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功率器件 文章 最新資訊

英飛凌OptiMOS? 80V、100V以及MOTIX?功率器件為Reflex Drive無人機提供高性能電機控制解決方案

  • 來自印度的深科技初創(chuàng)公司Reflex Drive選擇英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的半導體功率器件，用于其下一代無人機（UAV）電機控制解決方案。通過集成英飛凌OptiMOS? 80 V和100 V功率器件，Reflex Drive的電子調(diào)速器（ESC）實現(xiàn)了更好的熱管理和更高的效率，從而在緊湊的設計中實現(xiàn)了高功率密度。此外，通過采用將XMC1404微控制器與MOTIXTM?6EDL7141?三相柵極驅動器IC結合的英飛凌MOTIX? IMD7
  • 關鍵字： 英飛凌  功率器件  Reflex Drive  無人機  電機控制  

柵極驅動器 — 功率器件性能的關鍵環(huán)節(jié)：第 3 部分

  • 其他柵極驅動器轉換器考慮因素柵極驅動器 DC-DC 轉換器還有其他獨特的問題。其中包括：1） 調(diào)節(jié)：當器件不切換時，DC-DC 轉換器上的負載接近于零。然而，大多數(shù)傳統(tǒng)轉換器始終要求最小負載;否則，它們的輸出電壓會急劇增加，可能達到柵極擊穿水平。發(fā)生的情況是，這個高電壓存儲在大容量電容器上，因此當器件開始切換時，它可能會出現(xiàn)柵極過壓，直到轉換器電平下降到正常負載下。因此，應使用具有箝位輸出電壓或極低最小負載要求的 DC-DC 轉換器。2） 啟動和關斷：重要的是，在驅動電路電壓軌達到指定值之前，I
  • 關鍵字： 柵極驅動器  功率器件  

據(jù)報道，Wolfspeed 將被 Apollo 領導的債權人接管，同時競爭對手將迎來機遇

  • 據(jù)路透社援引彭博社報道，在關于即將破產(chǎn)的傳聞出現(xiàn)近一個月后，Wolfspeed 現(xiàn)在正面臨一次重大動蕩。由 Apollo 全球管理公司領導的債權人正準備根據(jù)破產(chǎn)計劃接管公司。報道稱，這家陷入困境的碳化硅巨頭預計將在幾天內(nèi)公布一項預包裝破產(chǎn)計劃——旨在迅速削減數(shù)十億美元的債務。在鎖定重組協(xié)議后，Wolfspeed 將要求債權人就計劃進行投票，然后正式申請第 11 章保護，報道補充道。由意法半導體領導的對頭將受益根據(jù) TrendForce 的觀察，由于破產(chǎn)程序的不確定性，Wolfspeed 的 Si
  • 關鍵字： 碳化硅  意法半導體  功率器件  

柵極驅動器 — 功率器件性能的關鍵環(huán)節(jié)：第 1 部分

  • 有效的 MOSFET/IGBT 器件開關取決于柵極驅動器及其電源。從電源和電機驅動器到充電站和無數(shù)其他應用，硅 （Si）、碳化硅 （SiC） 和氮化鎵 （GaN） MOSFET等開關功率半導體以及絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 是高效電源系統(tǒng)設計的關鍵。但是，為了實現(xiàn)功率器件的最大性能，需要合適的柵極驅動器。顧名思義，該元件的作用是驅動功率器件柵極，快速、清晰地將其置于導通模式或將其拉出導通模式。這樣做要求驅動器能夠拉出或吸收足夠的電流，盡管負載（柵極）存在內(nèi)部器件和雜散（寄生）電容、電感和其他
  • 關鍵字： 柵極驅動器  功率器件  

新型功率器件的老化特性：HTOL高溫工況老化測試

  • _____隨著技術的不斷進步，新型功率器件如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）因其優(yōu)異的性能被廣泛應用于各種電子設備中。然而，這些器件在長期連續(xù)使用后會出現(xiàn)老化現(xiàn)象，導致性能退化。如何在短時間內(nèi)準確評估這些器件的老化特性，成為行業(yè)關注的焦點。目前，針對功率器件的老化測試主要包括多種不同的測試方式。其中，JEDEC制定的老化測試標準（如HTGB、HTRB、H3TRB和功率循環(huán)測試）主要針對傳統(tǒng)的硅基功率器件。對于新型的SiC等功率器件，AQG-324標準進一步要求增加動態(tài)老化測試，如動態(tài)柵偏和動態(tài)反偏測試。
  • 關鍵字： 功率器件  老化特性  HTOL  高溫工況  老化測試  

新型SiC模塊，可將安裝面積減少一半

  • ROHM宣稱其新型SiC模塊已「達到業(yè)界頂級水平」，這使得安裝面積顯著減少。
  • 關鍵字： SiC  功率器件  ROHM  

電感的失效分析

  • 1、電感本質(zhì)我們通常所說的電感指的是電感器件，它是用絕緣導線(例如漆包線,沙包線等)繞制而成的電磁感應元件。在電路中，當電流流過導體時，會產(chǎn)生電磁場，電磁場的大小除以電流的大小就是電感。電感是衡量線圈產(chǎn)生電磁感應能力的物理量。給一個線圈通入電流，線圈周圍就會產(chǎn)生磁場，線圈就有磁通量通過。通入線圈的電源越大，磁場就越強，通過線圈的磁通量就越大。實驗證明，通過線圈的磁通量和通入的電流是成正比的，它們的比值叫做自感系數(shù)，也叫做電感。1.2 電感分類按電感形式 分類：固定電感、可變電感。按導磁體性質(zhì)分類：空芯線圈
  • 關鍵字： 電感  功率器件  

功率電感器的額定電流為什么有兩種？

  • 在DC-DC轉換器中，電感器是僅次于IC的核心元件。通過選擇恰當?shù)碾姼衅?，能夠獲得較高的轉換效率。在選擇電感器時所使用的主要參數(shù)有電感值、額定電流、交流電阻、直流電阻等，在這些參數(shù)中還包括功率電感器特有的概念。例如，功率電感器的額定電流有兩種，它們之間的差異是什么呢？為了回答這樣的疑問，我們在這里對功率電感器的額定電流進行說明。存在兩種額定電流的原因功率電感器的額定電流有"基于自我溫度上升的額定電流"和"基于電感值的變化率的額定電流"兩種決定方法，分別具有重要的意義
  • 關鍵字： 電感  功率器件  

功率器件的熱設計基礎（一）---功率半導體的熱阻

  • / 前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。散熱功率半導體器件在開通和關斷過程中和導通電流時會產(chǎn)生損耗，損失的能量會轉化為熱能，表現(xiàn)為半導體器件發(fā)熱，器件的發(fā)熱會造成器件各點溫度的升高。半導體器件的溫度升高，取決于產(chǎn)生熱量多少（損耗）和散熱效率（散熱通路的熱阻）。IGBT模塊的風冷散熱
  • 關鍵字： 英飛凌  功率器件  熱設計  熱阻  

功率器件的熱設計基礎（二）---熱阻的串聯(lián)和并聯(lián)

  • / 前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章將比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。第一講 《功率器件熱設計基礎（一）----功率半導體的熱阻》 ，已經(jīng)把熱阻和電阻聯(lián)系起來了，那自然會想到熱阻也可以通過串聯(lián)和并聯(lián)概念來做數(shù)值計算。熱阻的串聯(lián)首先，我們來看熱阻的串聯(lián)。當兩個或多個導熱層依次排列，熱量依次通過
  • 關鍵字： 英飛凌  功率器件  熱設計  串聯(lián)  并聯(lián)  

功率器件熱設計基礎（三）----功率半導體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法

  • / 前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會聯(lián)系實際，比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。功率半導體模塊殼溫和散熱器溫度功率模塊的散熱通路由芯片、DCB、銅基板、散熱器和焊接層、導熱脂層串聯(lián)構成的。各層都有相應的熱阻，這些熱阻是串聯(lián)的，總熱阻等于各熱阻之和，這是因為熱量在傳遞過程中，需要依次克服每一個熱阻，所以總熱阻就是
  • 關鍵字： 英飛凌  功率器件  熱設計  散熱器  

功率器件熱設計基礎（四）——功率半導體芯片溫度和測試方法

  • / 前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。芯片表面溫度芯片溫度是一個很復雜的問題，從芯片表面測量溫度，可以發(fā)現(xiàn)單個芯片溫度也是不均勻的。所以工程上設計一般可以取加權平均值或給出設計余量。這是一個MOSFET單管中的芯片，直觀可以看出芯片表面溫度是不一致的，光標1的位置與光標2位置溫度
  • 關鍵字： 英飛凌  功率器件  熱設計  溫度測試  

功率器件熱設計基礎（五）——功率半導體熱容

  • / 前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。熱容熱容 C th 像熱阻 R th 一樣是一個重要的物理量，它們具有相似的量綱結構。熱容和電容，都是描述儲存能力物理量，平板電容器電容和熱容的對照關系如圖所示。平板電容器電容和熱容
  • 關鍵字： 英飛凌  功率器件  熱設計  功率半導體熱容  

功率器件熱設計基礎（七）——熱等效模型

  •  前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、SiC MOSFET高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。有了熱阻熱容的概念，自然就會想到在導熱材料串并聯(lián)時，就可以用阻容網(wǎng)絡來描述。一個帶銅基板的模塊有7層材料構成，各層都有一定的熱阻和熱容，哪怕是散熱器，其本身也有熱阻和熱容。整個散熱通路還包括導熱脂、散熱器和環(huán)境。不同時間尺度下
  • 關鍵字： 英飛凌  功率器件  熱設計  熱等效模型  

功率器件熱設計基礎（九）——功率半導體模塊的熱擴散

  • / 前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。任何導熱材料都有熱阻，而且熱阻與材料面積成反比，與厚度成正比。按道理說，銅基板也會有額外的熱阻，那為什么實際情況是有銅基板的模塊散熱更好呢？這是因為熱的橫向擴散帶來的好處。熱橫向擴散除了熱阻熱容，另一個影響半導體散熱的重要物理效應為熱的橫向傳
  • 關鍵字： 英飛凌  功率器件  熱設計  熱擴散  
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