奇夢達文章進入奇夢達技術社區(qū)

奇夢達在蘇州設立新存儲產(chǎn)品研發(fā)中心

2007年8月7日，中國蘇州——全球領先的存儲產(chǎn)品供應商奇夢達公司（NYSE:QI）今日宣布，該公司計劃在中國蘇州設立一家新的專門開發(fā)存儲產(chǎn)品的研發(fā)中心。這家新的研發(fā)中心將幫助奇夢達實現(xiàn)擴大和多樣化產(chǎn)品組合的目標。新研發(fā)中心位于奇夢達設在蘇州工業(yè)園區(qū)負責組裝和測試內(nèi)存IC（后端）的奇夢達工廠內(nèi)，距上海80公里。蘇州研發(fā)中心是由奇夢達全資所有的獨立實體，預計總投資額將達到2,000萬美元。該研發(fā)中心計劃于2007年10月1日開始運營，同時從中國的大專院校聘請相關領域的工程師。奇夢達計劃在五年內(nèi)聘用200名
關鍵字：奇夢達存儲

奇夢達推出節(jié)能型FB-DIMM

奇夢達公司近日宣布推出業(yè)界首款四列8GB DDR2全緩沖雙線內(nèi)存模組（FB-DIMM），該模組技術是推動下一代多核服務器性能的重要技術，同時還可降低服務器的功耗。這些領先的FB-DIMM模組進一步壯大了奇夢達本已非常廣博的產(chǎn)品陣容，可更好地滿足服務器和高性能計算機工作站應用日益增長的要求。奇夢達的新款FB-DIMM模組的速率最快可達800 MHz。800 MHz模組將提高今年晚些時候面市的下一代服務器的性能。在800 MHz模組中，每條高速通道的帶寬為4.8&nb
關鍵字：消費電子奇夢達 FB-DIMM 消費電子

奇夢達DDR3內(nèi)存組件和模組經(jīng)過英特爾認證

　　奇夢達近日宣布，作為首批DRAM供應商之一，已開始向重要的主板廠商和超頻內(nèi)存模組制造商提供全新的DDR3組件和模組。此外，奇夢達新一代DDR3 DRAM產(chǎn)品已通過英特爾平臺的認證。　　奇夢達目前可提供512 MB DDR3 SDRAM組件和具備512MB和1GB存儲密度的 DDR3非緩沖DIMM。當前提供的這些器件支持800MHz、1066MHz 和 1333MHz的工作速度，甚至可超頻到1600MHz及以上，使它們成為迄今為止行業(yè)速度最快的器件。超頻是提高高端應用PC系統(tǒng)性能的常用技術，例如3
關鍵字： DDR3 內(nèi)存組件奇夢達認證英特爾存儲器

奇夢達擬于新加坡設300mm晶圓廠增強亞洲前端產(chǎn)能

　　奇夢達公司近日宣布，公司計劃通過在亞洲建造一個全資所有的300mm晶圓廠來增強其在亞洲市場的地位。根據(jù)全球半導體市場的增長和發(fā)展情況，奇夢達計劃在今后五年內(nèi)對該晶圓廠投資大約20億歐元。新的晶圓廠擬設在新加坡，將擁有20,000平方米的清潔室，預計全面投量產(chǎn)后，將使奇夢達的前端產(chǎn)能每月增加60,000片。　　“我們在新加坡的投資，是增強亞洲市場業(yè)務的重要一步。我們也會由此制定幾項重要的戰(zhàn)略目標?！逼鎵暨_總裁兼首席執(zhí)行官羅建華說，“這項投資能夠讓我們對快速增長的DRAM市場做出響應，并且更加靠近我們
關鍵字： 300mm 晶圓廠奇夢達其他IC 制程

奇夢達攜手Advantest共同開發(fā)GDDR5測試解決方案

奇夢達攜手Advantest開發(fā)GDDR5（顯示雙數(shù)據(jù)速率5）測試硬件。此次合作旨在開發(fā)適用于GDDR5圖形DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）的經(jīng)濟有效的大容量測試解決方案。 GDDR5將成為繼GDDR3之后的下一個主要顯示DRAM標準。GDDR5存儲器性能將超過現(xiàn)有的顯示標準。全新特性和性能將使GDDR5成為適用于未來高性能顯示應用（如PC顯卡或游戲控制臺）的理想產(chǎn)品。GDDR5標準目前正在由JEDEC制定。新的I/O標準要成功地進入市場需要可制造性的支持，而內(nèi)存測試正是制造的一個主要部分。　　
關鍵字： Advantest GDDR5 測量測試奇夢達消費電子消費電子

Spansion與奇夢達提供多重芯片封裝存儲系統(tǒng)

全球最大的閃存解決方案供應商Spansion 公司（NASDAQ：SPSN）與領先的DRAM制造商奇夢達公司今日宣布, 雙方已簽署策略供應協(xié)議。根據(jù)協(xié)議規(guī)定，奇夢達低功耗專用DRAM和Spansion® MirrorBit® NOR和 ORNAND™ 閃存將被集成至面向移動設備的多重芯片封裝（MCP）存儲系統(tǒng)中。除此之外，兩家公司計劃協(xié)調(diào)彼此的產(chǎn)品發(fā)展藍圖，特別是針對特定Spansion 閃存的奇夢達PSRAM（Pseudo SRAM），從而取得更高的經(jīng)濟效益和成品率，為移動
關鍵字： Spansion 存儲系統(tǒng) 奇夢達消費電子芯片封裝封裝消費電子

Spansion與奇夢達簽署策略供應協(xié)議

　　Spansion與DRAM制造商奇夢達公司今日宣布, 雙方已簽署策略供應協(xié)議。根據(jù)協(xié)議規(guī)定，奇夢達低功耗專用DRAM和Spansion® MirrorBit® NOR和 ORNAND™ 閃存將被集成至面向移動設備的多重芯片封裝（MCP）存儲系統(tǒng)中。除此之外，兩家公司計劃協(xié)調(diào)彼此的產(chǎn)品發(fā)展藍圖，特別是針對特定Spansion 閃存的奇夢達PSRAM（Pseudo SRAM），從而取得更高的經(jīng)濟效益和成品率，為移動設備OEM廠商提供更高效率。　　根據(jù)協(xié)議規(guī)定，奇夢達將以提
關鍵字： Spansion 策略供應協(xié)議奇夢達

美光奇夢達趕在三星前推出DDR3內(nèi)存

內(nèi)存生產(chǎn)商奇夢達和美光先于三星電子，推出了DDR3 DRAM內(nèi)存的樣品。該公司的營銷副總裁簡尼-馬凱（Jenn Markey）稱，長期以來市場一直期待，速度有希望比DDR2高一倍、能耗卻不會顯著增加的DDR3的出現(xiàn)，只是奇怪美光和奇夢達能在DRAM市場傳統(tǒng)領先者三星之前推出。　　DDR3的數(shù)據(jù)傳輸速率可達到1600Mb/s（1600兆位/秒），電源電壓卻從1.8伏特下降到1.5伏特，這可降低能耗和延長移動設備的電池壽命。美光內(nèi)存部門高級營銷主管比
關鍵字： DDR3內(nèi)存美光奇夢達三星消費電子存儲器消費電子

奇夢達投資2.5億歐元在中國擴建后端工廠

　　奇夢達公司宣布，公司將對位于中國蘇州，距離上海西部80公里的蘇州工業(yè)園的存儲IC組裝和測試后道工廠進行擴建。在擴建過程中，奇夢達將建造第二座工廠，以使其產(chǎn)能翻番。在接下來的三年中，公司將在新工廠的基礎設施、生產(chǎn)設備和 IT方面投資約2.5億歐元。這次擴建是對從2003年開始在蘇州工業(yè)園建造的現(xiàn)有生產(chǎn)基地的繼續(xù)投資。　　奇夢達計劃在2007年3月開始新工廠的建造，準備于2007年底在新工廠進行設備安裝。在現(xiàn)有的10,000平方米清潔室的基礎上，將繼續(xù)建設一個新的面積達10,000平方米的清潔室。此次
關鍵字：產(chǎn)能后端奇夢達

奇夢達2007財年第一季度收入強勁增長

奇夢達近日公布了2007財年第一季度（截止到2006年12月31日）的財務數(shù)據(jù)。2007財年第一季度，奇夢達的凈銷售額為11.7億歐元，比去年同期增長73%，比上個季度輕微下滑5%。2007財年第一季度的息稅前收益 (EBIT) 為2.5億歐元，與2006財年第四季度的2.15億歐元相比，增長16%，而2006財年第一季度公司虧損1.23億歐元。本季度的凈收入增至1.77億歐元（每股收益（基本的和稀釋的） 0.52歐元），相比之下，上一季度的凈收入為1.56億歐元
關鍵字：奇夢達

Ovonyx與奇夢達簽訂相變內(nèi)存技術許可協(xié)議

Ovonyx公司與奇夢達股份公司（NYSE：QI）宣布，雙方就采用Ovonyx和奇夢達的相變隨機存取存儲器（PCRAM）相關技術專利及知識產(chǎn)權的內(nèi)存產(chǎn)品，簽訂長期交叉許可協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議規(guī)定，Ovonyx公司將大力支持奇夢達相變內(nèi)存產(chǎn)品開發(fā)項目。 Ovonyx與其最大的股東Energy Conversion Devices發(fā)明并率先開發(fā)了PCRAM技術，對PCRAM的情況非常了解，包括相變內(nèi)存設備、材料、加工、設計、模型制造和性能優(yōu)化。Ovonyx PCRAM技術采用可逆相變
關鍵字： Ovonyx 單片機奇夢達嵌入式系統(tǒng) 相變內(nèi)存技術許可協(xié)議存儲器

IBM、旺宏和奇夢達共同推出新型存儲芯片技術

尺寸非常小的新型“相變”內(nèi)存速度遠遠快于閃存來自IBM、旺宏和奇夢達的科學家今天聯(lián)合發(fā)布他們的共同研究成果，這種新型計算機存儲器技術將有望取代已被廣泛用于計算機和消費類電子產(chǎn)品（如數(shù)碼相機和便攜式音樂播放器）的閃存芯片。新研究成果預示“相變”內(nèi)存的前景一片光明，該內(nèi)存的處理速度遠遠快于閃存，并且尺寸也比閃存小得多，從而使未來高密度“非易失性”存儲器以及功能更強大的電子設備的出現(xiàn)成為可能。非易失性存儲器無需利用電力來保存信息。通過將非易失性與優(yōu)異性能以及可靠性完美結(jié)合起來，相變技術還為面向移
關鍵字： IBM 單片機奇夢達嵌入式系統(tǒng) 旺宏新型存儲芯片存儲器

奇夢達推出DDR366移動RAM

奇夢達推出DDR366移動RAM——業(yè)界首款性能高達183兆赫的移動RAM，滿足移動應用不斷增長的帶寬需求，同時實現(xiàn)最低功耗奇夢達股份公司（NYSE：QI）宣布推出全球首款183兆赫雙數(shù)據(jù)速率同步移動RAM（DDR366）。這款全新的存儲器件采用60球細密球型網(wǎng)數(shù)組封裝（FBGA封裝），存儲容量為512Mb, 工作電壓為1.8V，符合JEDEC DDR標準。為提高系統(tǒng)制造商對高帶寬市場需求的回應，奇夢達率先推出的183赫茲移動RAM將以其低功耗滿足具有多種應用的消費類手持終端不斷增長
關鍵字： 183兆赫單片機奇夢達嵌入式系統(tǒng) 雙數(shù)據(jù)速率同步通訊網(wǎng)絡無線存儲器

奇夢達與赫克松科技成合作伙伴

奇夢達與赫克松科技成合作伙伴億能內(nèi)存在大陸擴展銷售版圖德國半導體大廠奇夢達公司(Qimonda AG, NYSE:QI)宣布，已授權赫克松科技有限公司正式成為其分銷代理合作伙伴，負責奇夢達「億能內(nèi)存」(Aeneon)產(chǎn)品在中國大陸市場的零售服務。這項宣布除了顯示奇夢達已擴展了億能內(nèi)存在大陸的銷售版圖，其中包括了赫克松科技在大陸主要城市如上海和深圳等駐點外，更進一步提升億能內(nèi)存產(chǎn)品今后在大中國區(qū)市場的品牌形象與定位。億能內(nèi)存全球渠道通路副總裁林英杰先生表示：「正如我們把A
關鍵字：合作伙伴赫克松奇夢達消費電子消費電子

奇夢達與南亞科技獲75納米DRAM技術驗證

奇夢達公司和南亞科技公司宣布已成功獲得75納米 DRAM 溝槽式(Trench)技術之驗證，最小之制程尺寸為70納米, 第一個75納米之產(chǎn)品將為512Mb DDR2 內(nèi)存芯片。此項新的技術平臺和產(chǎn)品是雙方共同在德國德累斯頓(Dresden) 和慕尼黑(Munich)的奇夢達開發(fā)中心所開發(fā)的。目前已經(jīng)在奇夢達的德累斯頓十二吋廠生產(chǎn)線開始此項新一代 DRAM技術之試產(chǎn)。負責奇夢達的市場和運作，也是管理委員會的委員之一的賽佛(Thomas&
關鍵字： 75納米 DRAM 單片機技術驗證南亞科技奇夢達嵌入式系統(tǒng) 通訊網(wǎng)絡無線存儲器

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奇夢達介紹

　　英飛凌科技公司（InfineonTechnologies）總部位于德國慕尼黑，德國最大的半導體產(chǎn)品制造商，是國際半導體產(chǎn)業(yè)富有創(chuàng)造性的領導者法蘭克福上市代碼：IFX。其前身是西門子集團的半導體部門，于1999年獨立，2000年上市。其中文名稱為億恒科技，2002年后更名為英飛凌科技。為特定領域設計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售廣泛的半導體及完整的系統(tǒng)解決方案。產(chǎn)品廣泛使用在有線、無線通信領域、汽車及工業(yè)電 [ 查看詳細 ]

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