在2015、2016連續(xù)兩年下跌后,DRAM和NAND Flash存儲器平均銷售價格(ASP)正穩(wěn)健走揚,研究機構IC Insights認為,此將有助推升2017年存儲器市場銷售規(guī)模,預估整體產值可達853億美元新高紀錄,較2016年成長10%;2020年更可望首度攀至千億美元大關。
關鍵字:
DRAM NAND
或許是巧合!12月30日,長江存儲的國家存儲器基地與華力二期12英寸生產線這兩個持續(xù)受到業(yè)界關注的重大項目,同日舉行了開工啟動儀式。
長江存儲是國內最大的存儲器項目之一,瞄準3D NAND技術,建成后將扭轉我國存儲器有市場無產品的窘境;華力微電子12英寸生產線建設項目則是“909工程”的二次升級改造,將建設邏輯芯片的代工生產線,建成后將使我國擁有從0.5微米到14納米各工藝節(jié)點的生產平臺,追趕國際先進水平。
隨著《國家集成電路產業(yè)發(fā)展推進綱要》的推進,中國IC業(yè)
關鍵字:
集成電路 NAND
中國紫光集團宣布,投入快閃記憶體戰(zhàn)場,在武漢興建全球規(guī)模最大廠房,總投資金額超過240億美元,引發(fā)產業(yè)界震撼。
紫光集團董事長趙偉國:“我們在武漢投資兩百四十億美金的芯片工廠,已經正式動工,昨天我剛剛在成都,和四川省簽下了兩千億的協(xié)議。我們會在那里投資一個,也是一個超過兩百億美金芯片的工廠”
2016年12月,紫光集團趙偉國,布局半導體戰(zhàn)略,先是與成都市、新華集團共同簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議,要在四川打造百億云計算中心。
12月30日,紫光宣布動工,興建三座全球最大3
關鍵字:
紫光 NAND
現(xiàn)在行業(yè)內的存儲玩家都不想看到三星持續(xù)一家獨大的現(xiàn)狀,中國這波掀起對存儲格局的改變,或許會吸引其他相對弱勢的廠商給中國提供支持。
關鍵字:
存儲路 NAND
2017年NAND Flash整體投片產能僅年增6%,隨著業(yè)者加速轉進3D-NAND,2017年2D-NAND缺貨情況將持續(xù)一整年。
TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新研究報告顯示,2017年NAND Flash整體投片產能僅年增6%,隨著業(yè)者加速轉進3D-NAND,2017年2D-NAND缺貨情況將持續(xù)一整年,而3D-NAND在64層堆疊順利導入OEM系統(tǒng)產品前,也將持續(xù)缺貨,價格有望穩(wěn)健走揚,使NAND Flash原廠營運表現(xiàn)持續(xù)往上。
DRAMeXch
關鍵字:
NAND TrendForce
SK海力士宣布將在忠清北道清州市新建一個存儲器晶圓廠,滿足NAND Flash市場增加的需求。新工廠將坐落在清州科技園。SK海力士下個月開始設計外部的建設,2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的裝備,總投資達2.2兆韓元(18.4億美金)。
SK海力士表示,公司決定額外的新建一座Fab工廠,主要是為了確保能夠滿足NAND Flash市場需求的增長,以及引導向3D NAND發(fā)展。加之,考慮到通常建立一個半導體工廠需要超過2年,所以提前做好準備。
SK海力士曾在20
關鍵字:
NAND Flash SK海力士
美國記憶體晶片大廠美光科技(Micron)財務長Ernie Maddock日前出席Barclays Technology Conference時表示,該公司在3D NAND記憶體生產上已取得重要歷程碑。
科技網站AnandTech報導,Maddock表示,雖然目前2D NAND晶片生產數(shù)量仍高于3D,但就記憶體總容量而言,3D NAND產能的總容量已高于2D產品。
據(jù)悉,美光2D和3D NAND生產采用完全不同的技術。 2D NAND生產依賴于光刻(lithography)技術,3D NA
關鍵字:
美光 NAND
“三維閃存需要挑戰(zhàn)200層左右的存儲單元積層”。東芝代表執(zhí)行董事副社長兼存儲與電子元器件解決方案公司社長成毛康雄在2016年12月14日開幕的半導體相關展會“SEMICON Japan 2016”(東京有明國際會展中心)的“半導體高端論壇”上登臺發(fā)言,并如此介紹了該公司的三維閃存(3D NAND)高密度化戰(zhàn)略。
成毛以對比15nm工藝2D NAND(二維閃存)的形式,介紹了東芝供應的3D NAND“BiCS FL
關鍵字:
東芝 NAND
今年DRAM內存、NAND閃存漲價救了美光公司,他們本周一正式收購了華亞科公司,內存業(yè)務如虎添翼,而閃存方面,美光也公布了兩個好消息——該公司的3D NAND閃存產能日前正式超過2D NAND閃存,第一代3D NAND閃存的成本也符合預期,堆棧層數(shù)達到64層的第二代3D NAND閃存也在路上了,今年底就要大規(guī)模量產了。
對于3D NAND閃存,我們并不陌生,現(xiàn)在市場上很多SSD都轉向了3D NAND閃存,不論是性能還是容量或者是寫入壽命,3D NAND閃存都要比傳統(tǒng)2
關鍵字:
美光 NAND
DRAMeXchange最新研究顯示,受惠于強勁的智慧型手機出貨、eMMC/eMCP平均搭載容量提升及SSD的穩(wěn)健成長,第四季NAND Flash缺貨情況達今年最高峰,各產品別價格續(xù)創(chuàng)年度新高,預估缺貨態(tài)勢將持續(xù)至2017年第1季,屆時企業(yè)級與用戶級SSD合約價漲幅將超過10%,行動式相關產品的eMMC/UFS價格漲幅將更高。
今年第四季NAND Flash通路端顆粒與wafer價格創(chuàng)下年度新高、eMMC/UFS合約價季漲幅9~13%,企業(yè)級與用戶級SSD合約價也上漲5~10%。
DRAM
關鍵字:
?NAND SSD
三星在手機市場遭遇一定挫折,不過由于全球手機的出貨量成長以及對更大容量的內存和存儲的需求卻讓它在NAND Flash市場成為大贏家,據(jù)TrendForce的數(shù)據(jù)顯示營收同比增長20.6%,市占率提升到36.6%創(chuàng)下新高。
目前3D NAND技術正日益受到各方的歡迎,由于它相較2D NAND技術可以提供提高存儲器的容量及寬度,在采用更低工藝的情況下卻可以提供遠比工藝更高2D NAND技術數(shù)倍容量,例如采用16nm工藝的2D NAND存儲器容量為64GB,而采用21nm工藝的三星 48層3D NAN
關鍵字:
Intel NAND
三星憑藉著技術優(yōu)勢,NAND快閃存儲器市占率逐季甩開東芝等競爭者的糾纏,龍頭位置越座越穩(wěn)。
市調機構DRAMeXchange最新數(shù)據(jù)顯示,三星第三季NAND存儲器營收來到37.44億美元,市占率較前季進步0.3個百分點至36.6%。(韓國經濟日報)
同期間,東芝NAND存儲器營收為20.26億美元,市占率較前季下滑0.3個百分點成為19.6%,落后三星幅度從前季的16.2%擴大至16.8%,此為歷史新高水平。
剛完成并購SanDisk的Western Digital市占率達17.1%
關鍵字:
三星 NAND
驅動程序識別設備時,有以下兩種方法: (1)驅動程序本身帶有設備信息,比如開始地址、中斷號等;加載驅動程序時,就可以根據(jù)這些信息來識別設備?! ?2)驅動程序本身沒有設備信息,但是內核中已經(或以后)根據(jù)其他方式確定了很多設備的信息;加載驅動程序時,將驅動程序與這些設備逐個比較,確定兩者是否匹配(math)。如果驅動程序與某個設備匹配,就可以通過該驅動程序來操作這個設備了?! 群顺J褂玫诙N方法來識別設備,這可以將各種設備集中在一個文件中管理,當開發(fā)板的配置改變時,便于修改代碼。在內核文件incl
關鍵字:
NAND 驅動
TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)最新調查顯示,受惠于智能手機需求強勁,及供給端2D-NAND 轉進3D-NAND 所導致的整體產出減少,第三季NAND Flash開始漲價,使得NAND Flash原廠營收季成長19.6%,營業(yè)利益率也較上季大幅進步。
DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,第四季各項終端設備出貨進入今年最高峰,預估整體NAND Flash供不應求的市況將更為顯著,各項NAND Flash產品的合約價漲幅將更高,廠商的營收
關鍵字:
NAND Flash 英特爾
TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)最新調查顯示,2016年第四季主流容量PC-Client OEM SSD(固態(tài)硬盤)合約均價近一年來首度大漲,在MLC-SSD部分,季漲幅達6~10%,TLC-SSD部分則上漲6~9%。展望2017年第一季,雖然終端產品實際銷售狀況仍保守,但由于非三星陣營的原廠仍處于3D-NAND Flash轉換陣痛期,及龍頭廠商持續(xù)以提升獲利為主要策略下,預估2017年第一季PC-Client OEM SSD 主流容量合約價仍將持
關鍵字:
SSD NAND
v-nand介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條 v-nand!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對 v-nand的理解,并與今后在此搜索 v-nand的朋友們分享。
創(chuàng)建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網安備11010802012473