- 7月25日，三星電子于京畿道華城園區(qū)V1線（僅限EVU極紫外光刻）舉辦了基于下一代3nm環(huán)柵晶體管（GAA）技術的芯片代工產品出貨儀式，開始如約向客戶交付其首批3nm工藝芯片。包括三星電子聯(lián)席CEO兼設備解決方案部門（DS）主管慶桂顯（Kye Hyun Kyung）和韓國工業(yè)貿易資源部長李昌陽（Lee Chang-yang）在內，出席了該儀式。隨著3nm制程工藝的量產，三星電子開啟了晶圓代工業(yè)務的新篇章。在發(fā)貨儀式上，三星晶圓代工部門表達了通過搶先量產3nm GAA工藝來增強其業(yè)務競爭力的雄心，以及“將繼
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- 隨著美國推出520億美元的芯片補貼法案，越來越多的半導體公司開始加碼美國投資，三星已經計劃向美國投資2000億美元，約合1.4萬億人民幣，在美國新建11家芯片工廠，這樣的投資意味著三星半導體已經徹底導向美國?！ n國媒體報道，三星在美國的芯片投資計劃極為龐大，預計20年內在美國德州建設11家芯片廠，其中2家工廠可能分布在得州首府奧斯汀，其余九家可能在德州的泰勒?！ ∥挥趭W斯汀的2家工廠計劃投資額約為250億美元，位于泰勒的9家芯片工廠計劃投資額1700億美元，合計約為2000億美元?！ ∪侨ツ暌呀?/li>
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- 中關村在線消息：據媒體報道，三星電子近日提出了將于美國得克薩斯州大規(guī)模建立半導體制造工廠的規(guī)劃，將在未來的20年內陸續(xù)投入近2000億美元建設11座工廠。不過，三星目前還處于“規(guī)劃”階段，第一座建成工廠最早也要到2034年才會開始運營。對此，得州州長格雷格·阿博特(Greg Abbott)在一份聲明中表示:“這些新設施鞏固了得州這個孤星之州在半導體行業(yè)的領導地位，我感謝三星增加了他們對得州中部辛勤工作的人們的投資?！睋?，美國目前正在推進一項520億美元的聯(lián)邦計劃，用以激勵本土半導體行業(yè)發(fā)展，以減輕產能不
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- IT之家 7 月 22 日消息，三星電子在最新的一份文件中透露，他們正考慮未來二十年在美國得克薩斯州建立 11 家芯片工廠，投資總額可能接近 2000 億美元，并創(chuàng)造超過 1 萬個就業(yè)機會。這可能是得克薩斯州中部歷史上最大的經濟投資，不過這只是擬議的支出，三星沒有承諾義務投資。這家韓國科技巨頭在最近提交給得克薩斯州審計長辦公室并于周三公布的文件中披露在未來 20 年投資近 2000 億美元在德克薩斯州新建 11 家芯片制造廠的前景。三星電子提出，如果實施這一巨額投資，將大大提升其在美國的半導體市場地位。外
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- IT之家 7 月 19 日消息，據印度媒體 7 月 18 日報道，三星電子已決定于今年 12 月關閉其在印度的功能手機業(yè)務，并將重點轉向智能手機。IT之家了解到，三星在印度通過當?shù)厥謾C制造商 Dixon Technology 生產功能手機。今年第一季度，三星在印度功能手機市場的份額為 12%，在 Itel 和 Lava 之后排名第三。然而，這家韓國科技巨頭正在逐漸失去對其競爭對手的優(yōu)勢。2021 年第四季度，該公司在印度的功能手機市場份額為 18%，一個季度就降到了 12%。根據 Counterpoint
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- 電子零組件生產商三星電機首度開始在韓國量產服務器用的 FC-BGA（覆晶-球柵陣列封裝），表示目標成為全球第三大 IC 封裝基板廠。據 BusinessKorea、Pulse 報道，三星電機宣布，該公司的半導體基板產量持續(xù)提高，從 2019 年的 495000 平方米，升至 2021 年的 703000 平方米，相當于 100 個足球場。由于基板持續(xù)短缺，該公司產能利率用逼近 100%。FC-BGA 是高階基板、技術難度極高。三星電機表示將擴大生產高端產品，目標躍居半導體基板的第三大廠，僅次于日廠 Ibi
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- 在全球半導體晶圓代工市場上，三星雖然是僅次于臺積電的第二大公司，但是三星跟臺積電的差距還是很大的，技術及產能都遠不如后者，今年又丟了高通的驍龍8+訂單，未來的解決辦法可能就是拆分業(yè)務，將晶圓代工業(yè)務獨立運營?！ ∪窃诎雽w行業(yè)的整體實力不俗，但主要優(yōu)勢在存儲芯片上，包括閃存及內存都是全球第一，但在晶圓代工業(yè)務上多年來都是老二，而且差距還在擴大，不過三星早就定下目標，希望在2030年前超越臺積電?！ ∪绾螌崿F(xiàn)這個目標，同為三星集團的三星證券提出了意見，那就是三星電子拆分晶圓代工部門，并且去美國上市，以
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- 先進存儲半導體技術廠商之一三星電子今天宣布，三星首款具有24Gbps處理速度的16Gb GDDR6（第六代圖形用雙倍數(shù)據傳輸率存儲）顯存已開始出貨。該款新顯存采用三星第三代10納米級（1z）*工藝和極紫外光（EUV）技術，旨在顯著提升下一代顯卡（視頻圖形陣列）、筆記本電腦、游戲機以及基于人工智能的應用和高性能計算（HPC）系統(tǒng)的圖形性能。三星半導體24Gbps GDDR6顯存三星電子存儲器產品企劃團隊執(zhí)行副總裁Daniel
Lee表示："如今AI和元宇宙帶來的數(shù)據量激增，推動高性能圖形處理需
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- IT之家 7 月 14 日消息，三星的 Galaxy M 系列覆蓋了三星一些便宜的 Android 手機。這些手機最初僅在印度地區(qū)提供。此后，三星公司還將面向全球其他市場發(fā)布 Galaxy M 系列新手機。三星今天在印度推出了 Galaxy M13 和 Galaxy M13 5G 手機。一位三星高級官員表示，三星計劃今年在印度銷售出價值 10 億美元（約 67.2 億元人民幣）的 Galaxy M 手機。三星印度高級總監(jiān)兼產品營銷主管 Aditya Babbar 表示，三星的目標是在 2022 年銷售出價
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- 三星電子今日官宣旗下首款具有24Gbps處理速度的16Gb GDDR6顯存已經正式開始出貨。這款三星目前最快的GDDR6顯存采用了其第三代10納米級（1z）工藝和極紫外光（EUV）技術，能夠顯著提升下一代顯卡、筆記本電腦、游戲機等設備的圖形性能。而且，其還采用新的電路設計，通過引入絕緣材料（高K金屬柵極）盡可能減少電流泄漏當該顯存被集成在高端顯卡中后，理論上能夠在一秒內傳輸高達1.1TB的數(shù)據，約等于275部全高清電影。此外，這款GDDR6顯存還搭載動態(tài)電壓開關（DVS）技術，能夠根據性能要求調整工作電壓
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- IT之家7 月 13 日消息，據 The Register 報道，為了建立能夠與三星和臺積電抗衡的晶圓代工業(yè)務，英特爾正積極從三星和臺積電等競爭對手中聘請高管和資深員工。據領英資料顯示，Suk Lee 目前在英特爾代工業(yè)務中擔任生態(tài)系統(tǒng)技術辦公室的副總裁，在此之前，其在臺積電工作了 13 年，最后的頭銜是設計基礎設施管理部門副總裁。Michael Chang 在英特爾代工業(yè)務中擔任客戶支持副總裁，此前在臺積電工作了 31 年，最后的頭銜是先進技術解決方案總監(jiān)。去年 6 月，英特爾首次高調聘用外部人員 Ho
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- 6月30日，三星代工廠和半導體研發(fā)中心的職員齊聚一堂，慶祝公司成為世界首家大規(guī)模投產3nm芯片的半導體企業(yè)。雖然三星上馬的是取代FinFET的革命性GAA晶體管，雖然三星把3nm看得無比重要，可BK的報道稱，三星3nm的首家客戶居然是來自中國的一家名為PanSemi（上海磐矽半導體技術有限公司）的礦機芯片企業(yè)?？紤]到當前虛擬貨幣慘淡的行情，這筆訂單的量級肯定不會大到哪兒去，對于檢驗3nm GAA的成色也不具備充分說服力。另一個有趣的細節(jié)是，報道稱，三星自家芯片準備在2024年才用3nm，而且是第二代，這就
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- 在6月最后一天，三星宣布3nm工藝正式量產，這一次三星終于領先臺積電率先量產新一代工藝，而且是彎道超車，后者的3nm今年下半年才會量產。根據三星官方介紹，在3nm芯片上，其放棄了之前的FinFET架構，采用了新的GAA晶體管架構，大幅改善了芯片的功耗表現(xiàn)。與5nm相比，新開發(fā)的3nm GAE工藝能夠降低45%的功耗，減少16%的面積，并同時提升23%的性能。第二代的3nm GAP工藝可以降低50%的功耗，提升30%的性能，同時面積減少35%，效果更好。再往后呢？三星也有了計劃，3nm GAP工藝之后就會迎
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- 在芯片企業(yè)中，華為海思還是頂流的存在，可以說，華為海思自研的麒麟系列芯片能夠與高通驍龍8系列、蘋果A系列并駕齊驅。甚至可以說，海思麒麟芯片還領先于蘋果、高通，因為首款5nm 5G Soc就是華為海思推出的，NPU也是華為率先用在處理器中，蘋果、高通紛紛效仿。然而，誰也沒有想到的是，美多次修改芯片等規(guī)則，導致臺積電等企業(yè)不能自由出貨，原因是臺積電等在芯片生產制造過程中也使用了相關美技術。在這樣的情況，臺積電等積極爭取自由出貨許可，還不斷加速發(fā)展先進技術，目的就是盡可能地降低對美技術的依賴，從而實現(xiàn)自由出貨。
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- 2022年下半年剛開始，全球芯片市場的風向就變了，持續(xù)了兩年的產能緊張、缺貨漲價變成了庫存擠壓、價格下滑，其中內存價格2年來首次下滑，三星是全球第一大存儲芯片供應商，跌價的噩夢開始了?！ 袠I(yè)調研公司集邦科技的報告，今年二季度，主要存儲芯片DRAM內存的平均合同價格同比下跌10.6%，為2年來首降，另一種存儲芯片NAND價格也沒好到哪里去，價格也在波動中。 不僅二季度跌，目前的三季度中情況還會更壞，集邦科技預測內存平均合同價格將環(huán)比下跌21%，NAND閃存的環(huán)比價格跌幅則在12%?！ ≡诖酥?，另
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