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彩色濾光片實(shí)現(xiàn)OLED彩色化的瑕疵分析*

作者:莊筱磊 李榮玉 上海交通大學(xué)電子信息與電氣工程學(xué)院 施展 劉暢 張浩 余峰 張建華 上海大學(xué)廣電電子平板顯示聯(lián)合工程技術(shù)中心 時(shí)間:2009-08-07 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論

本文引用地址:http://2s4d.com/article/96985.htm

  將RGB三色排列的矩陣基板和基板按照同樣生產(chǎn)流程進(jìn)行清洗、光刻、刻蝕等光刻工藝,達(dá)到生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)入鍍膜工藝,對(duì)兩種類(lèi)型的基板按照其相應(yīng)生產(chǎn)工藝分別制作實(shí)現(xiàn)彩色化RGB三色排列的器件和白光器件,進(jìn)行老化過(guò)程后再進(jìn)行光電參數(shù)特性的比較。各器件鍍膜工藝如下,材料均為作為生產(chǎn)使用所購(gòu)置的商品化量產(chǎn)材料。

  RGB三色排列結(jié)構(gòu):HIL/NPB (25nm)/Red/Green/Blue/Alq3 (30nm)/LiF (1nm)/Al (150nm)。

  白光+結(jié)構(gòu):HIL/NPB (25nm)/Blue/Orange/Alq3 (30nm)/LiF (1nm)/Al (150nm)。

  光刻工藝為標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)設(shè)備:清洗,涂膠,曝光,顯影,刻蝕,脫膜等工藝流程。并分別進(jìn)行UV Ozone紫外臭氧處理;真空條件下RF plasma O2處理。有機(jī)材料蒸發(fā)速率為0.1~0.5nm/s不等,陰極蒸發(fā)速率為0.5nm/s;成膜真空度大約為8×10-5Pa。

  將上述不同方式制作完成的顯示器件進(jìn)行光電性能參數(shù)的測(cè)試;同時(shí)對(duì)兩者的基板和基板表面進(jìn)行表面平整度的測(cè)試。然而在進(jìn)行測(cè)試過(guò)程當(dāng)中,發(fā)現(xiàn)在工作中的所有的白光+CF器件樣品表面都不同程度地出現(xiàn)了黑點(diǎn),而且隨著點(diǎn)亮和存儲(chǔ)時(shí)間的增加,器件表面出現(xiàn)的黑點(diǎn)越來(lái)越多,也越來(lái)越大;從最初的小黑點(diǎn)缺陷到后來(lái)的黑洞直至占到整個(gè)發(fā)光像素一半以上的面積(圖3)。

  對(duì)于出現(xiàn)這樣的缺陷或瑕疵(defect),針對(duì)的器件還沒(méi)有明確的標(biāo)準(zhǔn)來(lái)限定,而對(duì)于一般的顯示器件來(lái)說(shuō),例如液晶顯示器件,瑕疵的定義:“在工作或非工作的狀態(tài)下,有效屏幕上的缺陷即為屏幕瑕疵。”其中對(duì)瑕疵的大小長(zhǎng)短等等都有明確的界定。當(dāng)瑕疵達(dá)到一定程度,就可以認(rèn)定其為不合格的產(chǎn)品,不能上市使用。因此在這里沿用LCD的檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn),那么白光+CF的器件是屬于不合格的產(chǎn)品。

  而RGB三色排列的OLED器件經(jīng)過(guò)點(diǎn)亮測(cè)試以及存儲(chǔ)的過(guò)程中,并沒(méi)有出現(xiàn)上述嚴(yán)重的黑點(diǎn)瑕疵。兩者基本的材料、制作工藝和制造設(shè)備都一樣,不同之處也只有兩處。



關(guān)鍵詞: OLED ITO CF 平面粗糙度 200908

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