低頻磁發(fā)射器設計(06-100)

　　為了提高波特率，必須加速導通和關閉響應，圖4是實現(xiàn)上述目的的改進電路，在此電路中采用全橋結構，并加入嵌位電路。全橋電路能加速上升時間，當幅度上升至滿幅時，電路仍處于全橋結構。例如采用TC442 FET驅動電路，上升時間僅為40ms，比半橋式120ms快了很多。嵌位電路使用一個雙向可控硅器件，在驅動電路關閉時讓諧振回路放電，雙向可控硅通常在零電壓處點火，可減少EMI輻射。嵌位電路還有一個好處，就是能取消AGC電路，從而簡化接收器的設計。


　　
　　電路實例

　　實際驅動電路(圖4)由TC4422(U2)和TC4421(U3)組成，U3是倒相放大器，U2則是同相放大器。U3是主要半橋驅動器件，U2僅在導通時使用。在導通的前5個周期，U2和U3圖騰結構用作全橋驅動電路，此時U2和U3通過RB3由PWM電路輸出驅動，RB4則用作輸入，因而對U2輸入信號沒有任何影響。在5個初始周期后，驅動器轉換 為半橋結構，這是通過將RB4從輸入改變?yōu)榈碗娖?零電平)輸出實現(xiàn)的。這對U3工作沒有影響，而將U2接地。當不需要快速上升時間時，也可以省掉U2，以增加電路的效率。

　　驅動信號直接用PIC微控制器的PWM單元產生，本設計使用PIC 16F628，時鐘頻率20MHz，為了得到125KHz工作頻率，只需將其定時器2預定標為1，設定PR2寄存器為39，就可得到8ms周期信號。要想獲得50%空度比的輸出，將CCPR1L設置為14，CCP1CON從<5：4>設置為<0:0>。
串行通信由PIC 16F628 的UART實現(xiàn)，電平變換則用MAX232完成。CTS和RTS數(shù)據(jù)控制分別通過RB6和RB5輸入。

　　結語

　　LFMC技術多用于射頻標識和數(shù)據(jù)采集傳輸，而最近有報道，日本一家公司為了提高集成電路內部數(shù)據(jù)傳輸速度，在芯片內層與層之間采用無線傳輸技術，使用的正是磁耦合技術，這為LFMC應用揭開了新的篇章。(東華)