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MIPS科技實現(xiàn)USB 2.0高速物理層IP

作者: 時間:2009-03-19 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

   科技( Technologies, Inc)宣布,該公司的40nm 2.0高速物理層(PHY)IP已獲得-IF 認(rèn)證,并達(dá)到臺積電(TSMC)TSMC9000 40nm LP工藝標(biāo)準(zhǔn)。科技公司擁有全球數(shù)量最多的 IP認(rèn)證,可支持多家代工廠和技術(shù)節(jié)點,其中主要是臺積電的工藝技術(shù)。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/92613.htm

  各類新一代消費電子產(chǎn)品都朝著外型精巧、節(jié)能省電趨勢發(fā)展,因此USB集成解決方案也必須滿足這樣的需求。MIPS科技的USB 2.0高速物理層IP面積小于0.6mm2,功耗低于80mW,是一個非常緊湊和低功耗的解決方案。該解決方案先進的可編程能力有助于開發(fā)人員調(diào)整系統(tǒng)模擬參數(shù),達(dá)到芯片的最佳性能。憑借證明完全符合USB 2.0規(guī)范的 PHY IP,消費者可以確保與其它USB 2.0設(shè)備的互操作性。

  MIPS科技公司模擬業(yè)務(wù)部物理連接解決方案總監(jiān)Celio Albuquerque表示:“SoC 開發(fā)人員正轉(zhuǎn)向先進技術(shù)節(jié)點,以降低高量產(chǎn)移動產(chǎn)品和其它消費設(shè)備的成本,因此需要高質(zhì)量、可靠、可互操作的USB解決方案。我們很榮幸地宣布,MIPS 科技推出的業(yè)界首個 40nm USB PHY IP 和首個 USB 認(rèn)證的 45nm1.8v USB PHY IP是我們新的里程碑。作為臺積電的合作伙伴,我們承諾將針對最先進的技術(shù)節(jié)點,盡快提供成熟的IP,幫助客戶以最低成本和最快的集成,迅速將產(chǎn)品推向市場。”

  臺積電公司設(shè)計架構(gòu)市場營銷高級總監(jiān) S.T. Juang 表示:“通過與MIPS科技等IP伙伴密切合作,我們?yōu)橄冗M工藝提供了高質(zhì)量USB PHY IP技術(shù)。MIPS科技的USB 2.0 PHY產(chǎn)品符合我們在40nm節(jié)點的TSMC9000標(biāo)準(zhǔn)。憑借 MIPS科技40nm 認(rèn)證 USB PHY與臺積電技術(shù)的完美整合,客戶將能獲得開發(fā)新一代產(chǎn)品所需的高質(zhì)量、低功耗解決方案。”

  MIPS科技擁有強大的USB技術(shù)和資深專業(yè)工程支持團隊,可提供市場上最豐富的USB IP組合,并為包括半節(jié)點在內(nèi)的所有主要代工廠和工藝提供硅驗證和認(rèn)證解決方案。MIPS科技在全球擁有超過90家USB PHY IP客戶,超過200個USB 2.0 PHY 安裝實例,以及超過30個 USB 2.0大規(guī)模生產(chǎn)的產(chǎn)品。截至目前,MIPS科技共生產(chǎn)了超過2億顆高速USB芯片。MIPS科技是業(yè)界第一家為 USB PHY 提供2.5v和1.8v 晶體管的廠商。



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