新聞中心

EEPW首頁(yè) > 模擬技術(shù) > 新品快遞 > ROHM開(kāi)發(fā)出高二極管RF2001T4S

ROHM開(kāi)發(fā)出高二極管RF2001T4S

——
作者: 時(shí)間:2005-11-14 來(lái)源: 收藏
  半導(dǎo)體生產(chǎn)商株式會(huì)社(本社:日本京都)已開(kāi)發(fā)了適用于等離子顯示器的高耐壓(400V)、大電流型(20A)快速恢復(fù)二極管「RF2001T4S」,從2005年7月起開(kāi)始樣品出貨(樣品價(jià)格7.1人民幣/個(gè)),并于2005年10月起以月產(chǎn)100萬(wàn)個(gè)的規(guī)模實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。前期工序在 WAKO DEVICE(日本岡山縣笠岡市)完成;后期工序在韓國(guó)的 KOREA CORPORATION完成。
   
  由于作為主要應(yīng)用對(duì)象的等離子TV對(duì)于更高畫(huà)質(zhì)的要求,使快速恢復(fù)二極管的耐壓特性必須從原有的350V提升到400V,實(shí)現(xiàn)高耐壓化。同時(shí),必須保證同原有產(chǎn)品具有相等的高速和低VF特性。
   
   此次ROHM開(kāi)發(fā)的「RF2001T4S」采用了獨(dú)特的高耐壓結(jié)構(gòu)和最新的重金屬擴(kuò)散工序,相比傳統(tǒng)產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了高速trr化、低VF化以及在高溫狀態(tài)下的低IR化,從而實(shí)現(xiàn)了世界最高效率特性。另外,在可靠性方面,在實(shí)現(xiàn)高ESD耐量30kV(Typ. 200pF, 0Ω)的同時(shí),降低了高溫狀態(tài)下的發(fā)熱損失,具有優(yōu)異的特性。
 

「RF2001T4S」的主要特性
1)    低VF(原有比降低10%)
2)    高速開(kāi)關(guān)速度(trr)(18ns, 原有比減少40%)
3)    高ESD耐量30kV(200pF, 0Ω)
4)    低IR(100℃, 100μA以下)

   ROHM的二極管一直以來(lái)都是采用獨(dú)特的設(shè)計(jì)技術(shù)、零部件技術(shù)及自行開(kāi)發(fā)的生產(chǎn)技術(shù),為能夠最先開(kāi)發(fā)出滿(mǎn)足市場(chǎng)需要的產(chǎn)品而努力。今后,我們將立足于客戶(hù)的立場(chǎng),以客戶(hù)的要求作為生產(chǎn)開(kāi)發(fā)的方針。
 
以上




【解釋說(shuō)明】

快速恢復(fù)二極管
trr(逆恢復(fù)時(shí)間)相比普通的二極管更快。
快速的同時(shí),減少了開(kāi)關(guān)的損失。

VF
順?lè)较螂妷合陆?。一般是越小越好?

trr(逆恢復(fù)時(shí)間)
理想的二極管是只有順?lè)较螂娏鳎瑳](méi)有反方向電流的,但實(shí)際在電壓由順?lè)较蜣D(zhuǎn)變?yōu)槟娣较虻囊凰查g,逆方向也會(huì)產(chǎn)生電流。所謂trr(逆恢復(fù)時(shí)間)就是指使逆方向電流停止流動(dòng)的時(shí)間。




關(guān)鍵詞: ROHM

評(píng)論


相關(guān)推薦

技術(shù)專(zhuān)區(qū)

關(guān)閉