三星(samsung) 文章最新資訊

臺(tái)積電殺進(jìn)3納米決戰(zhàn)三星

臺(tái)積電在7納米、5納米制程完封三星后，目前更加快3納米研發(fā)，以延續(xù)領(lǐng)先地位，不讓對(duì)手三星有先縫插針搶單的機(jī)會(huì)，據(jù)電子時(shí)報(bào)報(bào)導(dǎo)，臺(tái)積電3納米傳出提前啟動(dòng)，位于南科30公頃用地，可望提前4個(gè)月、預(yù)計(jì)于今年底即可完成交地，擺明就是沖著三星而來(lái)。
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DDR5內(nèi)存2020年開(kāi)始生產(chǎn) AMD Zen4/Intel最快2021年跟進(jìn)

最近一年來(lái)，DDR4內(nèi)存芯片持續(xù)降價(jià)，如今8GB DDR4單條內(nèi)存也不復(fù)三年前接近千元的售價(jià)之勇，只要200多塊就可以搞定。很多玩家對(duì)DDR4內(nèi)存也沒(méi)感覺(jué)了，期待早點(diǎn)用上DDR5內(nèi)存，不過(guò)DDR5內(nèi)存的進(jìn)展沒(méi)有想象的那么快，2020年各大存儲(chǔ)芯片廠商才會(huì)量產(chǎn)DDR5內(nèi)存，兩三年后才能普及。主導(dǎo)內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)制定的JEDEC規(guī)范組織雖然之前宣布2018年正式發(fā)布DDR5標(biāo)準(zhǔn)，但實(shí)際上并沒(méi)有，最終規(guī)范要到2020年才能完成，其目標(biāo)是將內(nèi)存帶寬在DDR4基礎(chǔ)上翻倍，速率3200Mbps起，最高可達(dá)6400Mbps，電
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全球自動(dòng)駕駛技術(shù)專利權(quán)企業(yè)排行出爐現(xiàn)代、三星、LG闖入前十

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，現(xiàn)代汽車、三星電子和LG電子已經(jīng)躋身全球擁有自動(dòng)駕駛技術(shù)相關(guān)專利最多的十家企業(yè)之列。
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三星正式發(fā)布Exynos 990旗艦處理器

據(jù)sammobile報(bào)道，三星公司在加利福尼亞州圣何塞舉行的2019年“三星技術(shù)活動(dòng)”上正式推出了Exynos 990旗艦處理器。三星表示Exynos 990處理器和Exynos Modem 5123芯片將于今年年底進(jìn)入批量生產(chǎn)。
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三星的6nm、5nm、4nm工藝都是7nm改良：3nm棄用FinFET

7nm工藝的產(chǎn)品已經(jīng)遍地開(kāi)花，Intel的10nm處理器也終于在市場(chǎng)登陸，不過(guò)，對(duì)于晶圓巨頭們來(lái)說(shuō)，制程之戰(zhàn)卻越發(fā)膠著。在日前一場(chǎng)技術(shù)交流活動(dòng)中，三星重新修訂了未來(lái)節(jié)點(diǎn)工藝的細(xì)節(jié)。三星稱，EUV后，他們將在3nm節(jié)點(diǎn)首發(fā)GAA MCFET（多橋通道FET）工藝。由于FinFET的限制，預(yù)計(jì)在5nm節(jié)點(diǎn)之后會(huì)被取代。實(shí)際上，5nm在三星手中，也僅僅是7nm LPP的改良，可視為導(dǎo)入第二代EUV的一代。7nm LPP向后有三個(gè)迭代版本，分別是6nm LPP、5nm LPE和4nm LPE。相較于年初的路線圖，
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三星聯(lián)合ARM與新思科技開(kāi)發(fā)5納米制程優(yōu)化工具

在半導(dǎo)體先進(jìn)制程上的進(jìn)爭(zhēng)，目前僅剩下臺(tái)積電、三星、以及英特爾。不過(guò)，因?yàn)橛⑻貭栆宰约汗镜漠a(chǎn)品生產(chǎn)為主，因此，臺(tái)積電與三星的競(jìng)爭(zhēng)幾乎成為半導(dǎo)體界中熱門(mén)的話題。
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2019年Q2基帶市場(chǎng)份額：高通和三星爭(zhēng)奪5G基帶市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)權(quán)

Strategy Analytics手機(jī)元件技術(shù)研究服務(wù)最新發(fā)布的研究報(bào)告《2019年Q2基帶市場(chǎng)份額追蹤：高通和三星爭(zhēng)奪5G基帶市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)權(quán)》指出，2019年Q2全球蜂窩基帶處理器市場(chǎng)收益年同比下降4%，為50億美元。Strategy Analytics的報(bào)告指出，2019年Q2全球蜂窩基帶處理器市場(chǎng)收益份額位居前五名的為：高通、海思半導(dǎo)體、聯(lián)發(fā)科、三星LSI和英特爾。2019年Q2高通以43%的收益份額保持全球基帶市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位，海思半導(dǎo)體以15%的收益份額排名第二，聯(lián)發(fā)科以14%緊隨其后。·
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投入92億元三星擴(kuò)建電動(dòng)車電池工廠

日前，據(jù)外媒報(bào)道，三星SDI對(duì)外宣布，公司計(jì)劃投入3900億匈牙利福林（約合人民幣92億元），用于擴(kuò)建匈牙利首都布達(dá)佩斯市郊的電動(dòng)車電池工廠。據(jù)悉，這筆投資將創(chuàng)建約1200個(gè)工作崗位，工廠建成后年產(chǎn)能將滿足5萬(wàn)輛電動(dòng)車的電池配置需求。根據(jù)此前報(bào)道，匈牙利電池工廠的銷售范圍主要面向當(dāng)?shù)丶皻W洲各國(guó)，三星SDI于2016年投入了1000億匈牙利福林（約合人民幣24億元）在匈牙利建立電動(dòng)車電池工廠。截至目前，公司在匈牙利的總投資額已經(jīng)達(dá)到10億歐元（約合人民幣78億元），未來(lái)還將繼續(xù)擴(kuò)大投資，使匈牙利電池工廠
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傳三星將推出Galaxy Note10 Lite版將有黑紅兩種配色

據(jù)外媒sammobile消息，三星正開(kāi)發(fā)Galaxy Note10 Lite版系列手機(jī)。該款手機(jī)有望比Galaxy Note 10和Galaxy Note 10+更便宜。這款手機(jī)型號(hào)已經(jīng)確認(rèn)，為“SM-N770F”，將有黑色和紅色兩種配色，將提供128 GB的內(nèi)置內(nèi)存，此外沒(méi)有關(guān)于規(guī)格的信息。三星正開(kāi)發(fā)Galaxy Note10 Lite版系列手機(jī)就產(chǎn)品理念而言，Galaxy Note10 Lite比Galaxy Note 10（SM-N970）更接近Galaxy Note 3 Neo（SM-N750&n
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三星西安半導(dǎo)體二期工廠或?qū)⒚髂暾酵懂a(chǎn)

半導(dǎo)體行業(yè)一直是科技行業(yè)的重頭，尤其是今年開(kāi)始，半導(dǎo)體行業(yè)的重要性愈發(fā)顯得突出，隨著5G物聯(lián)網(wǎng)的正式普及，又會(huì)帶動(dòng)新的一波增長(zhǎng)趨勢(shì)。近日，根據(jù)可靠消息，半導(dǎo)體行業(yè)巨頭三星正考慮對(duì)其在中國(guó)西安興建的二期半導(dǎo)體工廠進(jìn)行額外投資，據(jù)透露，三星計(jì)劃明年將存儲(chǔ)器芯片設(shè)施的資本支出小幅增加至65億美元。有消息稱，三星西安二期工廠已安裝部分設(shè)備并開(kāi)始試運(yùn)行，以檢查量產(chǎn)前的情況，預(yù)計(jì)將在2020年2月開(kāi)始批量生產(chǎn)。2020年5G手機(jī)將掀起一波換機(jī)需求，而中國(guó)是重要的市場(chǎng)，同時(shí)對(duì)大容量NAND Flash需求也會(huì)增加，在貿(mào)
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兆易創(chuàng)新融資43億研發(fā)國(guó)內(nèi)內(nèi)存 19/17nm工藝追平三星美光

2019年國(guó)產(chǎn)內(nèi)存實(shí)現(xiàn)了0的突破，合肥長(zhǎng)鑫前不久宣布量產(chǎn)10nm級(jí)DDR4內(nèi)存，核心容量8Gb。除此之外，另外一家存儲(chǔ)芯片公司兆易創(chuàng)新也宣布研發(fā)內(nèi)存，10.1日該公司宣布融資43億元，主要用于研發(fā)1Xnm工藝的內(nèi)存芯片。根據(jù)兆易創(chuàng)新的公告，本次非公開(kāi)發(fā)行A股股票的發(fā)行對(duì)象為不超過(guò)10名特定投資者，發(fā)行的股票數(shù)量不超過(guò)本次發(fā)行前公司股份總數(shù)的20%，即不超過(guò)64,224,315股（含本數(shù)）。預(yù)案顯示，兆易創(chuàng)新本次發(fā)行募集資金總額（含發(fā)行費(fèi)用）不超過(guò)人民幣432,402.36萬(wàn)元（含本數(shù)），扣除發(fā)行費(fèi)用后的募
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三星率先開(kāi)發(fā)出12層3D硅穿孔堆疊：HBM存儲(chǔ)芯片容量提至24GB

三星電子宣1布率先在業(yè)內(nèi)開(kāi)發(fā)出12層3D-TSV(硅穿孔)技術(shù)。隨著集成電路規(guī)模的擴(kuò)大,如何在盡可能小的面積內(nèi)塞入更多晶體管成為挑戰(zhàn),其中多芯片堆疊封裝被認(rèn)為是希望之星。三星稱,他們得以將12片DRAM芯片通過(guò)60000個(gè)TSV孔連接,每一層的厚度僅有頭發(fā)絲的1/20?？偟姆庋b厚度為720μm,與當(dāng)前8層堆疊的HBM2存儲(chǔ)芯片相同,體現(xiàn)了極大的技術(shù)進(jìn)步。這意味著,客戶不需要改動(dòng)內(nèi)部設(shè)計(jì)就可以獲得更大容量的芯片。同時(shí),3D堆疊也有助于縮短數(shù)據(jù)傳輸?shù)臅r(shí)間。三星透露,基于12層3D TSV技術(shù)的HBM存儲(chǔ)芯片將
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三星顯示器擬投110億美元升級(jí)韓國(guó)LCD工廠

據(jù)韓媒報(bào)道，三星顯示器公司計(jì)劃投入１３萬(wàn)億韓元（約合１１０億美元），升級(jí)其在韓國(guó)的一個(gè)液晶顯示器（ＬＣＤ）工廠，以生產(chǎn)更先進(jìn)的屏幕。
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設(shè)計(jì)瞄準(zhǔn)5G汽車物聯(lián)網(wǎng)，工藝何不就選FD-SOI

作為本世紀(jì)初被開(kāi)發(fā)以面對(duì)22nm以后半導(dǎo)體工藝難題的兩大制程技術(shù)之一，F(xiàn)D-SOI顯然從知名度上遠(yuǎn)遠(yuǎn)不如FINFET那樣耳熟能詳，從應(yīng)用的廣度上......
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三星Galaxy Note 10獲得Wi-Fi 6認(rèn)證：全球第一

9月17日，三星在官網(wǎng)宣布，三星Galaxy Note 10已經(jīng)獲得了Wi-Fi聯(lián)盟的Wi-Fi 6認(rèn)證，這也是第一款通過(guò)Wi-Fi 6認(rèn)證的智能手機(jī)產(chǎn)品。
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