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IR推出堅固可靠的超高速1400V IGBT
- 全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商?–?國際整流器公司?(International?Rectifier,簡稱IR)?宣布推出堅固可靠的超高速1400V溝道絕緣柵雙極晶體管?(IGBT)?IRG7PK35UD1PbF,新器件為電磁爐和微波爐等軟開關(guān)應(yīng)用作出了優(yōu)化。 IRG7PK35UD1PbF與超低正向電壓二極管共同封裝,由于使用IR?的Gen7?薄晶圓溝道技術(shù),可提供極低VCE(ON)?和超高速開關(guān),
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基于散熱器設(shè)計的大功率IGBT散熱器水冷熱阻計算
- 為了優(yōu)化水冷散熱器散熱能力,保障其可靠工作,引用了傳熱學中的基本原理與公式,以散熱器外形的機械尺寸、水的強...
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基于IGBT的固態(tài)脈沖調(diào)制器設(shè)計與實現(xiàn)
- 在雷達發(fā)射機脈沖調(diào)制器中,廣泛采用的是電真空管作為開關(guān)管。這種結(jié)構(gòu)的脈沖調(diào)制器具有配套技術(shù)復雜、造價高...
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南車株洲所推出國內(nèi)首款超級IGBT芯片
- 12月27日,南車株洲所研制的高壓高功率密度IGBT芯片及其模塊,通過了由省科技廳組織的科技成果鑒定。來自中國科學院和中國工程院的4位院士組成的鑒定委員會認為,該成果總體技術(shù)處于國際領(lǐng)先水平。 這是國內(nèi)目前唯一一款最大電壓等級、最高功率密度的6500伏高壓IGBT芯片及其模塊首次向外界亮相。該產(chǎn)品具有耐壓高、電流大,功率損耗低、動態(tài)性能好等優(yōu)點,其各項技術(shù)均填補了國內(nèi)行業(yè)空白。 該公司IGBT事業(yè)部總經(jīng)理劉國友介紹,高壓高功率密度的IGBT是現(xiàn)代大功率變流裝置的“心臟&
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高功率IGBT模塊驅(qū)動器實現(xiàn)智能化管理
- 隨著用于電力機車、風力發(fā)電機組、高壓直流和工業(yè)驅(qū)動應(yīng)用的高壓IGBT市場需求不斷增長,高壓和超高壓IGBT柵極驅(qū)動器應(yīng)運而生。 日前,英國Amantys公司宣布推出一款針對高功率模塊的IGBT柵極驅(qū)動器,其工作電壓為4500V,額定電流從400A至1200A,它專為支持包括ABB、Dynex、日立、英飛凌和三菱等制造商的模塊產(chǎn)品而設(shè)計。 據(jù)Amantys市場營銷副總裁Steve Evans介紹,除了實現(xiàn)高壓特征外,這款產(chǎn)品還開創(chuàng)了柵極驅(qū)動器智能化管理的先河。這一全新的IGBT柵極驅(qū)動器集成
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將電磁感應(yīng)加熱應(yīng)用的IGBT功率損耗降至最低
- 近年來,人們使用的電器產(chǎn)品數(shù)量不斷增多,致使每個家庭內(nèi)的總能耗穩(wěn)步上升,不僅大多數(shù)西方國家是這樣,新興國家亦是如此。與這些能耗相關(guān)的成本也已經(jīng)增加,因為燃料資源變得更為緊缺,公用事業(yè)公司因此而漲價。
- 關(guān)鍵字: IGBT 電磁感應(yīng) 感繞組 導電損耗 電磁爐
逆變器逐漸走向整合 IGBT芯片技術(shù)提升能源
- 據(jù)市場研究機構(gòu)IHSiSuppli旗下IMSResearch相關(guān)報告透露,隨著光伏逆變器供應(yīng)市場在2012年進一步分化,今年一季度全球十大逆變器供應(yīng)商市場總占有率下滑逾4%。IMSResearch認為,一部分原因在于中國及日本市場需求量的強勁增長,而全球十大逆變器供應(yīng)商中的大多數(shù)企業(yè)在這兩個市場的業(yè)務(wù)較為有限,這給中國本土逆變器企業(yè)提供很好的發(fā)展機會。 今年,多家國際知名光伏逆變器供應(yīng)商被收購兼并,或破產(chǎn)、退出市場,引發(fā)了部分地區(qū)光伏逆變器產(chǎn)業(yè)的整合,但是眾多新興市場尤其是中國和日本兩大光伏
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我國首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線有望年底投產(chǎn)
- “今年,我們國內(nèi)基地在IGBT器件銷售上突破6萬只的規(guī)模,在新能源裝備、直流輸電等市場份額上也將繼續(xù)擴大。有我公司建設(shè)的我國首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線,預計今年年底能實現(xiàn)投產(chǎn)?!辈①彽つ峥怂刮逯苣曛H,南車時代電氣總經(jīng)理李東林告訴記者。 五年前,南車時代電氣成功并購世界知名半導體企業(yè)丹尼克斯公司75%的股權(quán),成為我國軌道交通企業(yè)首宗跨國并購案例。并購后,南車時代電氣對丹尼克斯改造整合,投入數(shù)億元,將其原有的4英寸IGBT芯片生產(chǎn)線升級為6英寸芯片生產(chǎn)線,新開發(fā)多個1
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