半導(dǎo)體文章最新資訊

芯片業(yè)萎靡 09年第一季度可能是產(chǎn)業(yè)底部

在過去一段時間全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)連續(xù)遭受沖擊，雖然境況似乎還沒有“探底”，但距離“底部”已經(jīng)非常接近。張忠謀表示：“我認為可能到2012年前，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值才能恢復(fù)到2008年的水平”。上個月，臺積電宣布其2008年第四季度利潤同比下降64%，銷量下降31%。臺
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半導(dǎo)體材料業(yè)：市場低迷正是創(chuàng)新好時機

當(dāng)前的國際金融危機使得電子產(chǎn)品的需求急劇萎縮，對整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)造成嚴重沖擊。半導(dǎo)體材料行業(yè)作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的最上游，也受到了最直接的沖擊，今年半導(dǎo)體材料行業(yè)將很有可能出現(xiàn)7年來的首次負增長。但是，“危機”也意味著“危”中藏“機”，一方面當(dāng)前的國際金融危機對國內(nèi)企業(yè)來說，使其產(chǎn)品更具有價格和本地化優(yōu)勢；另一方面，危機也給企業(yè)提供了抓緊時間，修煉內(nèi)功的良
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半導(dǎo)體級和太陽能級產(chǎn)品并重發(fā)展

萬向硅峰電子股份有限公司總經(jīng)理周青云今年要穩(wěn)定并逐步提高現(xiàn)有的半導(dǎo)體級產(chǎn)品市場，積極開拓光伏太陽能產(chǎn)品市場，基本實現(xiàn)半導(dǎo)體級產(chǎn)品和太陽能級產(chǎn)品并重發(fā)展。當(dāng)前面臨的形勢十分復(fù)雜，既
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封裝技術(shù)創(chuàng)新向芯片制造延伸

2008年9月，國際金融危機開始蔓延，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)受了近20年來最嚴峻的挑戰(zhàn)，中國集成電路產(chǎn)業(yè)也同樣感受到了來自全球的危機，首次出現(xiàn)負增長，在中國集成電路產(chǎn)業(yè)中占據(jù)舉足輕重地位的封裝業(yè)也沒能幸免。有資料顯示，2008年我國封裝業(yè)同比增長為-1.4%，第一次出現(xiàn)的負增長讓中國封裝業(yè)開始重新審視自己，創(chuàng)新成為發(fā)展主旋律。
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飛索半導(dǎo)體將裁員3000人

據(jù)國外媒體報道，美國閃存制造商飛索半導(dǎo)體(Spansion)將裁員3000人，以試圖每年節(jié)省2.25億美元開支，應(yīng)對全球芯片業(yè)面臨深度衰退的危機。該公司目前負債累累，并考慮出售。　　飛索半導(dǎo)體受存儲市場價格下滑和庫存高企打壓，其周一表示計劃在其全球制造點裁員，縮小公司規(guī)模，并在2009年上半年產(chǎn)生2500萬美元現(xiàn)金費用。　　飛索本月任命了新的首席執(zhí)行官，并聘請巴克萊資本探求出售機會。該公司在閃存市場上的競爭對手包
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美法院允許海力士繼續(xù)在美銷售DRAM內(nèi)存芯片

北京時間2月24日晚間消息，據(jù)國外媒體報道，美國聯(lián)邦法院法官羅納德·懷特(Ronald Whyte)今天裁定，韓國海力士半導(dǎo)體公司(以下簡稱“海力士”)可以繼續(xù)在美國銷售其DRAM內(nèi)存芯片產(chǎn)品。　　懷特拒絕了美國內(nèi)存芯片制造商Rambus提出的禁止海力士在美國銷售DRAM內(nèi)存芯片的請求。這一裁定是海力士獲得的一大勝利。美國券商Capstone Investments分析師杰夫&m
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持續(xù)創(chuàng)新能力決定IC設(shè)計企業(yè)未來

中國IC企業(yè)在產(chǎn)品創(chuàng)新上并不弱于國外，但在創(chuàng)新的持續(xù)性上，尚有較大差距，要獲得更長遠的發(fā)展，中國IC企業(yè)必須認識到持續(xù)創(chuàng)新的重要性，做好短期收益與長期發(fā)展的平衡。　　半導(dǎo)體市場的低迷和國際金融危機的影響不但使中國IC設(shè)計業(yè)的未來發(fā)展受到不利影響，而且當(dāng)前的生存也面臨挑戰(zhàn)。在如此嚴峻的形勢下，企業(yè)如何通過創(chuàng)新提高競爭力水平成為業(yè)內(nèi)關(guān)注的焦點。　　國內(nèi)企業(yè)缺乏持續(xù)創(chuàng)新能力　　要解決當(dāng)前的發(fā)展問題就必須先了解中國I
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臺灣DRAM整合初露端倪 Taiwan Memory呼之欲出

據(jù)DigiTimes網(wǎng)站報道，臺灣政府主導(dǎo)整合DRAM產(chǎn)業(yè)計劃，扮演整合平臺的新公司名稱敲定為Taiwan Memory，簡稱TMC或TMI(視其為Company或Inc.)，政府高層傾向新DRAM公司由新的經(jīng)營團隊進駐，“經(jīng)濟部”正緊鑼密鼓尋找適當(dāng)人選。據(jù)業(yè)者透露，原本規(guī)劃董座人選是臺積電董事長張忠謀或宏碁榮譽董事長施振榮，然此2人意愿不高，目前可能出線者包括臺灣玉山科技協(xié)會理事長、國發(fā)基金管理
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SEMI：北美半導(dǎo)體設(shè)備市場2009年1月份訂單出貨比為0.48 訂單額降至1991年來最低點

SEMI日前公布了2009年1月份北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商訂單出貨比報告。按三個月移動平均額統(tǒng)計，1月份北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商訂單額為2.856億美元，訂單出貨比為0.48。訂單出貨比為0.48意味著該月每出貨價值100美元的產(chǎn)品可獲得價值48美元的訂單。報告顯示，1月份2.856億美元的訂單額較去年12月份5.791億美元最終額減少51％，較2008年1月份的11.4億美元最終額減少75％。
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日本IC制造商整合生產(chǎn)線

日本半導(dǎo)體業(yè)也呈現(xiàn)赤字，所以計劃整合老的生產(chǎn)線。Fujitsu，NEC及瑞薩等都列出關(guān)閉老的生產(chǎn)線計劃。正在討論SoC制造技術(shù)合并的NEC和東芝首席執(zhí)行管表明了繼續(xù)整合的決心，并聲言要達成目標。日本半導(dǎo)體制造商宣布一項關(guān)閉老的生產(chǎn)線和減少重復(fù)生產(chǎn)等結(jié)構(gòu)重組計劃，NEC及東芝首席執(zhí)行管表示正在討論它們的SoC生產(chǎn)兼并問題，并聲稱在取得
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臺積電董事長張忠謀：半導(dǎo)體業(yè)仍未觸底

??????? 據(jù)人民網(wǎng)報道，臺積電公司董事長張忠謀近日稱，全球半導(dǎo)體行業(yè)尚未觸底，預(yù)計3年內(nèi)難以完全擺脫低迷狀態(tài)。 ??????? 張忠謀在接受媒體采訪時表示，遭到全球經(jīng)濟放緩沉重打擊的半導(dǎo)體行業(yè)已非常接近底部，但要使銷售額恢復(fù)到當(dāng)前這輪跌勢前的水平卻需要一個漫長的過程。他預(yù)計半導(dǎo)體行業(yè)收入要到2012年才能恢復(fù)到08年的水平。 ??&nbs
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中美合作納米激光器研究獲進展

記者從湖南大學(xué)獲悉，該校微納技術(shù)研究中心教授鄒炳鎖領(lǐng)銜的納米光子學(xué)小組與美國亞利桑那州立大學(xué)教授寧存政領(lǐng)銜的納米光子學(xué)小組合作，將半導(dǎo)體激光芯片調(diào)諧范圍擴大，成功演示出500納米綠光直至700納米紅光，創(chuàng)下一個新的半導(dǎo)體激光器調(diào)諧范圍的世界紀錄，與原來調(diào)諧范圍最長僅幾十納米相比實現(xiàn)了重大突破。該成果論文發(fā)表在最近一期國際學(xué)術(shù)期刊《納米快報》（NanoLetters）上。
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IMEC將在SPIE會議上發(fā)布下一代半導(dǎo)體微光刻研究進展

??????? IMEC將于2月23日至27日在美國加州San Jose舉行的SPIE先進微光刻會議上展現(xiàn)半導(dǎo)體光刻研究中最新的研發(fā)突破。 ??????? IMEC將在會上發(fā)表26片論文。這些論文報道了IMEC及其世界領(lǐng)先的EUV和雙版光刻技術(shù)合作伙伴在32nm以下節(jié)點光刻技術(shù)中所獲得的成果。光刻技術(shù)的一系列挑戰(zhàn)都在這些論文中有所涉及，包括材料、制造工藝、測量、檢測
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汽車電子行業(yè)中小企業(yè)“批量死亡”

“汽車電子行業(yè)的競爭正在加劇，未來很多中小公司將可能批量死亡，市場很可能出現(xiàn)大廠商通吃的局面。”一位行業(yè)專家近日對記者爆料說。實際上，這種傳聞由來已久，最主要的引線是汽車工業(yè)內(nèi)的兩大領(lǐng)先半導(dǎo)體供應(yīng)商飛思卡爾和意法半導(dǎo)體連手合作。中國汽車保有量的急劇上升，是推動行業(yè)競合和洗牌的根本驅(qū)動力。回顧這個爆炸事件，我們
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中國電源管理IC市場不懼芯片產(chǎn)業(yè)放緩

??????? 盡管2009年以兩位數(shù)的速度下滑，但預(yù)計該市場將在下半年反彈，增長速度將超過全球芯片產(chǎn)業(yè)。 ??????? 據(jù)iSuppli公司，盡管預(yù)計2009年中國電源管理IC市場營業(yè)額跌幅將達到兩位數(shù)，但預(yù)計下半年將出現(xiàn)反彈，并在未來幾年以健康的速度增長。 ??????? 2009年中國出
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半導(dǎo)體介紹

semiconductor 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細 ]