NEC電子(歐洲)推出新型P溝道功率MOSFET產品

　　近日，NEC電子(歐洲)宣布推出新型低電壓電源管理器件(PMD)。該系列產品的推出使P溝道NP系列產品可覆蓋-15A至-100A的漏極電流。

　　該系列產品采用普通的TO-252(DPAK)和TO-263(D2PAK)貼片封裝。產品包含2種額定漏源電壓(-40V和-60V)及可由邏輯門驅動產品。在DPAK封裝系列中，低漏極電流器件(ID(DC) < 50A)中的導通電阻(RDS(ON))為9.6mOhm(NP50P04SDG)至75mOhm(NP15P06SLG)。而在D2PAK封裝系列中，額定漏極電流為-100A的器件的導通電阻(RDS(ON))則降至3.7mOhm。

　　能實現P-溝道功率MOSFETs超低導通阻抗(RDS(ON))值主要是因為采用了UMOS-4工藝。該工藝采用0.25um的設計規(guī)則，將單元密度提高到了160Mcells/inch2,同時降低了單位面積的導通電阻(RDS(ON))。和NP系列的其他產品一樣，新產品按照AEC-Q101流程制造，額定溫度為175℃，純錫電鍍管腳完全符合RoHS要求。雪崩能量從19mJ(NP15P06SLG)至550mJ(NP100P04PLG)，因芯片不同而有所差異。

　　這一系列低導通電阻器件符合P-溝道器件在汽車電子應用中日益增長的需求。在電池反接保護、H橋直流電機驅動等標準應用中，P-溝道功率MOSFETs與N-溝道器件相比具有明顯的優(yōu)勢。