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東芝內(nèi)存業(yè)務(wù)競(jìng)標(biāo)的最終勝利者不會(huì)是出價(jià)最高者?

- 東芝(Toshiba)令人垂涎的內(nèi)存業(yè)務(wù)第二輪競(jìng)價(jià)即將在幾周內(nèi)展開(kāi),但其程序的不透明,暴露了日本政治人物、官僚體系、企業(yè)領(lǐng)導(dǎo)人以及金融圈之間的利益分歧;許多觀察家將這種持續(xù)加深的分歧,歸咎于正折磨著日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的不滿情緒。而且,該競(jìng)標(biāo)程序已經(jīng)成為一個(gè)高度政治化的焦點(diǎn),這也是為什么日本媒體對(duì)該事件如此關(guān)注。 不過(guò)在指出東芝內(nèi)存業(yè)務(wù)競(jìng)標(biāo)程序的漏洞之前,我們得看清楚在這場(chǎng)賭局上有哪些玩家:在第一輪競(jìng)標(biāo)時(shí),東芝將出價(jià)者范圍縮小為僅四家廠商──WD (Western Digital)、Broadcom、
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新世代內(nèi)存陸續(xù)小量產(chǎn) 商品化指日可待
- 內(nèi)存是半導(dǎo)體的主力產(chǎn)品之一,目前主要由動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)及具備非揮發(fā)特性的NAND閃存(Flash)為最重要的兩項(xiàng)產(chǎn)品。 不過(guò),由于DRAM必須持續(xù)上電才能保存數(shù)據(jù),NAND Flash又有讀寫(xiě)速度較DRAM慢,且讀寫(xiě)次數(shù)相對(duì)有限的先天限制,因此內(nèi)存業(yè)者一直試圖發(fā)展出新的內(nèi)存架構(gòu),希望能兼具DRAM的速度、耐用度和NAND的非揮發(fā)特性 根據(jù)研究機(jī)構(gòu)Tech Insights估計(jì),包含STT-MRAM、FRAM、CBRAM、3D Xpoint等新世代內(nèi)存,都已陸續(xù)進(jìn)入小量生產(chǎn)階段。 不過(guò)
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2018年內(nèi)存短缺問(wèn)題將持續(xù)改善

- 近三年來(lái),我一直預(yù)測(cè)2017年會(huì)是閃存(flash)/固態(tài)硬盤(pán)(SSD)豐收的一年。然而,由于3D NAND轉(zhuǎn)型步調(diào)緩慢,加上智能手機(jī)到服務(wù)器等市場(chǎng)的需求旺盛,如今的flash顆粒供應(yīng)極其吃緊。不僅價(jià)格持續(xù)上漲20%或甚至更多,而像個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)等領(lǐng)域的內(nèi)存供應(yīng)不足更對(duì)其銷售數(shù)字帶來(lái)沖擊。 這讓IT人員得多花一點(diǎn)時(shí)間才能接受這一點(diǎn)。畢竟對(duì)于計(jì)算機(jī)儲(chǔ)存而言,SSD會(huì)是更快速的解決方案。但我們討論的是更巨大的因素,性能更高千倍以上,因此,你可能會(huì)想知道為什么這個(gè)市場(chǎng)花了這么久的時(shí)間才終于起飛。我
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新興內(nèi)存百家爭(zhēng)鳴 商品化腳步穩(wěn)健向前

- 內(nèi)存是半導(dǎo)體的主力產(chǎn)品之一,目前主要由動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)及具備非揮發(fā)特性的NAND閃存(Flash)為最重要的兩項(xiàng)產(chǎn)品。 不過(guò),由于DRAM必須持續(xù)上電才能保存數(shù)據(jù),NAND Flash又有讀寫(xiě)速度較DRAM慢,且讀寫(xiě)次數(shù)相對(duì)有限的先天限制,因此內(nèi)存業(yè)者一直試圖發(fā)展出新的內(nèi)存架構(gòu),希望能兼具DRAM的速度、耐用度和NAND的非揮發(fā)特性。 根據(jù)研究機(jī)構(gòu)Tech Insights估計(jì),包含STT-MRAM、FRAM、CBRAM、3D Xpoint等新世代內(nèi)存,都已陸續(xù)進(jìn)入小量生產(chǎn)階段。 不
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標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存激戰(zhàn)!臺(tái)積電/三星/英特爾誰(shuí)說(shuō)了算?
- 據(jù)韓媒報(bào)導(dǎo),傳三星電子 (Samsung Electronics) 已在磁阻式隨機(jī)存取內(nèi)存 (MRAM) 取得重大進(jìn)展,市場(chǎng)估計(jì)在 5 月 24 日的一場(chǎng)晶圓廠商論壇上,三星電子將會(huì)發(fā)布該公司所研發(fā)的 MRAM 內(nèi)存。 由于標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存 DRAM、NAND Flash 等微縮制程已逼近極限,目前全球半導(dǎo)體巨擘皆正大舉發(fā)展次世代內(nèi)存“磁電阻式隨機(jī)存取內(nèi)存 (MRAM)”,與含 3D XPoint 技術(shù)的“相變化內(nèi)存 (PRAM)”及“電阻式
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全球內(nèi)存和SSD價(jià)格將在2018年回落
- 在過(guò)去的這一年中,我們?cè)赑C和智能手機(jī)領(lǐng)域聽(tīng)到最多的聲音就是成本上漲,其中存儲(chǔ)芯片價(jià)格一路飆高成為“禍?zhǔn)?rdquo;。不過(guò),市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Gartner給出了一個(gè)令人興奮的消息。Gartner表示,自2016年中期以來(lái),PC內(nèi)存的價(jià)格已經(jīng)翻了一倍,4GB單條售價(jià)從12.5美元漲到了25美元,而隨著NAND閃存芯片漲價(jià),SSD的每千兆字節(jié)的成本也出現(xiàn)了驚人上漲。 不過(guò),這種漲價(jià)勢(shì)頭將在本季度達(dá)到頂峰。 Gartner預(yù)測(cè),全球內(nèi)存和SSD的價(jià)格會(huì)在2018年出現(xiàn)明顯回落,并于20
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第二季服務(wù)器內(nèi)存供給持續(xù)吃緊 估價(jià)格漲幅逾10%

- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新研究顯示,服務(wù)器內(nèi)存供給持續(xù)吃緊,且仍有供給缺口未能完全滿足需求。 其中原廠對(duì)LTA(Long Term Agreement)服務(wù)器制造商的平均出貨達(dá)標(biāo)率下滑至約八成,顯示供給缺口仍有兩成未能滿足,甚至對(duì)其余中國(guó)大陸與臺(tái)灣地區(qū)ODM廠的出貨達(dá)標(biāo)率下滑至六成左右。 預(yù)估在需求缺口仍維持的情況下,2017年第二季服務(wù)器內(nèi)存價(jià)格漲勢(shì)將延續(xù),漲幅逾10%。 DRAMeXchange指出,去年下半年起整體服務(wù)器內(nèi)存產(chǎn)出隨著原廠內(nèi)存產(chǎn)能分配調(diào)
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中國(guó)使然 全球內(nèi)存和SSD價(jià)格將在2018年回落
- 在過(guò)去的這一年中,我們?cè)赑C和智能手機(jī)領(lǐng)域聽(tīng)到最多的聲音就是成本上漲,其中存儲(chǔ)芯片價(jià)格一路飆高成為“禍?zhǔn)?rdquo;。不過(guò),市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Gartner給出了一個(gè)令人興奮的消息。Gartner表示,自2016年中期以來(lái),PC內(nèi)存的價(jià)格已經(jīng)翻了一倍,4GB單條售價(jià)從12.5美元漲到了25美元,而隨著NAND閃存芯片漲價(jià),SSD的每千兆字節(jié)的成本也出現(xiàn)了驚人上漲。 不過(guò),這種漲價(jià)勢(shì)頭將在本季度達(dá)到頂峰。 Gartner預(yù)測(cè),全球內(nèi)存和SSD的價(jià)格會(huì)在2018年出現(xiàn)明顯回落,并于20
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高啟全強(qiáng)調(diào)紫光存儲(chǔ)自主研發(fā),內(nèi)存不走臺(tái)灣授權(quán)的老路
- 外界認(rèn)為高啟全到大陸發(fā)展內(nèi)存產(chǎn)業(yè)后,帶走許多臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的人才,對(duì)此,他接受媒體采訪時(shí)強(qiáng)調(diào),找人才不分地方、國(guó)籍,不會(huì)特定挖哪一公司的員工。 他解釋,長(zhǎng)江存儲(chǔ)是一家國(guó)際化的公司,擁有全球各地的人加入,美國(guó)人、日本人、南韓人都有,絕不是只有挖臺(tái)灣工程師,長(zhǎng)江存儲(chǔ)內(nèi)部是規(guī)定要用英文溝通,因?yàn)橥饧鞴芎芏啵試?guó)際化的規(guī)格在打造企業(yè)。 高啟全說(shuō),長(zhǎng)江存儲(chǔ)2016年7月16日正式成立后,就購(gòu)并武漢新芯100%股權(quán),現(xiàn)在的武漢新芯約1,200人,另外,長(zhǎng)江存儲(chǔ)成立至今也招募將近700人,當(dāng)中的研發(fā)人
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手機(jī)廠家紛紛漲價(jià)全是因?yàn)樗?/a>

- 3月1日,樂(lè)視宣布,對(duì)旗下樂(lè)Pro 3進(jìn)行價(jià)格調(diào)整。在這之前,魅族、紅米、努比亞已先后宣布了漲價(jià)措施……手機(jī)廠家紛紛執(zhí)行漲價(jià)措施,往常都想用低價(jià)策略吸引用戶的廠家們這次都是因?yàn)槭裁茨? 有沒(méi)有朋友發(fā)現(xiàn)目前市場(chǎng)上的閃存類產(chǎn)品價(jià)格在悄悄增長(zhǎng),包括我們熟悉的U盤(pán)、內(nèi)存、硬盤(pán)類產(chǎn)品,這些產(chǎn)品和近期紛紛宣布漲價(jià)的手機(jī)是否有什么關(guān)系呢? 關(guān)鍵在于它們都使用了一種核心器件:Flash Memory,也就是大家說(shuō)的“閃存”,而這類器件由于目前生產(chǎn)減少,出現(xiàn)了供不應(yīng)求的狀況,導(dǎo)致其價(jià)格上漲,最終
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利用Cortex M7緊密耦合內(nèi)存運(yùn)行快速算法

- 對(duì)于那些需要低功耗、成本效益和中等性能的嵌入式系統(tǒng)而言,ARM Cortex M系列無(wú)疑是首選的處理器系列。 Cortex M系列中最早得到應(yīng)用的是其光譜中的小部分產(chǎn)品: Cortex M0用于實(shí)現(xiàn)最低的成本,Cortex M0+用于實(shí)現(xiàn)最高 的能效,Cortex M3用于實(shí)現(xiàn)功耗與性能之間的最佳平衡, Cortex M4用于實(shí)現(xiàn)那些需要數(shù)字信號(hào)處理(DSP)功能的應(yīng) 用。 該系列中最高性能的Cortex M7的首批應(yīng)用現(xiàn)已開(kāi)
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內(nèi)存與物聯(lián)網(wǎng)等帶動(dòng) 全球半導(dǎo)體年增率調(diào)升至7.2%
- 隨著存儲(chǔ)器、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)與其它市場(chǎng)用特殊應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品(app-specific standard products;ASSPs)庫(kù)存狀況獲得改善,以及平均售價(jià)(ASP)揚(yáng)升,預(yù)估2017年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)??赏暝?.2%,達(dá)3,641億美元。年增幅度高于2016年的1.5%,一掃先前整體市場(chǎng)沉悶陰霾。 調(diào)研機(jī)構(gòu)Gartner表示,2016年上半全球半導(dǎo)體市場(chǎng)表現(xiàn)不佳,不過(guò)隨著下半年庫(kù)存獲得補(bǔ)充,再加上平均售價(jià)與市場(chǎng)需求改善等因素,開(kāi)始出現(xiàn)好轉(zhuǎn)。由于預(yù)期庫(kù)存與需求改善狀況會(huì)一直延續(xù)到2017
- 關(guān)鍵字: 內(nèi)存 物聯(lián)網(wǎng)
內(nèi)存介紹
【內(nèi)存簡(jiǎn)介】
在計(jì)算機(jī)的組成結(jié)構(gòu)中,有一個(gè)很重要的部分,就是存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器是用來(lái)存儲(chǔ)程序和數(shù)據(jù)的部件,對(duì)于計(jì)算機(jī)來(lái)說(shuō),有了存儲(chǔ)器,才有記憶功能,才能保證正常工作。存儲(chǔ)器的種類很多,按其用途可分為主存儲(chǔ)器和輔助存儲(chǔ)器,主存儲(chǔ)器又稱內(nèi)存儲(chǔ)器(簡(jiǎn)稱內(nèi)存,港臺(tái)稱之為記憶體)。
內(nèi)存是電腦中的主要部件,它是相對(duì)于外存而言的。我們平常使用的程序,如Windows操作系統(tǒng)、打字軟件、游戲軟件等, [ 查看詳細(xì) ]
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