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半導(dǎo)體
半導(dǎo)體 文章 進(jìn)入半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)
利用現(xiàn)有半導(dǎo)體制造技術(shù),為量子比特集成化開辟道路
- 日本理化學(xué)研究所(理研)2016年8月22日宣布,利用由廣泛用于工業(yè)領(lǐng)域的天然硅制成的半導(dǎo)體納米設(shè)備,實(shí)現(xiàn)了具有量子計(jì)算所必需的高精度的“量子比特”(qubit)。由于可以使用現(xiàn)有的半導(dǎo)體集成化技術(shù)安裝量子比特元件,因此,這次的成果將是實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量子計(jì)算機(jī)的重要一步。 本次研究中使用的樣本的電子顯微鏡照片 背景的黑色為硅基板表面,9條棕色布線表示形成量子點(diǎn)使用的金屬柵電極。另外,中心的2個(gè)淺藍(lán)色小圓點(diǎn)是形成量子點(diǎn)的位置,左側(cè)的大圓點(diǎn)代表電
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半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的突變(二) 中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的特征
- 上回我們簡(jiǎn)單地回顧了中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展歷史,在繼續(xù)分析中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)特點(diǎn)之前,我們必須先了解一下半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝的簡(jiǎn)單流程,雖然對(duì)于非半導(dǎo)體行業(yè)的讀者來(lái)說(shuō)應(yīng)該是非??菰锏模珜?duì)于看清半導(dǎo)體行業(yè)的整個(gè)格局是十分重要的。還有一點(diǎn)也是必須聲明一下,筆者是學(xué)經(jīng)濟(jì)學(xué)的,專業(yè)也是宏觀經(jīng)濟(jì),對(duì)半導(dǎo)體應(yīng)該可以用一竅不通來(lái)形容,在制造工藝方面比我了解很多的讀者大有人在,寫這些技術(shù)的初衷只在對(duì)行業(yè)進(jìn)行了解,如有不足或錯(cuò)誤之處敬請(qǐng)諒解。 半導(dǎo)體的生產(chǎn)工藝籠統(tǒng)地可以分成:芯片設(shè)計(jì)、前道工序的晶圓加工和后道工序的封裝測(cè)試
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 晶圓
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的突變(二) 中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的特征
- 上回我們簡(jiǎn)單地回顧了中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展歷史,在繼續(xù)分析中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)特點(diǎn)之前,我們必須先了解一下半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝的簡(jiǎn)單流程,雖然對(duì)于非半導(dǎo)體行業(yè)的讀者來(lái)說(shuō)應(yīng)該是非常枯燥的,但對(duì)于看清半導(dǎo)體行業(yè)的整個(gè)格局是十分重要的。還有一點(diǎn)也是必須聲明一下,筆者是學(xué)經(jīng)濟(jì)學(xué)的,專業(yè)也是宏觀經(jīng)濟(jì),對(duì)半導(dǎo)體應(yīng)該可以用一竅不通來(lái)形容,在制造工藝方面比我了解很多的讀者大有人在,寫這些技術(shù)的初衷只在對(duì)行業(yè)進(jìn)行了解,如有不足或錯(cuò)誤之處敬請(qǐng)諒解。 半導(dǎo)體的生產(chǎn)工藝籠統(tǒng)地可以分成:芯片設(shè)計(jì)、前道工序的晶圓加工和后道工序的封裝測(cè)試
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清華紫光下一個(gè)目標(biāo)是誰(shuí)?鎖定韓國(guó)中小型半導(dǎo)體廠
- 繼與全球第三大存儲(chǔ)器廠美光和全球第二大封測(cè)代工廠矽品失之交臂后,清華紫光集團(tuán)(Tsinghua Unigroup)將目光轉(zhuǎn)向韓國(guó)中小型半導(dǎo)體公司。據(jù)韓國(guó)《朝鮮日?qǐng)?bào)》報(bào)導(dǎo)指出,韓國(guó)專注于芯片設(shè)計(jì)的無(wú)廠半導(dǎo)體公司如Silicon Mitus、Map 與Zinitix 等,最近都在與清華紫光進(jìn)行購(gòu)并談判。 Silicon Mitus 成立于2007 年,擅長(zhǎng)于電源管理IC,年?duì)I業(yè)額達(dá)1,000 億韓圜。Map 是由美國(guó)模擬IC 廠快捷半導(dǎo)體(Fairchild Semiconductor)前員工所創(chuàng)辦
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環(huán)球晶圓年底完成收購(gòu) 粗估營(yíng)收規(guī)模400億
- 半導(dǎo)體硅晶圓廠環(huán)球晶圓董事長(zhǎng)徐秀蘭表示,收購(gòu)SEMI預(yù)計(jì)今年底完成,合計(jì)市占率可到17%,合并后,新的環(huán)球晶圓總營(yíng)收規(guī)模粗估新臺(tái)幣400億元。 環(huán)球晶圓宣布透過(guò)子公司以每股12美元、共計(jì)6.83億美元,收購(gòu)SunEdison Semiconductor(SEMI)全數(shù)普通股和凈負(fù)債,與公告前30個(gè)交易日SEMI平均收盤價(jià)相比,溢價(jià)78.6%;與公告前最后一個(gè)交易日8月17日收盤價(jià)相比,溢價(jià)44.9%,收購(gòu)案目標(biāo)今年底完成,屆時(shí)新的環(huán)球晶圓將成全球第3大半導(dǎo)體硅晶圓供應(yīng)商。 徐秀蘭表示,此次
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中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展歷史回顧
- 和高鐵、航天、家電等的產(chǎn)業(yè)日新月異的進(jìn)步相比,至少至今為止,中國(guó)是百分之百的半導(dǎo)體弱國(guó)。
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瑞薩電子將退出微波半導(dǎo)體器件業(yè)務(wù)
- 瑞薩電子株式會(huì)社近日宣布將退出微波半導(dǎo)體器件業(yè)務(wù),未來(lái)將集中資源,重點(diǎn)發(fā)展化合物產(chǎn)品領(lǐng)域的光電子器件業(yè)務(wù),如光電耦合器、激光二極管和光電二極管等。 1. 退出微波半導(dǎo)體器件業(yè)務(wù)的若干原因 瑞薩電子一直在通過(guò)開發(fā)新產(chǎn)品、降低生產(chǎn)成本以及提升開發(fā)效率等多項(xiàng)舉措大力發(fā)展化合物產(chǎn)品業(yè)務(wù)。 隨著外圍組件功能逐漸集成至片上系統(tǒng),微波半導(dǎo)體器件市場(chǎng)在不斷萎縮,同時(shí)受新興制造商的影響,尤其是臺(tái)灣市場(chǎng),產(chǎn)品價(jià)格也在不斷下降。在此背景下,為繼續(xù)推動(dòng)化合物產(chǎn)品業(yè)務(wù)的發(fā)展,瑞薩電子將很難保持微波半導(dǎo)體器件業(yè)
- 關(guān)鍵字: 瑞薩電子 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體企業(yè)Q2財(cái)報(bào)解讀:模擬芯片整體增速高于行業(yè)平均
- 芯片設(shè)計(jì)海外公司業(yè)績(jī)保持樂(lè)觀 從已披露的設(shè)計(jì)公司Q2財(cái)報(bào)來(lái)看,下游智能手機(jī)需求超之前預(yù)期,繼續(xù)看好汽車電子、服務(wù)器/云端對(duì)相應(yīng)芯片的需求。模擬芯片整體增速高于行業(yè)平均,主要增量下游市場(chǎng):汽車、工業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)。對(duì)海外設(shè)計(jì)公司Q3業(yè)績(jī)的展望,保持樂(lè)觀。映射國(guó)內(nèi)標(biāo)的:全志科技——具有SoC+通信芯片的布局,類比高通;SoC融合了CPU+GPU方案,應(yīng)用于汽車電子,類比NVIDIA。 IDM整體表現(xiàn)低于市場(chǎng)預(yù)期 IDM主要集中于CPU和存儲(chǔ)芯片。兩者的產(chǎn)值占整個(gè)芯片市場(chǎng)
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 模擬芯片
半導(dǎo)體企業(yè)Q2財(cái)報(bào)解讀:模擬芯片整體增速高于行業(yè)平均
- 芯片設(shè)計(jì)海外公司業(yè)績(jī)保持樂(lè)觀 從已披露的設(shè)計(jì)公司Q2財(cái)報(bào)來(lái)看,下游智能手機(jī)需求超之前預(yù)期,繼續(xù)看好汽車電子、服務(wù)器/云端對(duì)相應(yīng)芯片的需求。模擬芯片整體增速高于行業(yè)平均,主要增量下游市場(chǎng):汽車、工業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)。對(duì)海外設(shè)計(jì)公司Q3業(yè)績(jī)的展望,保持樂(lè)觀。映射國(guó)內(nèi)標(biāo)的:全志科技——具有SoC+通信芯片的布局,類比高通;SoC融合了CPU+GPU方案,應(yīng)用于汽車電子,類比NVIDIA。 IDM整體表現(xiàn)低于市場(chǎng)預(yù)期 IDM主要集中于CPU和存儲(chǔ)芯片。兩者的產(chǎn)值占整個(gè)芯片市場(chǎng)
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 芯片
半導(dǎo)體介紹
semiconductor
電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10-5~107歐·米之間,溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多,按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體;化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物(砷化鎵、磷化鎵等)、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]
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