?氮化鎵 文章 最新資訊
SEMICON2024收官,第三代半導體賽道競爭激烈!
- 3月20日,春分時期,萬物復蘇,SEMICON China 2024在上海新國際博覽中心拉開了序幕?,F(xiàn)場一片繁忙熱鬧,據(jù)悉本次展會面積達90000平方米,共有1100家展商、4500個展位和20多場會議及活動涉及了IC制造、功率及化合物半導體、先進材料、芯車會等多個專區(qū)。本次展會中,碳化硅、氮化鎵等第三代半導體產業(yè)鏈格外亮眼,據(jù)全球半導體觀察不完全統(tǒng)計,共有近70家相關企業(yè)帶來了一眾新品與最新技術,龍頭企業(yè)頗多,材料方面包括Resonac、天域半導體、天岳先進、天科合達等企業(yè),設備端則如晶盛機電、中微公司
- 關鍵字: 碳化硅 氮化鎵 第三代半導體
四種將被氮化鎵革新電子設計的中壓應用
- 引言隨著技術的迅速發(fā)展,人們對電源的需求亦在不斷攀升。為了可持續(xù)地推動這一發(fā)展,太陽能等可再生能源被越來越多地用于電網(wǎng)供電。同樣,為了實現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)處理、大數(shù)據(jù)存儲以及人工智能(AI),服務器的需求也在呈指數(shù)級增長。鑒于這些趨勢,設計人員面臨著一項重大挑戰(zhàn):如何在持續(xù)提升設計效率的同時,在相同的尺寸內實現(xiàn)更高的功率。這一挑戰(zhàn)已經(jīng)推動了氮化鎵(GaN)在高壓電源設計中的廣泛應用,原因在于GaN具有兩大優(yōu)勢:●? ?提高功率密度。GaN的開關頻率較高,使設計人員能夠使用體積更小的無源器件(
- 關鍵字: 氮化鎵 中壓應用
全球GaN最新應用進展!
- 自2018年10月25日,Anker發(fā)布全球首款GaN充電器,將GaN正式引入消費電子領域以來,短短幾年間,各大GaN廠商紛紛涉足相關產品。當前,GaN消費電子產品市場已是一片紅海,競爭日趨激烈。面對GaN在消費電子領域應用現(xiàn)狀,相關企業(yè)開始尋求新的增量市場,GaN技術應用由此逐步向新能源汽車、光伏、數(shù)據(jù)中心等其他應用場景延伸。GaN的特殊價值,正在消費電子之外的多個領域持續(xù)釋放。01GaN正在加速“上車”在汽車電動化與智能化趨勢下,汽車搭載的電子電力系統(tǒng)越來越多。而與傳統(tǒng)硅材料相比,基于GaN材料制備的
- 關鍵字: 氮化鎵 第三代半導體 消費電子
英飛凌攜手Worksport利用氮化鎵降低便攜式發(fā)電站的重量和成本
- 英飛凌科技股份公司近日宣布與Worksport Ltd.合作,共同利用氮化鎵(GaN)降低便攜式發(fā)電站的重量和成本。Worksport將在其便攜式發(fā)電站轉換器中使用英飛凌的GaN功率半導體GS-065-060-5-B-A提高效能和功率密度。在采用英飛凌GaN晶體管后,該功率轉換器將變得更輕、更小,系統(tǒng)成本也將隨之降低。此外,英飛凌還將幫助Worksport優(yōu)化電路和布局設計,進一步縮小尺寸并提高功率密度。Worksport首席執(zhí)行官Steven Rossi表示:“英飛凌高質量標準和穩(wěn)固的供應鏈為我們提供了
- 關鍵字: 英飛凌 Worksport 氮化鎵 GaN 便攜式發(fā)電站
SR-ZVS與GaN:讓電源開關損耗為零的魔法
- 當今,快充市場正迎來前所未有的機遇與挑戰(zhàn)。風暴仍在繼續(xù),快充市場的迅猛發(fā)展,用戶對于充電器的功率需求也在不斷增大;移動設備的普及,用戶對于充電器體積的要求也越來越高;同時為了在激烈的市場競爭中脫穎而出,低成本是每個快充產品必須考慮的因素。種種這些都對快充技術的要求愈發(fā)嚴格,不僅需要高效率、高功率,還需要適應多樣化的標準和滿足用戶個性化的需求。在種種挑戰(zhàn)之下,PI推出了InnoSwitch5-Pro 離線反激式開關IC,在內部集成750V或900V PowiGaN?初級開關、初級側控制器、FluxLink?
- 關鍵字: PI SR-ZVS GaN 氮化鎵
基于第三代半導體射頻微系統(tǒng)芯片研究項目啟動
- 據(jù)云塔科技官微消息,1月15日,中國科學技術大學微電子學院孫海定教授牽頭的國家重點研發(fā)計劃“戰(zhàn)略性科技創(chuàng)新合作”重點專項“基于第三代半導體氮化鎵和氮化鈧鋁異質集成射頻微系統(tǒng)芯片研究”項目啟動會暨實施方案論證會在云塔科技(安努奇)舉行。據(jù)悉,該項目是由中國科學技術大學牽頭,香港科技大學作為香港方合作單位以及安徽安努奇科技有限公司作為參研單位,共同開展聯(lián)合攻關。面向國家在高頻、大帶寬和高功率密度戰(zhàn)略性高端通信芯片和射頻模組的迫切需求,開展基于第三代半導體氮化鎵和氮化鈧鋁(GaN/AlScN)異質集成射頻微系統(tǒng)
- 關鍵字: 第三代半導體 射頻微系統(tǒng)芯片 氮化鎵 氮化鈧
瑞薩電子3.39億美元收購Transphorm
- 1月12日消息,日前,半導體解決方案供應商瑞薩電子與氮化鎵(GaN)器件領導者Transphorm達成最終協(xié)議,根據(jù)協(xié)議,瑞薩電子的子公司將以每股5.10美元的價格收購Transphorm,較Transphorm 在1月10日的收盤價溢價約35%,總估值約為3.39億美元。此次收購將為瑞薩提供GaN的內部技術,從而擴展其在電動汽車、計算(數(shù)據(jù)中心、人工智能、基礎設施)、可再生能源、工業(yè)電源以及快速充電器/適配器等快速增長市場的業(yè)務范圍。據(jù)悉,瑞薩將采用Transphorm的汽車級GaN技術來開發(fā)新的增強型
- 關鍵字: 瑞薩 氮化鎵 收購 Transphorm
意法半導體新200W和500W器件提升MasterGaN系列性能和價值
- 意法半導體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片,利用寬禁帶半導體技術簡化電源設計,實現(xiàn)最新的生態(tài)設計目標。意法半導體的MasterGaN產品家族集成兩顆650V高電子遷移率GaN晶體管(HEMT)與優(yōu)化的柵極驅動器、系統(tǒng)保護功能,以及在啟動時為器件供電的集成式自舉二極管。集成這些功能省去了設計者處理GaN晶體管柵極驅動開發(fā)難題。這兩款產品采用緊湊的電源封裝,提高了可靠性,減少了物料成本,簡化了電路布局。這兩款新器件內置兩個連接成半橋的Ga
- 關鍵字: 氮化鎵 電橋芯片 st 電源設計
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