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● 恩智浦和臺積電聯(lián)合開發(fā)采用臺積電16納米FinFET技術的嵌入式MRAM IP● 借助MRAM，汽車廠商可以更高效地推出新功能，加速OTA升級，消除量產(chǎn)瓶頸● ......
知情人士稱，美國美光科技公司準備在日本廣島的工廠安裝荷蘭ASML公司的先進芯片制造設備EUV（極紫外光刻機），以制造下一代存儲芯片（DRAM）。而其也將獲得日本政府提供的約2000億日元（15億美元）的補貼。日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)......
今日，三星電子宣布其采用12納米級工藝技術的16Gb DDR5 DRAM已開始量產(chǎn)。三星本次應用的前沿制造工藝，再次奠定了其在尖端DRAM技術方面的優(yōu)勢。"采用差異化的工藝技術，三星業(yè)內(nèi)先進的12 納米級DDR......
全球的數(shù)據(jù)量正持續(xù)以每年約23%的速度增長——各行各業(yè)產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量越來越多，因此長期保存這些數(shù)據(jù)變得愈發(fā)困難。另一方面，在中國“3060 ”雙碳目標的指導下，企業(yè)級數(shù)據(jù)中心的數(shù)據(jù)存儲不僅需要高性能、大容量和更低的總體擁有......
優(yōu)化存儲適配器性能可確保存儲處理由存儲適配器而不是服務器處理，從而在寫入和讀取數(shù)據(jù)時減輕 CPU 的壓力。由于適配器在出廠時配置為為常規(guī)環(huán)境提供最佳的全方位設置，因此優(yōu)化適配器配置以預測應用程序存儲需求可以顯著提高性能。......
全新固態(tài)硬盤（SSD）可將總體擁有成本降低高達27%，同時還能提高數(shù)據(jù)中心可持續(xù)性 2023年5月17日，上?！袢眨蝾I先的創(chuàng)新 NAND 閃存解決方案提供商Solidigm正式推出Solidigm &n......
采用 MongoDB 開發(fā)的應用程序 協(xié)助 Portworx Data Services 加速價值實踐 2023年5月17日，中國——專為多云環(huán)境提供先進數(shù)據(jù)存儲技術及服務的全球 IT 先鋒 Pure Stor......
中國北京（2023年5月16日） —— 業(yè)界領先的半導體器件供應商兆易創(chuàng)新GigaDevice（股票代碼 603986）今日宣布，率先推出采用3mm×3mm×0.4mm FO-USON8封裝的SPI NOR Flash—......
三星電子今日宣布，研發(fā)出其首款支持Compute Express Link?（CXL?）2.0的128GB DRAM。同時，三星與英特爾密切合作，在英特爾?至強?平臺上取得了具有里程碑意義的進展。繼2022年五月，三星電......
周二，韓國發(fā)布了芯片發(fā)展十年藍圖，旨在日益激烈的全球競爭中鞏固該國在半導體領域的領先地位。韓國科學技術信息通信部（簡稱科技部）在這一半導體未來技術路線圖中，提出未來10年確保在半導體存儲器和晶圓代工方面實現(xiàn)超級差距，在系......
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