新聞中心

EEPW首頁 > 業(yè)界動態(tài) > 首爾半導體與日亞官司糾紛和解 簽訂交叉共享協議

首爾半導體與日亞官司糾紛和解 簽訂交叉共享協議

作者: 時間:2009-02-03 來源:電子產品世界 收藏

  正式宣布停止在美國、德國、日本、英國、韓國所進行的所有專利官司案件。雙方簽訂包含所有 LED 和 LD(Laser Diode)技術的交叉共享協議,從此雙方將彼此無限制地使用對方的專利。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/90984.htm

  按照協議條款,除在德國進行的 DE 691-07-630 T2(EP 0-437-385 B1)專利案件外,雙方將會停止所有專利案件,上述的德國專利案件將會在 2009 年 2 月進行裁定結束。



關鍵詞: 首爾半導體 日亞

評論


相關推薦

技術專區(qū)

關閉