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Flash存儲(chǔ)器Am29F040結(jié)構(gòu)分析

　Am29F040是AMD公司生產(chǎn)的Flash存儲(chǔ)器，主要作用是固化程序和保存歷史數(shù)據(jù)，也就是開(kāi)機(jī)后執(zhí)行閃存的程序，并在程序執(zhí)行的過(guò)程中實(shí)時(shí)地保存或修改其內(nèi)部的數(shù)據(jù)單元。下面首先介紹Am29F040的特點(diǎn)和操作。Am29F040是采
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基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲(chǔ)管理在TMS320F28x中的實(shí)現(xiàn)

基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲(chǔ)管理在TMS320F28x中的實(shí)現(xiàn),　Nand Flash作為一種安全、快速的存儲(chǔ)體，因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù) 據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點(diǎn)，已逐步取代其它半導(dǎo)體存儲(chǔ)元件，成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的主要載體。盡管Nand Flash的每個(gè)單元塊相互獨(dú)
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并行NOR Flash在SOPC開(kāi)發(fā)中的應(yīng)用

并行NOR Flash在SOPC開(kāi)發(fā)中的應(yīng)用,摘要討論Intel STrataFlash 3V Memory系列的JS28F128J3D75并行NOR flash在基于Xilinx MicroBlaze的SOPC開(kāi)發(fā)中的4種不同用途。J3D Flash可以用于存儲(chǔ)FPGA配置比特流、可引導(dǎo)的軟處理器代碼、可直接執(zhí)行的軟處理器代碼
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基于Flash的大容量高速數(shù)據(jù)記錄儀設(shè)計(jì)

基于Flash的大容量高速數(shù)據(jù)記錄儀設(shè)計(jì),現(xiàn)今嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品已滲透進(jìn)人們生活工作中的方方面面，從ATM 機(jī)到手持通訊設(shè)備。社會(huì)對(duì)嵌入式產(chǎn)品的性能也有越來(lái)越高的要求：大容量，高速度，斷電保護(hù)，體積限制等等。當(dāng)前數(shù)據(jù)記錄儀的容量和速度普遍偏小。本文旨
關(guān)鍵字：記錄儀設(shè)計(jì) 數(shù)據(jù) 高速 Flash 大容量基于

大容量FLASH在單片機(jī)臺(tái)標(biāo)系統(tǒng)中的應(yīng)用

1　引　言FLASH是一種兼有紫外線(xiàn)擦除EPROM和電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器（E2PROM）兩者優(yōu)點(diǎn)的新型非易失存儲(chǔ)器。由于它可在線(xiàn)進(jìn)行電可擦除和編程，芯片每區(qū)可獨(dú)立擦寫(xiě)至少10,000次以上，因而對(duì)于需周期性地修改被儲(chǔ)存的代
關(guān)鍵字：系統(tǒng) 應(yīng)用臺(tái)標(biāo) 單片機(jī) FLASH 大容量

全球第四季度NAND閃存芯片市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到48.9億美元

　　據(jù)媒體報(bào)道，根據(jù)亞洲最大芯片現(xiàn)貨市場(chǎng)的交易商集邦科技(DramexchangeTechnologyInc)提供的最新數(shù)據(jù)，2011年第四季度全球第四季度NAND閃存芯片市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到48.9億美元，環(huán)比下滑了8.6%。三星電子依然是該市場(chǎng)的龍頭，市場(chǎng)份額達(dá)到了34.6%。　　集邦科技提供的數(shù)據(jù)顯示，NAND閃存出貨環(huán)比增長(zhǎng)了大約5%，而平均銷(xiāo)售價(jià)格則環(huán)比下滑了13%。集邦科技指出，雖然存儲(chǔ)卡和閃存的零售增幅依然緩慢，但是智能手機(jī)和平板電腦制造商對(duì)閃存的需求依然非常強(qiáng)勁。　　集邦科技指出，三星電子
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Hynix今年資本支出將上升20% 半數(shù)投入NAND

　　外電報(bào)導(dǎo)，全球第二大內(nèi)存制造商Hynix Semiconductor Inc. 日前公布2011年第4季(10-12月)合并財(cái)報(bào)：受內(nèi)存價(jià)格下滑、PC需求趨緩的影響，凈損達(dá)2,399億韓元(2.131億美元)，遜于去年同期的純益300億韓元，已連續(xù)第2季繳出虧損成績(jī)單;營(yíng)收年減7.2%至2.55兆韓元;營(yíng)損達(dá)1,675億韓元，遜于去年同期的營(yíng)益2,940億韓元。根據(jù)彭博社調(diào)查，分析師平均預(yù)期Hynix Q4凈損將達(dá)1,617億韓元。根據(jù)Thomson Reuters調(diào)查，分析師原先預(yù)期Hynix Q4
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一種支持ISP的Flash在嵌入式設(shè)計(jì)中的應(yīng)用

一種支持ISP的Flash在嵌入式設(shè)計(jì)中的應(yīng)用,引言在基于VxWorks的嵌入式系統(tǒng)開(kāi)發(fā)過(guò)程中，板卡支持包BSP(Board Support Package)的開(kāi)發(fā)是非常重要而又閑難的一個(gè)環(huán)節(jié)。因?yàn)椴荒艽_定硬件系統(tǒng)是否正常丁作，而后續(xù)應(yīng)用開(kāi)發(fā)都是以此為基礎(chǔ)。在實(shí)際開(kāi)發(fā)中，為了提高開(kāi)
關(guān)鍵字：設(shè)計(jì) 應(yīng)用嵌入式 Flash ISP 支持

NAND Flash 在MSP430嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

摘要本文實(shí)現(xiàn)了大容量 NAND FLASH 在MSP430嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用，闡述了NAND FLASH 的使用方法，重點(diǎn)介紹了 ...
關(guān)鍵字： MSP430F149 Flash Memory 低功耗系統(tǒng)

蘋(píng)果去年買(mǎi)進(jìn)了全球NAND閃存的1/4

　　根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Bernstein Research 公司分析師Toni Sacconaghi 報(bào)告指出，蘋(píng)果公司在上一季買(mǎi)了全球NAND 快閃記憶體出貨量的23% ，憑借著這么大的采購(gòu)量，蘋(píng)果拿到的成本價(jià)格可說(shuō)是出乎意料之外的低。　　Sacconaghi 報(bào)告指出，蘋(píng)果產(chǎn)品在2011 年第四季消耗了容量總數(shù)高達(dá)14.5 億GB 的NAND 快閃記憶體;其中iPhone 占了其中50% ， iPad 為30% 。這么大的量，自然讓蘋(píng)果購(gòu)買(mǎi)NAND 快閃記憶體有很大的折扣，大約是每GB 價(jià)格為0.6
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東芝、爾必達(dá)再談?wù)?/a>

　　日系DRAM廠爾必達(dá)(Elpida)身陷財(cái)務(wù)風(fēng)暴，近期傳出在日本官方作媒下，正與同為日系NAND Flash大廠東芝(Toshiba)洽談?wù)鲜乱?。?duì)此東芝和爾必達(dá)高層都不予置評(píng)。　　近期再度傳出爾必達(dá)與東芝高層就合并及整合密談協(xié)商，且日本政府扮演關(guān)鍵要角。內(nèi)存業(yè)者透露，東芝在發(fā)展行動(dòng)裝置上，需要與爾必達(dá)Mobile RAM結(jié)合，才能打敗美韓陣營(yíng)，雙方確實(shí)有接觸洽談?wù)鲜乱?，但東芝對(duì)于重返DRAM領(lǐng)域意愿不高，另外，日本政府亦認(rèn)為，DRAM市場(chǎng)雖萎縮，但技術(shù)必須傳承，有意促使兩大半導(dǎo)體廠整合。

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μC/OS-II在DSP Flash存儲(chǔ)器中運(yùn)行的關(guān)鍵問(wèn)題

μC/OS-II在DSP Flash存儲(chǔ)器中運(yùn)行的關(guān)鍵問(wèn)題,引言　　在作為國(guó)家863計(jì)劃子項(xiàng)目挖掘機(jī)智能化控制系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)中，出現(xiàn)了智能化挖掘機(jī)軌跡控制系統(tǒng)不按照預(yù)先設(shè)定好的軌跡運(yùn)行和嵌入式實(shí)時(shí)多任務(wù)操作系統(tǒng)mu;C／OS-Ⅱ調(diào)度紊亂等失控問(wèn)題。該智能化系統(tǒng)中采用了mu;C
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Atmega128單片機(jī)的RC5和RC6算法比較與改進(jìn)

摘要：RC5及RC6是兩種新型的分組密碼。AVR高速嵌入式單片機(jī)功能強(qiáng)大，在無(wú)線(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸應(yīng)用方面很有優(yōu)勢(shì)。本文基 ...
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PLC在風(fēng)電控制系統(tǒng)中的應(yīng)用

一、概述近年來(lái)隨著國(guó)家對(duì)可再生能源扶持政策的進(jìn)一步出臺(tái)，可再生能源特別是風(fēng)力發(fā)電呈現(xiàn)蓬勃發(fā)展的趨勢(shì)，國(guó)...
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力晶將繼續(xù)擴(kuò)大NAND Flash產(chǎn)能

　　力晶在2012年起將會(huì)大幅降低標(biāo)準(zhǔn)型DRAM投片量，以最低的產(chǎn)能維持DRAM的技術(shù)發(fā)展，并于明年起全數(shù)轉(zhuǎn)入30nm 4Gb生產(chǎn)，而空出的產(chǎn)能將會(huì)以NAND FLASH填補(bǔ)，后續(xù)技術(shù)發(fā)展的重點(diǎn)也轉(zhuǎn)移到NAND 2Xnm的制程微縮。放遠(yuǎn)未來(lái)，力晶仍會(huì)保留DRAM技術(shù)，待3D-IC以及TSV的技術(shù)成熟時(shí)，將會(huì)以記憶體為中心做芯片組的整合，力圖成為大中華地區(qū)各技術(shù)領(lǐng)域最完整之晶圓廠。　　隨著力晶正式宣布將產(chǎn)能逐步擴(kuò)大至Flash產(chǎn)品上，加上原先代工如LCD Driver及非標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品，希望明年標(biāo)準(zhǔn)
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