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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 功率器件

功率器件熱設計基礎（八）——利用瞬態(tài)熱阻計算二極管浪涌電流

  • / 前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。上一篇講了兩種熱等效電路模型，Cauer模型和Foster模型，這一篇以二極管的浪涌電流為例，講清瞬態(tài)熱阻曲線的應用。浪涌電流二極管的浪涌電流能力是半導體器件的一個重要參數(shù)。在被動整流應用中，由于電網的頻率是50Hz，因此10ms的二極管電流
  • 關鍵字： 英飛凌  功率器件  瞬態(tài)熱阻  

博世將獲美芯片補貼擴產SiC半導體

  • 據媒體報道，美國商務部13日宣布，已與德國汽車零部件供應商博世達成初步協(xié)議，向其提供至多2.25億美元補貼，用于在加州生產碳化硅（SiC）功率半導體。據悉，這筆資金將支持博世計劃的19億美元投資，改造其位于加州羅斯維爾的工廠，以生產碳化硅功率半導體。此外，美國商務部還將為博世提供約3.5億美元政府貸款。博世計劃于 2026 年開始生產 SiC 芯片，據估計，該項目一旦全面投入運營，可能占美國SiC制造產能的40%以上。
  • 關鍵字： 博世  碳化硅  功率器件  

羅姆、臺積電就車載氮化鎵 GaN 功率器件達成戰(zhàn)略合作伙伴關系

  • 12 月 12 日消息，日本半導體制造商羅姆 ROHM 當?shù)貢r間本月 10 日宣布同臺積電就車載氮化鎵 GaN 功率器件的開發(fā)和量產事宜建立戰(zhàn)略合作伙伴關系。羅姆此前已于 2023 年采用臺積電的 650V 氮化鎵 HEMT（注：高電子遷移率晶體管）工藝推出了 EcoGaN 系列新產品。羅姆、臺積電雙方將致力于把羅姆的氮化鎵器件開發(fā)技術與臺積電業(yè)界先進的 GaN-on-Silicon（硅基氮化鎵）工藝技術優(yōu)勢結合起來，滿足市場對高耐壓和高頻特性優(yōu)異的功率器件日益增長的需求。臺積電在新聞稿中提到，
  • 關鍵字： 羅姆  臺積電  氮化鎵  功率器件  

功率器件熱設計基礎（六）——瞬態(tài)熱測量

  • / 前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。確定熱阻抗曲線測量原理——R th /Z th 基礎：IEC 60747-9即GB/T 29332半導體器件分立器件第9部分：絕緣柵雙極晶體管（IGBT）（等同采用）中描述了測量的基本原理。確定熱阻抗的
  • 關鍵字： 英飛凌  功率器件，瞬態(tài)熱測量  

全球 33 家 SiC 制造商進展概覽

  • SiC 功率器件市場規(guī)模逐年擴大，并將保持高速增長。
  • 關鍵字： SiC  功率器件  

Microchip推出廣泛的IGBT 7 功率器件組合，專為可持續(xù)發(fā)展、電動出行和數(shù)據中心應用而優(yōu)化設計

  • 為滿足電力電子系統(tǒng)對更高效率、更小尺寸和更高性能的日益增長的需求，功率元件正在不斷發(fā)展。為了向系統(tǒng)設計人員提供廣泛的電源解決方案，Microchip Technology（微芯科技公司）今日宣布推出采用不同封裝、支持多種拓撲結構以及電流和電壓范圍的IGBT 7器件組合。這一新產品組合具有更高的功率容量、更低的功率損耗和緊湊的器件尺寸，旨在滿足可持續(xù)發(fā)展、電動汽車和數(shù)據中心等高增長細分市場的需求。高性能IGBT 7器件是太陽能逆變器、氫能生態(tài)系統(tǒng)、商用車和農用車以及更多電動飛機（MEA）中電源應用的關鍵構件
  • 關鍵字： Microchip  IGBT 7  功率器件  

中芯國際：部分邏輯電路產能將轉向功率器件

  • 大半導體產業(yè)網消息，日前，中芯國際聯(lián)席CEO趙海軍在業(yè)績會上表示，為滿足公司客戶的需求，公司將加速布局功率器件產能，充分支持汽車工業(yè)和新能源市場的發(fā)展。中芯國際將會在此前宣布的邏輯電路產能基礎上，調轉一部分來做功率器件，不會因為增加功率器件生產而新增產能規(guī)?；蛲顿Y。趙海軍表示，會把原來已有的背面處理、鍵合、邏輯電路等已有工藝能力遷移到功率產品中，這也是之后與客戶合作的方向。
  • 關鍵字： 中芯國際  邏輯電路  功率器件  新能源  

新潔能SiC/GaN功率器件及封測研發(fā)及產業(yè)化項目延期

  • 8月13日，新潔能發(fā)布公告稱，擬將此前募投項目中的“第三代半導體 SiC/GaN 功率器件及封測的研發(fā)及產業(yè)化”項目達到預定可使用狀態(tài)日期延期至2025年8月。此次延期是受宏觀環(huán)境等不可控因素的影響，項目的工程建設、設備采購及人員安排等相關工作進度均受到一定程度的影響，無法在計劃時間內完成。據悉，此次延期項目屬新潔能二廠區(qū)擴建項目，項目總投資約2.23億元，2022年開建，原計劃2024年建設完成。項目建成后，將實現(xiàn)年產 SiC/GaN 功率器件2640萬只。新潔能稱，本次募投項目延期僅涉及項目進度的
  • 關鍵字： 新潔能  SiC  GaN  功率器件  封測  

TrendForce：預計 2030 年全球 GaN 功率元件市場規(guī)模 43.76 億美元，復合年均增長率達 49%

  • IT之家 8 月 14 日消息，TrendForce 最新報告顯示，隨著英飛凌、德州儀器等對 GaN（氮化鎵）技術傾注更多資源，功率 GaN 產業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023 年全球 GaN 功率元件市場規(guī)模約 2.71 億美元（IT之家備注：當前約 19.39 億元人民幣），到 2030 年有望上升至 43.76 億美元（當前約 313.14 億元人民幣），CAGR（復合年均增長率）達 49%。據介紹，消費電子是功率 GaN 產業(yè)的主戰(zhàn)場，并由快速充電器迅速延伸至家電、智能手
  • 關鍵字： 功率器件  GaN  

英飛凌馬來西亞居林第三廠區(qū)啟用，未來將成世界最大碳化硅功率半導體晶圓廠

  • IT之家 8 月 8 日消息，英飛凌今日宣布，其位于馬來西亞的居林第三廠區(qū)（Kulim 3）一期正式啟用。該階段聚焦碳化硅（SiC）功率半導體的生產，也將關注氮化鎵（GaN）外圍晶圓?！?英飛凌居林第三廠區(qū)英飛凌在 2022 年宣布了 Kulim 3 的一期建設計劃，投資額達 20 億美元（IT之家備注：當前約 143.43 億元人民幣），可創(chuàng)造 900 個高價值工作崗位。英飛凌此后又在 2023 年 8 月宣布了價值 50 億美元（當前約 358.57 億元人民幣）的 Kulim 3 二期計劃
  • 關鍵字： 英飛凌  碳化硅  功率器件  

功率器件模塊：一種滿足 EMI 規(guī)范的捷徑

  • 由于功率模塊的設計和幾何形狀可以實現(xiàn) EMI 建模，從而使設計人員能夠在設計流程的早期預測和了解其系統(tǒng)中的 EMI 反應。相鄰或共用導電回路的電子器件容易受到電磁干擾 (EMI) 的影響，使其工作過程受到干擾。要確保各電氣系統(tǒng)在同一環(huán)境中不干擾彼此的正常運行，就必須最大限度地減少輻射。通常，由于硅 (Si) IGBT 和碳化硅 (SiC) MOSFET 等功率半導體器件在工作期間需要進行快速開關，因此通常會產生傳導型 EMI。在開關狀態(tài)轉換過程中，器件兩端的電壓和流經器件的電流會迅速改變狀態(tài)。開、關狀態(tài)間
  • 關鍵字： WOLFSPEED  功率器件  EMI  

SiC 功率器件中的溝槽結構測量

  • 汽車和清潔能源領域的制造商需要更高效的功率器件，能夠適應更高的電壓，擁有更快的開關速度，并且比傳統(tǒng)硅基功率器件提供更低的損耗，而溝槽結構的 SiC 功率器件可以實現(xiàn)這一點。但是，雖然基于溝槽的架構可以降低導通電阻并提高載流子遷移率，但它們也帶來了更高的復雜性。對于 SiC 功率器件制造商來說，準確測量外延層生長和這些溝槽中注入層深度的能力是相當重要的，特別是在面臨不斷增加的制造復雜性時。今天我們分享一下來自Onto Innovation 應用開發(fā)總監(jiān)Nick Keller的文章，來重點介紹下SiC 功率器
  • 關鍵字： SiC  功率器件  溝槽結構測量  

如何增強 SiC 功率器件的性能與可靠性？垂直整合是關鍵！

  • 電動汽車 (EV) 市場的快速增長推動了對下一代功率半導體的需求，尤其是對碳化硅 (SiC) 半導體的需求尤為強勁。事實上，至少在本世紀下半葉之前，SiC功率器件可能會供不應求。而隨著 SiC 襯底應用于 SiC 功率器件，襯底質量和制造技術方面取得了哪些進步，以提高器件性能、減少缺陷并增強可靠性？為了優(yōu)化未來 SiC 功率器件的襯底特性，還需要哪些改進和發(fā)展？SiC的可靠性挑戰(zhàn)SiC 是硅和碳的化合物，與硅相比有許多優(yōu)點。SiC 芯片可以在更高溫度下運行，并能有效處理更高電壓，從而增強電動汽車的功率密度
  • 關鍵字： SiC  電動汽車  功率器件  

2028年全球SiC功率器件市場規(guī)模有望達91.7億美元

  • TrendForce集邦咨詢最新《2024全球SiC Power Device市場分析報告》顯示，盡管純電動汽車（BEV）銷量增速的明顯放緩已經開始影響到SiC供應鏈，但作為未來電力電子技術的重要發(fā)展方向，SiC在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應用市場中仍然呈現(xiàn)加速滲透之勢，未來幾年整體市場需求將維持增長態(tài)勢，預估2028年全球SiC Power Device市場規(guī)模有望達到91.7億美金。Tesla和比亞迪是兩個備受矚目的BEV品牌，近期均報告了令人失望的銷售數(shù)據，其中Tesla在1
  • 關鍵字： SiC  功率器件  TrendForce  

功率器件市場為什么這么火爆？

  • 電動汽車、可再生能源和云計算等應用正在推動提高效率和功率密度的需求。
  • 關鍵字： 功率器件  
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