日本 ：NEC開發(fā)成功1億門單元基LSI
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日本 ：NEC開發(fā)成功1億門單元基LSI
NEC電子設(shè)備部開發(fā)成功CB-90系列單元基LSI。最小特征尺寸是0.09μm，采用柵長0.06μm的CMOS方法和銅金屬連線技術(shù)制造。準備制造的三種單元基LSI是：高速型CB-90H、高集成度型CB-90M和低功耗型CB-90L。它們的內(nèi)部工作頻率分別為500MHz～1GHz。最高頻率為500MHz、最低為150MHz。
高集成度型CB-90M的邏輯門數(shù)最多達到1億門。高速型CB-90H的門延遲時間為10.2ps（2個輸入NAND門，扇出數(shù)為2）。低功耗型CB-90L的功耗為2.7nw(每1MHz工作的門，電源電壓1.0V)。與最小特征尺寸為0.130μm、柵長0.095μm的現(xiàn)行一代單元基LSI（CB-130系列）相比，門數(shù)增加約1.9倍，延遲時間縮短約2/3，功耗減少約40%。CB-90系列單元基LSI2003年3月開始接受訂貨，批量生產(chǎn)預(yù)定從第三季度開始。
LSI設(shè)計環(huán)境準備采用C語言的設(shè)計環(huán)境，支持系統(tǒng)設(shè)計到GDSII格式。
C語言設(shè)計環(huán)境與RTL為基礎(chǔ)的設(shè)計方法相比，可使設(shè)計時間縮短大約一半。RTL為基礎(chǔ)的設(shè)計方法從規(guī)格設(shè)計、硬件設(shè)計、軟件設(shè)計、系統(tǒng)驗證到系統(tǒng)評估，需時大約14個月，而以C語言為基礎(chǔ)的設(shè)計，可縮短到大約7個月。再者，應(yīng)用C語言的設(shè)計環(huán)境，也可用于CB-130系列等的現(xiàn)行一代產(chǎn)品。
CB-90系列作為制造方法的設(shè)計基準，采用日本國內(nèi)的標準方法共同開發(fā)企業(yè)ASPLA（尖端SoC基礎(chǔ)技術(shù)開發(fā)）的基準。據(jù)說，將來要使之能夠納入依據(jù)ASPLA的、用其他的ASIC Bender的宏單元。
高集成度型CB-90M的邏輯門數(shù)最多達到1億門。高速型CB-90H的門延遲時間為10.2ps（2個輸入NAND門，扇出數(shù)為2）。低功耗型CB-90L的功耗為2.7nw(每1MHz工作的門，電源電壓1.0V)。與最小特征尺寸為0.130μm、柵長0.095μm的現(xiàn)行一代單元基LSI（CB-130系列）相比，門數(shù)增加約1.9倍，延遲時間縮短約2/3，功耗減少約40%。CB-90系列單元基LSI2003年3月開始接受訂貨，批量生產(chǎn)預(yù)定從第三季度開始。
LSI設(shè)計環(huán)境準備采用C語言的設(shè)計環(huán)境，支持系統(tǒng)設(shè)計到GDSII格式。
C語言設(shè)計環(huán)境與RTL為基礎(chǔ)的設(shè)計方法相比，可使設(shè)計時間縮短大約一半。RTL為基礎(chǔ)的設(shè)計方法從規(guī)格設(shè)計、硬件設(shè)計、軟件設(shè)計、系統(tǒng)驗證到系統(tǒng)評估，需時大約14個月，而以C語言為基礎(chǔ)的設(shè)計，可縮短到大約7個月。再者，應(yīng)用C語言的設(shè)計環(huán)境，也可用于CB-130系列等的現(xiàn)行一代產(chǎn)品。
CB-90系列作為制造方法的設(shè)計基準，采用日本國內(nèi)的標準方法共同開發(fā)企業(yè)ASPLA（尖端SoC基礎(chǔ)技術(shù)開發(fā)）的基準。據(jù)說，將來要使之能夠納入依據(jù)ASPLA的、用其他的ASIC Bender的宏單元。
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