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EEPW首頁 >> 主題列表 >> ?nand flash

下一代光刻技術延遲 NAND成長或趨緩

  • 　　在日前的一場閃存高峰會中，SanDisk公司的技術長Yoram Cedar指出，下一代光刻技術的延遲，將導致NAND閃存的成長趨緩。市場原先對閃存的展望都相當樂觀，但Cedar表示，由于超紫外光(EUV)光刻技術的延遲，閃存的成長可能需要再評估。 　
  • 關鍵字： SanDisk  NAND  

東芝芯片業(yè)務業(yè)績可能達不到預期

  • 　　全球第二大閃存制造商東芝公司(Toshiba Corp)周三警告說，由于PC市場不景氣，美國和歐洲等經(jīng)濟體持續(xù)動蕩以及日元強勢等原因，該公司芯片業(yè)務的利潤可能達不到預期。
  • 關鍵字： 東芝  芯片  NAND  

基于TMS320DM642的Flash編程

  • 基于TMS320DM642的Flash編程,本文首先介紹常見的Flash編程方法,然后詳細介紹本文方法的原理,以及DSP系統(tǒng)上電加載原理,最后給出整個實現(xiàn)過程并分析了Flash編程時需要注意的一些問題?！　lash編程方法　　常見的Flash編程方式　　Flash在正常使用
  • 關鍵字： 編程  Flash  TMS320DM642  基于  

NAND Flash合約價續(xù)跌

  • 　　據(jù)韓國電子新聞報導，計算機用DRAM芯片價格快速下跌，NAND Flash合約價也從6月起出現(xiàn)陡峭跌幅，2個月內(nèi)出現(xiàn)2011年來最低價2美元紀錄。下半年則因智能型手機(Smartphone)與平板計算機 (Tablet PC)新品陸續(xù)問世，可望帶動NAND Flash價格回升。
  • 關鍵字： NAND  DRAM芯片  

C6201／C6701 DSP處理器與FLASH存儲器MBM

  • 本文以基于三個C6201／C6701 DSP芯片開發(fā)成功的嵌入式并行圖像處理實時系統(tǒng)為例，介紹這一設計技術。
  • 關鍵字： C6201  C6701  FLASH  DSP    

基于AT25T1024 FLASH的高速SPI接口設計

  • 　　在一些軍用芯片的早期設計中，一般先采用比較成熟的商用協(xié)議芯片進行軍用化改造(通常做成板卡形式)，而商用 ...
  • 關鍵字： AT25T1024  FLASH  高速SPI接口  

存儲器產(chǎn)業(yè)群雄割據(jù)時代將再度來臨

  • 　　隨著存儲器容量越來越大，NANDFlash產(chǎn)業(yè)制程在進入20納米制程后，也開始遇到瓶頸，業(yè)界在未來制作更大容量存儲器上，面臨是否繼續(xù)發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術上些微領先最大競爭對手公司韓國三星電子(SamsungElectronics)，但短期內(nèi)該技術也將可能面臨瓶頸，因此如東芝(Toshiba)及爾必達(Elpida)等公司，均已決定投入3D存儲器的開發(fā)。
  • 關鍵字： 三星  存儲器  NAND  

納米制程遇瓶頸 業(yè)者紛紛投入3D存儲器的開發(fā)

  • 　　隨著存儲器容量越來越大，NAND Flash產(chǎn)業(yè)制程在進入20納米制程后，也開始遇到瓶頸，業(yè)界在未來制作更大容量存儲器上，面臨是否繼續(xù)發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術上些微領先最大競爭對手公司韓國三星電子(Samsung Electronics)，但短期內(nèi)該技術也將可能面臨瓶頸，因此如東芝(Toshiba)及爾必達(Elpida)等公司，均已決定投入3D存儲器的開發(fā)。 　
  • 關鍵字： 爾必達  NAND  

C6000系列DSP Flash二次加載技術研究

  • C6000系列DSP Flash二次加載技術研究,引言
    TI公司C6000系列DSP具有強大的處理能力，在嵌入式系統(tǒng)中有著廣泛的應用。由于程序在DSP內(nèi)部存儲器的運行速度遠大于片外存儲器的運行速度，通常需要將程序從外部加載到DSP內(nèi)部運行。由于C6000系列DSP均沒有
  • 關鍵字： 技術  研究  加載  Flash  系列  DSP  C6000  

今年游戲主機NAND flash內(nèi)存密度提高40%

  • 　　內(nèi)存的成本高昂，今年 NAND 在家庭主機和手持設備上的密集度仍將提高 40% 以上，而這是游戲最主要的游戲環(huán)境。 　　今年家用游戲主機的 NAND 平均密度預計達 923MB，較去年的 649MB 提高 42.2%。今年手持游戲設備的 NAND 平均密度則預計自去年的 87MB 增長 41.4%，達 123MB。 　　
  • 關鍵字： Sony  NAND  

LSI推出CacheVault Flash高速緩存保護技術

  • 　　LSI公司日前宣布推出一款 MegaRAID CacheVault技術，用于為 LSI MegaRAID 6Gb/s SATA+SAS RAID 控制卡提供基于閃存的高速緩存保護功能。MegaRAID CacheVault 采用固態(tài) NAND 閃存，能夠在電源發(fā)生故障的時候自動將高速緩存中的數(shù)據(jù)轉移到閃存中，從而為存儲在 RAID 控制器緩存中的數(shù)據(jù)提供強大的保護。CacheVault 技術避免了采用鋰離子電池的麻煩，并可節(jié)約相關的硬件維護成本，從而實現(xiàn)更環(huán)保、總體成本更低的高速緩存保護解決方案。
  • 關鍵字： LSI  NAND  

2011年NAND閃存密度將增長40%以上

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的NAND閃存研究報告，盡管NAND閃存成本較高妨礙其進入游戲硬件，但2011年家庭游戲機與手持游戲機中的NAND密度將增長40%以上。 　　
  • 關鍵字： 索尼  NAND  

三星電子韓國新NAND廠預計9月投產(chǎn)

  • 　　三星電子一家新的存儲半導體制造廠將于9月投入運營。消息人士說，新廠編號為“Line-16”，主要生產(chǎn)NAND芯片。 　　2010年5月時，三星在韓國京畿道(Gyeonggi Province)華城(Hwaseong)破土動工，建立新的工廠。此前三星曾透露說，Line-16工廠月產(chǎn)20萬片12寸圓晶。
  • 關鍵字： 三星  NAND  

東芝和SanDisk日本建第3個NAND半導體工廠

  • 　　日前東芝和SanDisk在日本建立了第三家半導體工廠，以應對智能手機和平板電腦的快速發(fā)展而帶來的對閃存芯片的大量需求。該工廠主要生產(chǎn)300毫米晶片NAND半導體，工廠名稱為“Fab 5”。
  • 關鍵字： 東芝  NAND  

東芝與Sandisk共慶NAND閃存工廠Fab5正式投產(chǎn)

  • 　　東芝株式會社 與Sandisk公司日前共同慶祝位于日本三重縣四日市東芝生產(chǎn)基地的第三家300mm晶圓NAND生產(chǎn)工廠Fab 5正式投產(chǎn)。
  • 關鍵字： 東芝  NAND  
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?nand flash介紹

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