日本：模擬單片系統(tǒng)受寵

　隨著半導(dǎo)體微細(xì)加工技術(shù)的不斷進(jìn)步，單片系統(tǒng)（SoC）化了的LSI開發(fā)也在加速。多數(shù)電子系統(tǒng)中都搭載有模擬功能，因此數(shù)字系統(tǒng)與模擬系統(tǒng)兩者混載的LSI發(fā)展很快，市場應(yīng)用也日趨廣泛，預(yù)計(jì)到2004年，這類LSI產(chǎn)品在系統(tǒng)LSI總市場中所占的比例將上升到近70%，因此，模擬SoC即ASoC將受寵。
　　目前日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)正從以往的垂直式集中統(tǒng)一型轉(zhuǎn)變?yōu)樗绞綄I(yè)化分工型，面對這種產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整，在LSI開發(fā)中需要作什么？為何進(jìn)行設(shè)計(jì)、為何制造、為何測試，日本認(rèn)為這一連串的工程都要依靠專業(yè)化公司實(shí)行專業(yè)加工。
　　在ASoC工藝中，由于在同一個(gè)芯片內(nèi)往往搭載多個(gè)模擬功能，所以專業(yè)化加工中，為了開展逆行工程各工程之間的共有及相互協(xié)調(diào)就變得十分必要了。
　　這些協(xié)調(diào)關(guān)系包括：
　　1、 設(shè)計(jì)與制造工藝之間的協(xié)調(diào)；
　　2、 設(shè)計(jì)與封裝之間的協(xié)調(diào)；
　　3、 設(shè)計(jì)與測試（檢查）之間的協(xié)調(diào)；
　　4、 設(shè)計(jì)與EDA工具之間的共有。

　　在設(shè)計(jì)與制造工藝關(guān)系中，由于模擬電路的應(yīng)用場合不同，其電路使用的電壓也不同。為此，其制造工藝也就各異，工藝種類必然增多。在這種情況下，如果有數(shù)字系統(tǒng)混載的話，則模擬工藝跟具有微細(xì)化加工工藝優(yōu)勢的數(shù)字工藝之間的融合將不可缺少。這樣一來，工藝信息量必然增多，同時(shí)如何將這些信息資源跟設(shè)計(jì)共有共用便成為重要的課題。
　　而在設(shè)計(jì)與封裝協(xié)調(diào)關(guān)系中，一方面在同一個(gè)芯片內(nèi)混載數(shù)模兩種系統(tǒng)，另外隨著組裝技術(shù)的發(fā)展，使三元次封裝（立體封裝）成為可能，即在一個(gè)封裝外殼內(nèi)可以搭載多個(gè)芯片。
　　在設(shè)計(jì)與測試協(xié)調(diào)關(guān)系中，由于ASoC的測試成本在LSI的制造成本中所占的比例有增加趨勢。為此，在設(shè)計(jì)階段將設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)與信息資源和測試信息資源共有進(jìn)而制定出高效率低成本的測試方案就成為一個(gè)重要課題。
　　設(shè)計(jì)與EDA規(guī)則的共有關(guān)系，即便單是模擬設(shè)計(jì)技術(shù)而言，由于產(chǎn)品要求在大電流、高精度、高靈敏度、高速度環(huán)境條件下工作，隨著以上種種ASoC化的同時(shí)又會出現(xiàn)如反射、輻射、散熱等問題。為此很有必要進(jìn)一步加強(qiáng)EDA供方跟設(shè)計(jì)方之間的協(xié)調(diào)，加強(qiáng)對信息資源的共有共用。
　　如上所述，為了在模擬設(shè)計(jì)技術(shù)領(lǐng)域里進(jìn)行完全地專業(yè)化分工，關(guān)鍵在于如何推行標(biāo)準(zhǔn)化工作。模擬技術(shù)應(yīng)用場合不同，其開發(fā)要素存在很大的變化。以顯示這一個(gè)領(lǐng)域?yàn)槔滹@示媒體竟有STN液晶顯示、無形（或非結(jié)晶質(zhì)）的TFT顯示、低溫復(fù)合型TFT顯示、等離子體顯示、有機(jī)EL等多種多樣的媒體顯示，而且媒體不同其驅(qū)動特性也不同，涉及到對于工藝技術(shù)、組裝及測試的影響也很不一樣。所以很有必要按照不同應(yīng)用領(lǐng)域大力推進(jìn)模擬設(shè)計(jì)技術(shù)中的標(biāo)準(zhǔn)化工作。