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半導(dǎo)體
半導(dǎo)體 文章 進(jìn)入半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)
安森美半導(dǎo)體著力汽車重點(diǎn)應(yīng)用領(lǐng)域 持續(xù)開(kāi)拓中國(guó)市場(chǎng)
- 全球汽車市場(chǎng)發(fā)展整體向好,汽車中的半導(dǎo)體含量將持續(xù)增長(zhǎng),尤其是動(dòng)力系統(tǒng)、照明、主動(dòng)安全和車身應(yīng)用領(lǐng)域。新能源汽車推動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)中半導(dǎo)體成分增高約5倍。燃油經(jīng)濟(jì)性、先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)、便利及信息娛樂(lè)系統(tǒng),以及占全球汽車銷售比例50%以上的新興市場(chǎng),推動(dòng)全球汽車半導(dǎo)體市場(chǎng)同比增長(zhǎng)7%。 安森美半導(dǎo)體寬廣陣容的汽車電子方案 作為全球領(lǐng)先的十大高能效汽車硅方案供應(yīng)商之一,安森美半導(dǎo)體提供一系列寬廣陣容的產(chǎn)品及方案用于汽車應(yīng)用,從分立元件到標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品,再到專用標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品(ASSP)、專用集成
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半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)合并大案終止不改整合大勢(shì)
- 引起全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)關(guān)注的“世紀(jì)大合并”——排名第一的半導(dǎo)體設(shè)備廠商美國(guó)應(yīng)用材料(Applied Materials)和排名第三的日本東電電子(Tokyo Electron)合并案,在最后關(guān)頭意外生變,由于美國(guó)司法部對(duì)兩家公司的合并提出異議,合并案就此終止。 4月26日,兩家公司均在公司網(wǎng)站上發(fā)布公告,宣布雙方已經(jīng)同意終止商業(yè)合并協(xié)議。應(yīng)用材料公司總裁兼首席執(zhí)行官蓋瑞·狄克森表示:“我們視合并為加速公司市場(chǎng)戰(zhàn)略的重要機(jī)遇,并
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全球最大規(guī)模!三星半導(dǎo)體生產(chǎn)線正式動(dòng)工
- 三星電子近2年來(lái)業(yè)績(jī)不佳,但此一投資案的動(dòng)工顯示,面對(duì)臺(tái)灣與中國(guó)半導(dǎo)體廠商的競(jìng)爭(zhēng),三星對(duì)競(jìng)逐半導(dǎo)體市場(chǎng)的雄心依然不減。 三星電子全球規(guī)模最大的半導(dǎo)體生產(chǎn)線7日在韓國(guó)京畿道平澤市正式開(kāi)工興建。這是三星電子自2012年在京畿道華城市落成半導(dǎo)體生產(chǎn)線以后,時(shí)隔3年,再次投入鉅額資金在韓國(guó)建設(shè)大規(guī)模生產(chǎn)線。 三星電子預(yù)計(jì)在2017年對(duì)該項(xiàng)目投入15.6兆韓元(臺(tái)幣4680億元),創(chuàng)下該公司半導(dǎo)體生產(chǎn)線最大投資規(guī)模。據(jù)三星和京畿道政府方面預(yù)測(cè),該項(xiàng)目創(chuàng)造的經(jīng)濟(jì)效益將達(dá)41兆韓元,可創(chuàng)造出15萬(wàn)個(gè)就業(yè)
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晶圓代工成長(zhǎng) 強(qiáng)過(guò)整體半導(dǎo)體
- 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈通常可分為IC設(shè)計(jì)、IC制造、IC封裝、IC測(cè)試4大部份,投資額最大的非IC制造莫屬,尤其是先進(jìn)制程的晶圓生產(chǎn)設(shè)備的投資金額驚人,IC制造先進(jìn)晶圓廠已成為少數(shù)有錢的公司方能投資興建的高門檻產(chǎn)業(yè)。 估晶圓代工產(chǎn)值年增15% 即使是成熟制程,晶圓廠的投資也是以數(shù)億美金起跳,許多中小型IC設(shè)計(jì)公司無(wú)法自己興建晶圓廠,不僅是建廠投資金額龐大,而且自己的產(chǎn)品也無(wú)法填滿產(chǎn)能,加上晶圓廠的管理及制程研發(fā),再再需要各種專業(yè)人才,這使晶圓代工(Foundry)產(chǎn)業(yè)應(yīng)運(yùn)而生,成為IC制造業(yè)中的
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KLA-Tencor 為先進(jìn)半導(dǎo)體封裝推出新的系列產(chǎn)品
- 今天,KLA-Tencor 公司宣布推出兩款新產(chǎn)品,可支持先進(jìn)半導(dǎo)體封裝技術(shù)檢測(cè):CIRCL-AP™ 和 ICOS® T830。CIRCL-AP 針對(duì)晶圓級(jí)封裝中多種工藝制程的檢測(cè)與工藝控制而設(shè)計(jì),不僅擁有高產(chǎn)量,還能進(jìn)行全表面晶圓缺陷檢測(cè)、檢查和測(cè)量。ICOS T830 可提供集成電路 (IC) 封裝的全自動(dòng)化光學(xué)檢測(cè),利用高度靈敏的 2D 和 3D 來(lái)測(cè)量廣范的器件類型和不同尺寸的最終封裝品質(zhì)。這兩款系統(tǒng)都可以幫助 IC 制造商和封測(cè)代工廠 (OSAT) 在采用創(chuàng)新的封裝技術(shù)時(shí)
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北美半導(dǎo)體B/B值 拔高到1.1
- 即使英特爾、臺(tái)積電(2330)等半導(dǎo)體巨擘接連調(diào)降資本支出,國(guó)際半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)新公布3月北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商訂單出貨比(B/B Ratio),逆勢(shì)攻高至1.1,追平去年6月以來(lái)新高,讓市場(chǎng)對(duì)于今年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的景氣稍稍松了口氣。 而在B/B值走揚(yáng)激勵(lì)下,今日半導(dǎo)體族群也多翻揚(yáng),臺(tái)積電、聯(lián)電(2303)、日月光(23110、世界(5347)等開(kāi)盤都有1%左右的漲幅,設(shè)備股漢微科(3658)也呈現(xiàn)開(kāi)高走高,一度從開(kāi)盤的上漲20元迅速拉高至上漲120元,股價(jià)飛越2000元大關(guān)。 根
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半導(dǎo)體制程競(jìng)賽 臺(tái)IC設(shè)計(jì)業(yè)者多數(shù)觀望
- 臺(tái)積電2015年全力把主力制程由28納米轉(zhuǎn)進(jìn)20納米,接著將沖刺16納米,甚至10納米量產(chǎn)時(shí)程提前到2016年底,北美及大陸IC設(shè)計(jì)業(yè)者亦紛動(dòng)起來(lái),包括高通(Qualcomm)、Avago、Xilinx、Altera、NVIDIA及超微(AMD)等均提出最新產(chǎn)品及技術(shù)藍(lán)圖,大陸海思及展訊亦跟進(jìn),展訊甚至計(jì)劃跳過(guò)20納米世代,直沖16納米技術(shù),但臺(tái)系IC設(shè)計(jì)業(yè)者除了聯(lián)發(fā)科打算砸重金參賽外,多數(shù)臺(tái)系業(yè)者在這場(chǎng)制程競(jìng)賽選擇觀望。 臺(tái)系微控制器(MCU)芯片供應(yīng)商透露,在28納米制程世代已很少看到臺(tái)系I
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 IC設(shè)計(jì)
聯(lián)發(fā)科:我們需要更多博士
- 去年聯(lián)發(fā)科面臨大陸IC設(shè)計(jì)廠展訊激烈挖角,且離職員工疑似竊取公司機(jī)密,掀起轟動(dòng)兩岸半導(dǎo)體界的“袁帝文事件”;昨天TSIA年會(huì)上,聯(lián)發(fā)科資深副總張垂弘不時(shí)被問(wèn)及陸企崛起對(duì)聯(lián)發(fā)科的影響。 不過(guò),張垂弘說(shuō),聯(lián)發(fā)科不怕與強(qiáng)者競(jìng)爭(zhēng),公平的競(jìng)爭(zhēng)也會(huì)讓聯(lián)發(fā)科變強(qiáng),面臨海思這樣可敬的對(duì)手,我們需要更多的博士,盼年青人念博士共同捍衛(wèi)臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)先地位。 提及大陸半導(dǎo)體廠的威脅,一同在座談會(huì)上的玉山科技協(xié)會(huì)理事長(zhǎng)王伯元指出,臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)相對(duì)于大陸仍居領(lǐng)先,是臺(tái)灣一個(gè)寶,不過(guò),在
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張忠謀:臺(tái)灣半導(dǎo)體不能拱手讓人
- 臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀昨表示,臺(tái)中大肚山投資案預(yù)計(jì)六月動(dòng)土,明年中完工,以十奈米為主;他強(qiáng)調(diào),很多先進(jìn)國(guó)家都很痛心早期沒(méi)有投資或吸引半導(dǎo)體大廠投資,中國(guó)現(xiàn)在更急起直追,搶著要發(fā)展半導(dǎo)體,臺(tái)灣千萬(wàn)不要拱手讓人。 南山人壽昨在臺(tái)中市政府舉行“城市經(jīng)濟(jì)新愿景論壇”,邀請(qǐng)張忠謀、臺(tái)中市長(zhǎng)林佳龍等人演講。林佳龍表示,未來(lái)將積極透過(guò)大臺(tái)中一二三政策、發(fā)展水湳經(jīng)貿(mào)園區(qū)及光學(xué)產(chǎn)業(yè)等,強(qiáng)化臺(tái)中與國(guó)際的連結(jié)。張忠謀則指出,位在臺(tái)中的十五廠是臺(tái)積電第三大基地,生產(chǎn)廿八奈米,是有史以來(lái)最成功的技術(shù)。
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 張忠謀
一顆2億年前的“芯片”化石顛覆人類歷史?

- 俄羅斯《莫斯科共青團(tuán)員報(bào)》4月14日發(fā)表題為《俄羅斯科學(xué)家發(fā)現(xiàn)2.5億年前的芯片化石》的文章稱,俄羅斯拉賓斯克市郊有了奇怪的發(fā)現(xiàn)。它是標(biāo)志著重新審視人類歷史的開(kāi)端,還是媒體炒作的又一個(gè)誤會(huì)? 這枚神秘芯片的發(fā)現(xiàn)純屬偶然。當(dāng)?shù)鼐用窬S克托·莫羅佐夫在捕魚時(shí)撿到了一塊有奇怪斑點(diǎn)的石頭,并把它交給了新切爾卡斯克工業(yè)大學(xué)的專家。 科學(xué)家進(jìn)行了一系列測(cè)試,但沒(méi)有取出石頭中的物體,以防損壞。他們得出結(jié)論,這是一枚在2.25億至2.5億年前用納米技術(shù)制成的芯片,與我們今天使用的芯片類似。
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2015年三星半導(dǎo)體資本支出規(guī)劃

- DIGITIMES Research觀察2015年兩大韓國(guó)半導(dǎo)體業(yè)者資本支出規(guī)劃,三星電子(Samsung Electronics)將創(chuàng)新高紀(jì)錄,達(dá)150億美元水平,SK海力士(SK Hynix)則將與2014年持平,維持在51億美元。2015年三星半導(dǎo)體事業(yè)資本支出將連續(xù)6年居全球之冠,其中,含晶圓代工在內(nèi)的系統(tǒng)IC資本支出 將自2014年29億美元增加至近40億美元,除啟用韓國(guó)華城廠第17產(chǎn)線外,2015年將持續(xù)在美國(guó)奧斯丁等廠房建構(gòu)14納米先進(jìn)制程產(chǎn)能,以和臺(tái)積電 及英特爾(Intel)展開(kāi)16
- 關(guān)鍵字: 三星 半導(dǎo)體
恩智浦成立中國(guó)區(qū)總部
- 智浦半導(dǎo)體宣布將其在上海注冊(cè)成立的恩智浦半導(dǎo)體(上海)有限公司變更為“恩智浦(中國(guó))管理有限公司”(簡(jiǎn)稱“恩智浦中國(guó)”)。恩智浦中國(guó)將整合恩智浦在中國(guó)市場(chǎng)的所有資源和業(yè)務(wù),并把經(jīng)營(yíng)范圍拓展至投資經(jīng)營(yíng)決策、資金運(yùn)作和財(cái)務(wù)管理等更為廣闊的領(lǐng)域。此次結(jié)構(gòu)變更將有利于恩智浦深入耕耘和支持本地市場(chǎng),為中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)及相關(guān)應(yīng)用行業(yè)發(fā)展做出持久貢獻(xiàn)。 對(duì)于中國(guó)區(qū)總部的成立,恩智浦半導(dǎo)體首席執(zhí)行官Rick Clemmer先生表示:“中國(guó)市場(chǎng)是恩智浦全球
- 關(guān)鍵字: 恩智浦 半導(dǎo)體 201504
IBM軟件定義基礎(chǔ)架構(gòu)如何加速半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展?

- 如今,IT的角色正悄然發(fā)生著變化。以前,IT是企業(yè)的成本中心,是業(yè)務(wù)的后端支撐平臺(tái)。但是現(xiàn)在, IT與業(yè)務(wù)之間的聯(lián)系越來(lái)越緊密,IT不僅可以促進(jìn)業(yè)務(wù)的創(chuàng)新與發(fā)展,而且在某些條件下,IT本身就成了業(yè)務(wù)的一部分,可以給企業(yè)帶來(lái)直接的經(jīng)濟(jì)效益。 在這樣的背景下,許多以IT支撐服務(wù)為主的數(shù)據(jù)中心服務(wù)提供商也開(kāi)始轉(zhuǎn)型為提供增值服務(wù)的數(shù)據(jù)中心服務(wù)商,而提供增值服務(wù)無(wú)可避免地就要將IT與應(yīng)用更緊密地結(jié)合在一起。 最近比較熱的一個(gè)詞就是“新常態(tài)”,這個(gè)詞主要針對(duì)的是金融領(lǐng)域。而在上
- 關(guān)鍵字: IBM 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體介紹
semiconductor
電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10-5~107歐·米之間,溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多,按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體;化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物(砷化鎵、磷化鎵等)、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]
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