適應性強，動態(tài)性能好等一系列優(yōu)點，目前在檢測技術中 ...
  • 關鍵字： 電容  傳感器  寄生電容  

電路板通孔的寄生電容分析

  • 每個通孔都有對地寄生電容。因為通孔的實體結構小，其特性非常像集總線路元件。我們可以在一個數(shù)量以內估算一個通孔的寄生電容的值：其中，D2=地平面上間隙孔的直徑，IN
    D1=環(huán)繞通孔的焊盤的直徑，IN
  • 關鍵字： 電路板  通孔  寄生電容  分析    

一種減少VDMOS寄生電容的新結構

  • 分析影響VDMOS開關特性的各部分電容結構及參數(shù)，為了減少寄生電容，提高開關速度，在此提出一種減少VDMOS寄生電容的新型結構。該方法是部分去除傳統(tǒng)VDMOS的neck區(qū)多晶硅條，并利用多晶硅作掩模注入P型區(qū)，改變VDMOS柵下耗盡區(qū)形狀，減小寄生電容。在此增加了neck區(qū)寬度，并增加了P阱注入。利用TCAD工具模擬，結果表明：這種新型結構與傳統(tǒng)VDMOS相比，能有效減小器件的寄生電容，減少柵電荷量，提高開關時間，提高器件的動態(tài)性能。
  • 關鍵字： VDMOS  寄生電容    
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寄生電容介紹

寄生的含義就是本來沒有在那個地方設計電容，但由于布線構之間總是有互容，互感就好像是寄生在布線之間的一樣，所以叫寄生電容。 寄生電容一般是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性。實際上，一個電阻等效于一個電容，一個電感，和一個電阻的串連，在低頻情況下表現(xiàn)不是很明顯，而在高頻情況下，等效值會增大，不能忽略。在計算中我們要考慮進去。ESL就是等效電感，ESR就是等效電阻。不管是電阻， [ 查看詳細 ]

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