新聞中心

EEPW首頁 > 模擬技術(shù) > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 綠色電源需求攀升 高性能功率器件看俏

綠色電源需求攀升 高性能功率器件看俏

作者: 時(shí)間:2013-11-18 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

日前,電子發(fā)燒友網(wǎng)攜手飛兆半導(dǎo)體等業(yè)界五大知名廠商,成功舉辦“2013電源管理技術(shù)研討會(huì)”,200多位技術(shù)研發(fā)工程師積極參與,同行業(yè)領(lǐng) 袖和技術(shù)專家圍繞系統(tǒng)解決方案、電源設(shè)計(jì)軟件工具、電源電路保護(hù)、平板、手機(jī)散熱以及電源測(cè)試展開互動(dòng)討論,共同探討技術(shù)發(fā)展和產(chǎn)業(yè)前景。

  會(huì)上,飛兆半導(dǎo)體技術(shù)行銷部高級(jí)工程師閔江威先生發(fā)表精彩演講,詳細(xì)介紹了飛兆半導(dǎo)體系統(tǒng)解決方案,包括分立式解決方案--IGBT、超級(jí)結(jié)MOSFET和新型碳化硅晶體管解決方案,與會(huì)觀眾收獲頗多。

  圖1:飛兆半導(dǎo)體技術(shù)行銷部高級(jí)工程師閔江威先生

  圖1:飛兆半導(dǎo)體技術(shù)行銷部高級(jí)工程師閔江威先生

   在節(jié)能和綠色的大趨勢(shì)下、在各機(jī)構(gòu)和政府制定的規(guī)范推動(dòng)下,電源和電子設(shè)備必須遵守強(qiáng)制性能效規(guī)范,以及智能便攜設(shè)備小型化多功能的發(fā)展趨勢(shì),要求電源 與電源管理必須提高電源效率、降低待機(jī)功耗、改善功率因數(shù)、高功率密度、高可靠性、高集成度、小尺寸、智能化、安全和低成本。電源制造商、半導(dǎo)體制造商均 積極開發(fā)能夠提高效率的新型解決方案。

  飛兆半導(dǎo)體MOSFET技術(shù)開發(fā)工程師Jaegil Lee先生表示,由于增加了便攜式設(shè)備的使用,在目前的電力系統(tǒng)中,對(duì)于電信網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)建設(shè)(3G / LTE LTE-A通訊網(wǎng)絡(luò))和云系統(tǒng)的各種需求正成為核心議題。因此,針對(duì)電信基礎(chǔ)建設(shè)和計(jì)算包括云系統(tǒng),對(duì)于能夠滿足來自電源管理應(yīng)用各種要求的半導(dǎo)體產(chǎn)品和 電子產(chǎn)品需求也已增加。尤其在大中華區(qū),華為(Huawei)、中興(ZTE)和聯(lián)想(Lenovo)專注于電信和計(jì)算電源業(yè)務(wù)。

  為了滿足此市場(chǎng)中對(duì)更高功率等級(jí)、效率、功率密度等要求,半導(dǎo)體供應(yīng)商正致力于為市場(chǎng)提供采用小型化封裝的高開關(guān)速度、大電流、低RDS(ON)的SJ/MV MOS, IGBT器件。

  而且,來自目前材料(例如,硅)的上述既有器件的局限性可以通過下一代寬帶隙半導(dǎo)體產(chǎn)品,比如SiC和GaN開關(guān)來克服,它們將會(huì)在不久的將來應(yīng)用于這個(gè)市場(chǎng)中。

 綠色電源需求攀升 高性能功率器件看俏 

  圖2:飛兆半導(dǎo)體MOSFET技術(shù)開發(fā)工程師Jaegil Lee先生

  IGBT、MOSFET解決功率管理的挑戰(zhàn)

   功率管理的發(fā)展重心將逐漸集中在能效方面。飛兆半導(dǎo)體的高能效解決方案在應(yīng)對(duì)當(dāng)前功率管理挑戰(zhàn)方面扮演著關(guān)鍵的角色。飛兆半導(dǎo)體推出的場(chǎng)截止IGBT具 備高電流能力、低傳導(dǎo)損耗和低開關(guān)損耗、易于并聯(lián)運(yùn)行的正溫度系數(shù)、最大結(jié)溫: Tj=175℃ 、良好的一致性、更大的SOA(安全工作區(qū))等優(yōu)勢(shì),能夠在高頻應(yīng)用中滿足低能量損耗的要求。

  飛兆半導(dǎo)體MOSFET技術(shù)開發(fā)工程師 Jaegil Lee先生表示,我們相信飛兆的600V平面型場(chǎng)截止 (Field Stop Planar) IGBT是能夠用來滿足客戶需求的最好產(chǎn)品之一。對(duì)于高頻應(yīng)用中的低能量損耗要求,飛兆的600 V平面型場(chǎng)截止(Field Stop Planar) IGBT為客戶提供了解決方案。為繼續(xù)滿足客戶對(duì)于高功率密度的期望,并兼容各種市場(chǎng)應(yīng)用,飛兆在2012年推出了650 V溝槽型場(chǎng)截止(Field Stop Trench) IGBT。其目標(biāo)應(yīng)用為工作在中頻開關(guān)頻率上的不間斷電源(uninterruptable power supply,UPS)和電焊機(jī)應(yīng)用。650 V溝槽型場(chǎng)截止(Field Stop Trench) IGBT擁有非常嚴(yán)格的關(guān)鍵參數(shù)控制,并通過加固設(shè)計(jì)來來保證短路特性來滿足目標(biāo)應(yīng)用。

  飛兆650 V溝槽型場(chǎng)截止(Field Stop Trench) IGBT會(huì)繼續(xù)在高頻應(yīng)用中降低能量損耗和降低EMI等級(jí)等方面發(fā)展。

  超

電焊機(jī)相關(guān)文章:電焊機(jī)原理

上一頁 1 2 下一頁

關(guān)鍵詞: 綠色電源 高性能 功率器件

評(píng)論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉