低功耗管理特性讓Mobile RAM受歡迎

作者:奇夢(mèng)達(dá)消費(fèi)類和移動(dòng)裝置高級(jí)營(yíng)銷經(jīng)理 章志賢

　　盡管Flash作為非易失性存儲(chǔ)能滿足特定的存儲(chǔ)需求，但相對(duì)SDRAM它的成本更高，并且需要更長(zhǎng)的存取時(shí)間。Mobile RAM是SDRAM的擴(kuò)展產(chǎn)品，得益于工藝的進(jìn)步和特殊的芯片設(shè)計(jì)，與同等密度的標(biāo)準(zhǔn)SDRAM相比，Mobile RAM提供了更低的工作電壓、工作電流和待機(jī)電流，低功耗架構(gòu)設(shè)計(jì)可通過溫度補(bǔ)償自刷新（TCSR）和有效存儲(chǔ)空間部分陣列自刷新（PASR）兩種方式，進(jìn)一步降低在自刷新模式下的電流，耗電量可節(jié)省80%。Mobile RAM可以取代NOR Flash運(yùn)行操作系統(tǒng)和應(yīng)用軟件，或者部分代替NAND Flash的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)功能。

　　新型Mobile RAM通常采用非常有彈性的設(shè)計(jì)概念，將DDR與SDR接合以及x16和x32兩種界面放入同一個(gè)芯片設(shè)計(jì)，在后端封裝測(cè)試前采用bond option技術(shù)決定產(chǎn)品最終的接合(DDR或SDR)和界面(x16或x32 )；具備單/雙面焊墊(pad out)接合版本，能配合任何組件級(jí)封裝、多重芯片封裝（MCP）或系統(tǒng)級(jí)封裝（SIP）。

　　手機(jī)等移動(dòng)設(shè)備是Mobile RAM最大應(yīng)用領(lǐng)域，特別是智能手機(jī)因?yàn)椴捎昧藨?yīng)用處理器和嵌入式操作系統(tǒng)，對(duì)內(nèi)存的需求高達(dá)256M，甚至更高，Mobile RAM 可為這些便攜式設(shè)備提供經(jīng)濟(jì)的高密度存儲(chǔ)方案。功能手機(jī)和智能手機(jī)一般采用NOR + LP DDR（Mobile RAM）的組合。在有些功能手機(jī)中， SLC型NAND和Mobile RAM的組合開始流行起來(lái)。3合1（ SLC + Mobile + MLC）MCP封裝需求現(xiàn)在更加受手機(jī)制造商的青睞。