半導(dǎo)體文章最新資訊

晶片制造商期??新技術(shù)撐起晶片業(yè)的復(fù)興

在8月12日出版的《財(cái)富》雜志刊文指出，盡管經(jīng)濟(jì)低迷，2001年晶片市場(chǎng)的銷(xiāo)售萎縮了30%，但是晶片制造商對(duì)新技術(shù)的熱衷并未因此而減退，期??新技術(shù)能夠支撐起晶片業(yè)的復(fù)興
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西進(jìn)大陸是企業(yè)全球化重要策略

臺(tái)灣產(chǎn)業(yè)的西進(jìn)大陸動(dòng)作，引起新政府的諸多疑慮，但此次來(lái)臺(tái)叁與學(xué)術(shù)會(huì)議的美國(guó)知名學(xué)府華盛頓大學(xué)商務(wù)學(xué)院院長(zhǎng)古博達(dá)表示，企業(yè)赴國(guó)外投資是無(wú)可阻擋的全球化趨勢(shì)
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2000年10月10日，Jack Kilby 榮獲諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)

　　Jack?Kilby?所發(fā)明的集成電路使微電子學(xué)成為所有現(xiàn)代技術(shù)的基礎(chǔ)。2000?年，為表彰其在這一領(lǐng)域的突出貢獻(xiàn)，諾貝爾獎(jiǎng)委員會(huì)授予Jack?Kilby??當(dāng)年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。
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2000年5月14日，Maxim成立上海辦事處

　　2000年5月14日，Maxim成立上海辦事處
關(guān)鍵字： Maxim 半導(dǎo)體

1999年3月，信產(chǎn)部研制出國(guó)內(nèi)第一臺(tái)8英寸硅片用擴(kuò)散爐

　　1999年3月，信息產(chǎn)業(yè)部第48所研制出國(guó)內(nèi)第一臺(tái)8英寸硅片用擴(kuò)散爐。
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體硅片

1998年，中興通訊設(shè)立美國(guó)研究所

　　1998年，中興通訊設(shè)立美國(guó)研究所(新澤西、圣地亞哥、硅谷3家)。
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1998年，中興通訊獲巴基斯坦交換總承包項(xiàng)目

　　1998年，中興通訊獲巴基斯坦交換總承包項(xiàng)目，金額為9700萬(wàn)美元，是當(dāng)時(shí)中國(guó)通信制造企業(yè)在海外獲得的最大一個(gè)通信“交鑰匙”工程項(xiàng)目，令世界矚目。
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1997年12月31日，Maxim成立北京辦事處，設(shè)立樣品中心

　　1997年12月31日，Maxim成立北京辦事處，設(shè)立樣品中心
關(guān)鍵字： Maxim 半導(dǎo)體

1997年，中興通訊在深交所A股上市

　　1997年，中興通訊在深交所A股上市。
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1996年1月，首鋼日電技術(shù)升級(jí)項(xiàng)目實(shí)施

　　1996年1月，首鋼日電技術(shù)升級(jí)項(xiàng)目實(shí)施，將中國(guó)IC制造工藝水平提升到6英寸，0.5微米。
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體集成電路

1995年，中興通訊啟動(dòng)國(guó)際化戰(zhàn)略，1996年獲得孟加拉交換總承包項(xiàng)目

　　1995年，中興通訊啟動(dòng)國(guó)際化戰(zhàn)略，1996年獲得孟加拉交換總承包項(xiàng)目。
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1993年3月，國(guó)務(wù)院提出的機(jī)構(gòu)改革方案

　　1993年3月，八屆人大第一次會(huì)議第四次全體會(huì)議審議批準(zhǔn)了國(guó)務(wù)院提出的機(jī)構(gòu)改革方案，其中包括撤銷(xiāo)機(jī)械電子工業(yè)部、中國(guó)電子工業(yè)總公司和組建機(jī)械工業(yè)部、電子工業(yè)部。
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1993年1月，國(guó)務(wù)院國(guó)辦發(fā)【1993】1號(hào)文

　　1993年1月，國(guó)務(wù)院國(guó)辦發(fā)【1993】1號(hào)文《國(guó)務(wù)院辦公廳關(guān)于成立集成電路專(zhuān)項(xiàng)領(lǐng)導(dǎo)小組的通知》。
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1993年，深圳中興新通訊設(shè)備有限公司成立

　　1993年，深圳中興新通訊設(shè)備有限公司成立(由航天系統(tǒng)691廠、深圳廣宇工業(yè)集團(tuán)公司與中興維先通共同投資組建)，首創(chuàng)“國(guó)有民營(yíng)”經(jīng)營(yíng)機(jī)制。
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1989年8月8日，中國(guó)華晶電子集團(tuán)公司成立

　　1989年8月8日，742廠和永川半導(dǎo)體研究所無(wú)錫分所合并成立了中國(guó)華晶電子集團(tuán)公司。
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半導(dǎo)體介紹

semiconductor 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類(lèi)。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]