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ReRAM將能代替內(nèi)存和硬盤

　　固態(tài)硬盤供應(yīng)商SanDisk正在研發(fā)一種新型的系統(tǒng)存儲器，未來也許能一舉替代內(nèi)存和硬盤。 ReRAM代表電阻式RAM，將DRAM的讀寫速度與SSD的非易失性結(jié)合于一身。換句話說，關(guān)閉電源后存儲器仍能記住數(shù)據(jù)。如果ReRAM有足夠大的空間，一臺配備ReRAM的PC將不需要載入時間。ReRAM基于憶阻器原理，致力于商業(yè)化ReRAM的企業(yè)包括惠普、Elpida、索尼、松下、美光、海力士等等。　　基礎(chǔ)電子學(xué)教科書列出三個基本的被動電路元件：電阻器、電容器和電感器;電路的四大基本變量則是電流、電壓、電荷和磁
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美光發(fā)布全新DDR3Lm內(nèi)存主打低功耗

　　美光本周三發(fā)布了全新低功耗DDR3內(nèi)存解決方案--DDR3Lm，主要面向平板電腦以及超輕薄筆記本等移動市場。首批產(chǎn)品包括2Gb、4Gb兩種規(guī)格，宣稱可為移動產(chǎn)品帶來更長續(xù)航時間的同時，依然擁有不俗的性能和較高的性價比。　　首先是2Gb DDR3Lm，相比標(biāo)準(zhǔn)2Gb DDR3L(低電壓版DDR3)芯片，其功耗可以降低50%左右，最高頻率為1600MHz。而4Gb DDR3Lm同樣主打低功耗，待機狀態(tài)下功耗只有3.7mA IDD6，最高頻率可達1866MHz。二者都采用了美光30nm新工藝，以進一步優(yōu)
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美光新總裁稱內(nèi)存價格或已見底

　　雖然內(nèi)存價格暴跌已經(jīng)導(dǎo)致該行業(yè)四大企業(yè)中的三家出現(xiàn)虧損，但美光科技總裁馬克·亞當(dāng)斯(Mark Adams)周五表示，電腦內(nèi)存價格很可能已經(jīng)見底。作為全美唯一一家DRAM存儲芯片廠商，美光科技去年12月發(fā)布的業(yè)績顯示，由于PC需求放緩導(dǎo)致產(chǎn)品價格下跌，該公司已經(jīng)連續(xù)第二季度虧損。“我不認為DRAM市場還會繼續(xù)下行，現(xiàn)在感覺已經(jīng)穩(wěn)定?！眮啴?dāng)斯說。　　各大存儲芯片廠商都在努力平衡電腦內(nèi)存的供需關(guān)系，在這一行業(yè)中，建設(shè)工廠需要花費數(shù)年時間，因此很難輕易關(guān)閉。但該行業(yè)卻
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嵌入式內(nèi)存數(shù)據(jù)庫的研究與設(shè)計

嵌入式內(nèi)存數(shù)據(jù)庫的研究與設(shè)計,摘要：近年來,各種嵌入式內(nèi)存數(shù)據(jù)庫不斷涌現(xiàn),但由于各種原因,很多產(chǎn)品不具有通用性、高效性、可靠性,以致于很難在市場上推廣開來。針對上述情況,提出一種新的嵌入式內(nèi)存數(shù)據(jù)庫的設(shè)計方法,該方法結(jié)合當(dāng)前流行的java語
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WinCE文件目錄定制及內(nèi)存調(diào)整的操作方法

WinCE文件目錄定制及內(nèi)存調(diào)整的操作方法,本文介紹了WinCE文件目錄定制及內(nèi)存調(diào)整的操作方法。WinCE的文件目錄結(jié)構(gòu)以及文件的位置都是在DAT文件中定義的。所有的dat文件會在WinCE編譯時合并成initobj.dat文件，WinCE會根據(jù)DAT中的描述生成相應(yīng)目錄?！　∵@個
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2011年度存儲市場總結(jié)

2011年，存儲行業(yè)經(jīng)歷了幾大重要事件：日本地震引起閃存漲價、泰國洪水引起整個DIY產(chǎn)業(yè)的震動、單碟1TB硬盤技術(shù)正式面世、USB3.0產(chǎn)品強勢出擊、藍光3D技術(shù)應(yīng)用產(chǎn)品上市等，都給2011年的存儲行業(yè)帶來了不小的變化。
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內(nèi)存產(chǎn)業(yè)面臨洗牌：PC市場疲軟導(dǎo)致供大于求

　　面臨洗牌　　自20世紀(jì)60年代以來，內(nèi)存芯片便被看作是信息時代的“原油”——它們對電腦和其他設(shè)備非常重要，以致于制造商竭盡全力改善內(nèi)存芯片性能，降低生產(chǎn)成本。然而，上周有消息稱，日本內(nèi)存芯片巨頭爾必達正尋求從其客戶獲得資金支持，這表明在內(nèi)存芯片行業(yè)的競爭中，越來越多的企業(yè)瀕臨出局。　　三星電子和海力士等韓國兩家大公司目前占據(jù)著內(nèi)存芯片行業(yè)的主導(dǎo)地位，美國芯片廠商美光科技與爾必達的市場份額并列第三，但遠遠落后于三星電子和海力士。內(nèi)存芯片廣泛用于從手
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NVE對Everspin提自旋電子MRAM專利侵權(quán)訴訟

　　專門授權(quán)自旋電子(spintronics)磁阻隨機存取內(nèi)存(MRAM)技術(shù)的自旋電子組件開發(fā)商NVR公司表示，該公司已于美國聯(lián)邦法院對 MRAM 供貨商Everspin Technologies提出侵權(quán)訴訟，以捍衛(wèi)其自旋電子 MRAM 專利技術(shù)。　　NVE公司指出，在美國明尼蘇達州地方法院提起的這項訴訟案指控Everspin侵犯了NVE公司的三項 MRAM 專利。根據(jù)NVE公司表示，該侵權(quán)訴訟將尋求法院的禁制令，以迫使Everspin公司停止繼續(xù)使用該技術(shù)，并針對其侵權(quán)行為造成的NVE財務(wù)損失進行
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采用內(nèi)存接液晶顯示模塊設(shè)計

點陣式液晶接口簡單，能以點陣或圖形方式顯示出各種信息，因此在各種電子設(shè)計中得到廣泛應(yīng)用。但是，它的接口必須遵循一定的硬件和時序規(guī)范，根據(jù)不同的液晶驅(qū)動器，可能需要發(fā)出不同的命令進行控制才能顯示數(shù)據(jù)。而
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相變化內(nèi)存開創(chuàng)新型內(nèi)存系統(tǒng)設(shè)計

相變化內(nèi)存(Phase Change Memory，PCM)是一項全新的內(nèi)存技術(shù)，目前有多家公司在從事該技術(shù)的研發(fā)活動。這項技術(shù)集當(dāng)今揮發(fā)性內(nèi)存和非揮發(fā)性內(nèi)存兩大技術(shù)之長，為系統(tǒng)工程師提供極具吸引力的技術(shù)特性和功能。工程師無
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電源設(shè)計小貼士 41：DDR 內(nèi)存電源

CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時鐘頻率、系統(tǒng)內(nèi)各柵極的輸入電容以及電源電壓有關(guān)。器件形體尺寸減小后，電源電壓也隨之降低，從而在柵極層大大降低功耗。這種低電壓器件擁有更低的功耗和更高的運行速度，允許系統(tǒng)時鐘頻
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20nm最強制程三星造出8Gb相變內(nèi)存顆粒

　　來自SemiAccurate網(wǎng)站的消息稱，三星已經(jīng)研發(fā)并制造出容量達到8Gb的相變內(nèi)存顆粒，采用移動設(shè)備中常用的LPDDR2界面，此前制造的1Gb相變內(nèi)存顆粒樣品容量一般只有1Gb，是它的1/8。　　新的內(nèi)存顆粒最大的亮點是采用目前存儲芯片最先進的20nm制程工藝打造，幾乎達到了包括相變內(nèi)存在內(nèi)的所有DDR內(nèi)存以及NAND閃存的極限。　　相變內(nèi)存結(jié)合了DDR與NAND閃存的特點，具有斷電不掉數(shù)據(jù)，耐久性好，速度快等優(yōu)點;根據(jù)內(nèi)存制造材料的每個晶胞在晶態(tài)/非晶態(tài)之間來回轉(zhuǎn)換來存儲數(shù)據(jù)。　　預(yù)
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AMD將在北美推自有品牌內(nèi)存主打臺式機市場

　　北京時間11月29日凌晨消息，AMD于本周一表示，該公司將在北美銷售自有品牌內(nèi)存，主打臺式機市場，首批內(nèi)存將會由電子產(chǎn)品生產(chǎn)商Patriot Memory代工生產(chǎn)，并由板卡生產(chǎn)商美國視覺科技(Visiontek)代理銷售。目前該產(chǎn)品已經(jīng)在AMD平臺上進行過測試，并且已經(jīng)能夠顯示出強勁的加速功能。　　AMD GPU團隊的總經(jīng)理兼公司副總裁馬特·思凱納(Matt Skynner)表示，“AMD提供的內(nèi)存主要是為了滿足消費者的單一直接體驗需求，這種產(chǎn)品是基于公司多年來在AMD
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AMD品牌內(nèi)存準(zhǔn)備進入零售市場

　　AMD在自有品牌內(nèi)存獲得OEM市場認可之后，現(xiàn)在準(zhǔn)備將AMD品牌內(nèi)存推向零售市場。AMD品牌內(nèi)存針對零售市場有三個型號，其中AMD Entertainment(娛樂版)針對低端市場，DDR3-1333規(guī)格;AMD Performance(性能版)針對中端、多媒體和游戲市場，DDR3-1333和DDR3-1600規(guī)格;AMD Radeon(鐳)版本針對高端發(fā)燒市場，DDR3-1866。　　所有AMD品牌內(nèi)存容量都有2GB、4GB和8GB，高端AMD Radeon內(nèi)存將配備散熱片，AMD Entert
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美光、三星將聯(lián)合研發(fā)“夾心餅干”內(nèi)存

　　之前我們曾經(jīng)提到過美光開發(fā)的“夾心餅干”內(nèi)存技術(shù)即HMC(Hyper Memory Cube)，該公司還聯(lián)合Intel在IDF 2011舊金山開發(fā)者論壇上展示了相關(guān)樣品。10月6日，美光宣布將和存儲芯片業(yè)界龍頭韓國三星電子一起研發(fā)HMC這種新的內(nèi)存架構(gòu)，目標(biāo)是盡快使其實用化，進入工業(yè)化生產(chǎn)階段。　
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內(nèi)存介紹

【內(nèi)存簡介】　　在計算機的組成結(jié)構(gòu)中，有一個很重要的部分，就是存儲器。存儲器是用來存儲程序和數(shù)據(jù)的部件，對于計算機來說，有了存儲器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲器的種類很多，按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器，主存儲器又稱內(nèi)存儲器（簡稱內(nèi)存，港臺稱之為記憶體）。　　內(nèi)存是電腦中的主要部件，它是相對于外存而言的。我們平常使用的程序，如Windows操作系統(tǒng)、打字軟件、游戲軟件等， [ 查看詳細 ]