- 12月31日消息,據(jù)國外媒體報道,隨著英特爾和美光科技之間的合資企業(yè)IM Flash技術公司關閉的可能性日益增大,英特爾與美光科技之間的關系似乎有些緊張。
這兩家公司面臨的困難是美光科技提出的有關英特爾對IM Flash新加坡公司做出的貢獻的爭議。美光科技首席執(zhí)行官史蒂夫·阿普爾頓(Steven Appleton)指責英特爾沒有為升級新加坡的這個工廠提供必要的資金。
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美光科技 Flash
- 英特爾(Intel)跨足NAND Flash產業(yè)邁入第5年,但近期在策略上有諸多調整,引發(fā)存儲器業(yè)界高度關注,包括日前合作伙伴美光(Micron)宣布新加坡廠將于2011年投產,卻不見英特爾投資身影,近期英特爾在亞太區(qū)NAND Flash操盤手、亦是嵌入式產品事業(yè)群暨微型移動裝置事業(yè)群執(zhí)行總監(jiān)陳武宏閃電離職,更引發(fā)存儲器業(yè)者一陣嘩然,目前該職務由英特爾亞太區(qū)技術營銷服務事業(yè)群執(zhí)行總監(jiān)黃逸松暫代,而相關模塊廠對此表示,雙方合作關系不會受影響。
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英特爾 NAND
- 集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DRAMeXchange表示,在Android可望逐漸成熟,市場接受度提高,預期2011年平板計算機出貨量由今年的1500萬臺大增至5000萬臺的規(guī)模,可說是平板計算機起飛年,將帶動內建式NAND Flash應用,預估2011年平板計算機占整體NAND Flash的消耗量比重將從今年的5%提升至10%以上。
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平板計算機 NAND
- 亞洲最大半導體交易市場Dramexchange分析師西恩·楊15號(周三)表示,東芝旗下一家芯片工廠突發(fā)短時電力故障,以致NAND芯片出現(xiàn)停產。該分析師還表示,到2011年1月中旬之前,包括iPad在內等多款產品均在使用的這款NAND閃存芯片價格或將上漲15%。
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NAND iPad
- 根據(jù)Gartner發(fā)布的報告,該公司下調對于明(2011)年度半導體設備市場的預測;原先該公司預期將成長4.9%,現(xiàn)在預期將縮減1%。另外,Gartner原先預估今年成長113%,現(xiàn)在估計可達131%至384億美元。該公司分析家KlausRinnen指出,今年產業(yè)創(chuàng)造了有史以來最強勁的成長,不過2011年度的市場將比較疲軟,屆時設備采購主要的重點將在于產能的擴充而不是在技術設備上。他表示由于媒體平板電腦的拉抬,NAND將是記憶體領域中資本投資最多者。
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半導體設備 NAND
- 2010年全球半導體市場成長幅度超過30%,這是在歷經過去幾年全球不景氣之后,經濟復蘇所展現(xiàn)出的成果。而據(jù)Semico預測,2011年全球半導體銷售額年成長幅度大約小于10%。乍看之下,這比2010年成長率要低得多,它代表壞消息嗎?事實上,這個溫和的成長數(shù)據(jù)代表著半導體市場正在回歸正常軌道。
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東芝 半導體 NAND
- 美系存儲器大廠美光(Micron)2010年全球NAND Flash市占率大躍進,已擠下海力士(Hynix)坐穩(wěn)全球三哥寶座,在擴產速度上,美光在2011年也不會缺席,與英特爾(Intel)合資的新加坡廠也將在2011年第2季開始投產,對于三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)2011年也有擴產計畫,美光表示不擔心供過于求,在產能增加的同時,平板計算機等應用也大幅崛起,預計2011年NAND Flash市場供需可維持健康的狀態(tài)。
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美光 NAND
- 英飛凌科技股份公司近日在法國巴黎“智能卡暨身份識別技術工業(yè)展(CARTES & IDentification)”上宣布推出適用于新一代安全IC的90納米SOLID FLASH? 技術。依靠SOLID FLASH技術,英飛凌成為全球首家可將靈活可靠的閃存與出類拔萃的非接觸式性能有機結合的安全產品供應商。
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英飛凌 FLASH
- 臺灣長久缺席的快閃存儲器產業(yè)終于出現(xiàn)曙光,由于既有NAND Flash技術在20納米制程以下面臨天險,全球大廠紛競逐下世代技術,近期國家納米元件實驗室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技術架構下,研發(fā)出全球最小的9納米電阻式存儲器,計劃在2011年下半正式成立“16-8納米元件聯(lián)盟”,將廣邀存儲器廠及晶圓代工廠加入,首波會先洽談臺系存儲器廠,目標5~10年內將此技術導入量產,讓臺灣正式加入NAND Flash產業(yè)戰(zhàn)局。
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NAND 9納米
- 亞洲最大的半導體交易市場Dramexchange分析師周三表示,由于東芝一家芯片工廠因短時電力故障而停產的影響,到2011年1月中旬之前,NAND閃存芯片的價格可能會上漲15%。
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東芝 NAND
- 華爾街日報(WSJ)報導,東芝(Toshiba)位于四日市(Yokkaichi)的NAND跳電事件恐怕會影響接下來的產能,普遍使用于智能型手機(Smartphone)、平板計算機(TabletPC)及數(shù)碼音樂播放器的NAND價格將因此跟漲。
東芝表示,這次的跳電事件可能影響未來2個月的產能,減少20%的產出。東芝與新帝(SanDisk)合資生產,總產出約占市場產能的3分之1,出貨量僅次于排名全球第1的三星電子(SamsungElectronics)。
接下來幾個月,全球的快閃存儲器市場的供
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東芝 NAND
- 串行Flash存儲器的編程解決方案,串行Flash存儲器具有體積小、功耗低、管腳少、掉電不丟失數(shù)據(jù)等諸多優(yōu)點,在IC卡和便攜式智能檢測儀表中廣泛的應用。本文將介 紹一種通過51系列單片機的串行口與AT45d041芯片通訊的方法,此方法不僅編程簡單,且運行
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解決方案 編程 存儲器 Flash 串行
- 基于 DSP的嵌入式系統(tǒng)通過地址映射方式實現(xiàn)片外FLASH擦寫,1 引言
在DSP系統(tǒng)的設計中,經常要使用片外存儲器擴充系統(tǒng)存儲空間。特別是當DSP的片內數(shù)據(jù)存儲器和程序存儲器容量比較小時, 必須把一部分數(shù)據(jù),如常量、原始數(shù)據(jù)庫等存儲到片外的存儲器中,從而節(jié)省DSP芯片內部
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方式 實現(xiàn) FLASH 擦寫 映射 地址 DSP 嵌入式 系統(tǒng) 通過
- 基于Flash構架的模數(shù)混合的FPGA在心電監(jiān)控儀上的應用設計,Fution系列的FPGA是世界上首個基于Flash構架的模數(shù)混合的FPGA,即在數(shù)字FPGA的基礎上加入了模擬電路部分,解決了傳統(tǒng)模擬電路和FPGA分離給設計帶來的諸多問題,降低了PCB板的制作難度,縮小了產品的體積。FPGA的可編
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心電 監(jiān)控 應用 設計 FPGA 混合 Flash 構架 模數(shù) 基于
- 2010年在半導體存儲器業(yè)界,各廠商紛紛恢復了在2008年秋季的雷曼事件后處于凍結狀態(tài)的大型設備投資。由此,市場上的份額競爭再次變得激烈起來。 2008~2009年導致各廠商收益惡化的價格下跌在2010年上半年僅出現(xiàn)了小幅下跌。然而,進入2010年下半年后,以DRAM為中心、價格呈現(xiàn)出大幅下降的趨勢。2011年很有可能再次進入殘酷的實力消耗戰(zhàn)。技術方面,微細化競爭愈演愈烈,以突破現(xiàn)有存儲器極限為目標的新存儲器的開發(fā)也越來越活躍。
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存儲器 NAND
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