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富士通半導(dǎo)體推出耐壓150V的GaN功率器件產(chǎn)品

  • 富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司日前宣布，推出基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A，該芯片可耐壓150 V。富士通半導(dǎo)體將于2013年7月起開始提供新品樣片。該產(chǎn)品初始狀態(tài)是斷開(Normally-off)，相比于同等耐壓規(guī)格的硅功率器件，品質(zhì)因數(shù)(FOM)可降低近一半。
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瑞薩針對(duì)配有微型隔離器的IGBT驅(qū)動(dòng)器發(fā)布智能功率器件

  • 　　微型隔離器的應(yīng)用可進(jìn)一步縮小電動(dòng)及混合動(dòng)力汽車功率逆變器的體積 　　瑞薩電子公司開發(fā)的配有內(nèi)置式微型隔離器的 IGBT 驅(qū)動(dòng)器智能器件 　　日本東京訊-全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體及解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社(TSE：6723)今天宣布開發(fā)出了隔離型IGBT驅(qū)動(dòng)器的R2A25110KSP智能型功率器件， 適用于電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車功率逆變器。R2A25110KSP中融入了瑞薩電子公司最新開發(fā)的微型隔離器隔離專項(xiàng)技術(shù)。這些技術(shù)可為汽車應(yīng)用系統(tǒng)建立更可靠、更緊湊的系統(tǒng)。 　　用于驅(qū)動(dòng)電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車中的電機(jī)
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如何解決驅(qū)動(dòng)單元設(shè)計(jì)中的電磁兼容問題

  • 電磁干擾一般通過空間輻射和通過導(dǎo)線傳導(dǎo)，在工程領(lǐng)域一直是人們要解決的難題和研究熱點(diǎn)。驅(qū)動(dòng)單元作為大功率...
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常用功率器件MOSFET的基礎(chǔ)知識(shí)介紹

  • 常用功率器件MOSFET的基礎(chǔ)知識(shí)介紹,我們都懂得如何利用二極管來實(shí)現(xiàn)開關(guān)，但是，我們只能對(duì)其進(jìn)行開關(guān)操作，而不能逐漸控制信號(hào)流。此外，二極管作為開關(guān)取決于信號(hào)流的方向;我們不能對(duì)其編程以通過或屏蔽一個(gè)
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IR潘大偉：善用功率器件，為節(jié)能設(shè)計(jì)保駕護(hù)航

  • 在可以預(yù)見的未來，電能將會(huì)成為我們主要的消耗能源。大至高速列車，小至手機(jī)，都不能脫離電能而存在。無論什么類 ...
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揚(yáng)州：電子制造業(yè)“三分天下”推動(dòng)經(jīng)濟(jì)發(fā)展

  • 　　揚(yáng)州電子信息產(chǎn)業(yè)近年來快速發(fā)展，從電線電纜獨(dú)大，到新能源和新光源產(chǎn)業(yè)崛起，“三分天下”格局初成。目前，電線電纜約占1/3，新光源和新能源各占20%強(qiáng)，電子信息制造業(yè)結(jié)構(gòu)趨于合理。未來將通過規(guī)劃引導(dǎo)、項(xiàng)目推動(dòng)、創(chuàng)新突破等3大舉措，促進(jìn)電子制造業(yè)加快發(fā)展。 　　布局3大產(chǎn)業(yè) 　　揚(yáng)州電子制造業(yè)形成電線電纜、新光源、新能源3大產(chǎn)業(yè)齊頭并進(jìn)新格局，結(jié)構(gòu)得到優(yōu)化。 　　目前，揚(yáng)州光伏新能源產(chǎn)業(yè)已形成電子級(jí)高純度多晶硅、單晶硅、硅片、電池片、組件全產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)能力，多晶硅太陽能電池年產(chǎn)
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隔離驅(qū)動(dòng)IGBT和PowerMOSFET等功率器件所需要的一些技巧

  • 功率器件，如IGBT，PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等等，都需要有充分的保護(hù)，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效...
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功率器件IGBT應(yīng)用中的常見問題解決方法

  • 1 引言80年代問世的絕緣柵雙極性晶體管IGBT是一種新型的電力電子器件，它綜合了gtr和MOSFET的優(yōu)點(diǎn)，控制方便、開關(guān)速度快、工作頻率高、安全工作區(qū)大。隨著電壓、電流等級(jí)的不斷提高，IGBT成為了大功率開關(guān)電源、變頻
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如何準(zhǔn)確選擇功率器件二

  • 第三步：確定熱要求　　選擇MOSFET的下一步是計(jì)算系統(tǒng)的散熱要求。設(shè)計(jì)人員必須考慮兩種不同的情況，即最壞情 ...
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如何準(zhǔn)確選擇功率器件一

  • 所謂功率半導(dǎo)體器件，以前也被稱為電力電子器件，簡單來說，就是進(jìn)行功率處理的，具有處理高電壓，大電流能力的半導(dǎo)體 ...
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隔離驅(qū)動(dòng)IGBT和Power MOSFET等功率器件所需的技巧二

  • 11、請(qǐng)問：HCPl-316產(chǎn)品如何做到短路時(shí)軟關(guān)斷？謝謝！　　HCPL-316J 飽和閾值的頂點(diǎn)設(shè)置在7V，這是對(duì)通過一個(gè)比較 ...
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隔離驅(qū)動(dòng)IGBT和Power MOSFET等功率器件所需的技巧

  • 功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保護(hù)，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效 ...
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Diodes霍爾開關(guān)有效優(yōu)化敏感度

  • Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出四款全極性霍爾效應(yīng)開關(guān)，其磁場檢測的敏感度適合于多種產(chǎn)品設(shè)計(jì)的接近效應(yīng)與位置檢測功能。這些微功率器件也為電池及低功率操作進(jìn)行了優(yōu)化，在3V供電下一般僅消耗24 μW。
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國產(chǎn)IGBT廠商開始小批量銷售

  • 　　“十二五”規(guī)劃出臺(tái)以后，國家對(duì)新能源、新型軌道交通等新興行業(yè)的發(fā)展非常重視，同時(shí)，“節(jié)能減排”工作也深入開展，中國開始從粗放型用電到精細(xì)化用電轉(zhuǎn)型。包括IGBT等半導(dǎo)體功率器件作為關(guān)鍵部件，受到了國家的重視，近兩年更是列入國家重大科技專項(xiàng)中提供多方位的支持。 　　絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是繼雙極晶體管(GTR)和MOSFET后的第三代功率半導(dǎo)體分立器件，具有易于驅(qū)動(dòng)、峰值電流容量大、自關(guān)斷、開關(guān)頻率高的特點(diǎn)，廣泛用于小體積、高效率的變頻電源、電機(jī)
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富士通半導(dǎo)體明年計(jì)劃量產(chǎn)GaN功率器件

  • 　　上海，2012年11月20日 –富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實(shí)現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，富士通半導(dǎo)體計(jì)劃將于2013年下半年開始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用，對(duì)實(shí)現(xiàn)低碳社會(huì)做出重大貢獻(xiàn)。 　　與傳統(tǒng)硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有導(dǎo)通電阻低和能夠進(jìn)行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉(zhuǎn)換效率，并使電源單元更加緊湊。富士通半導(dǎo)體計(jì)劃在硅基板上進(jìn)行GaN功率器件的商業(yè)化
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功率器件介紹

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