二極管參數(shù)符號及意義

　　CT---勢壘電容Cj---結(jié)（極間）電容， 表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下，鍺檢波二極管的總電容 Cjv---偏壓結(jié)電容 Co---零偏壓電容 Cjo---零偏壓結(jié)電容 Cjo/Cjn---結(jié)電容變化 Cs---管殼電容或封裝電容 Ct---總電容 CTV---電壓溫度系數(shù)。在測試電流下，穩(wěn)定電壓的相對變化與環(huán)境溫度的絕對變化之比 CTC---電容溫度系數(shù) Cvn---標稱電容 IF---正向直流電流（正向測試電流）。鍺檢波二極管在規(guī)定的正向電壓VF下，通過極間的電流；硅整流管、硅堆在規(guī)定的使用條件下，在正弦半波中允許連續(xù)通過的最大工作電流（平均值），硅開關(guān)二極管在額定功率下允許通過的最大正向直流電流；測穩(wěn)壓二極管正向電參數(shù)時給定的電流 IF（AV）---正向平均電流 IFM（IM）---正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許通過二極管的最大正向脈沖電流。發(fā)光二極管極限電流。 IH---恒定電流、維持電流。 Ii--- 發(fā)光二極管起輝電流 IFRM---正向重復(fù)峰值電流 IFSM---正向不重復(fù)峰值電流（浪涌電流） Io---整流電流。在特定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電壓條件下所通過的工作電流 IF(ov)---正向過載電流 IL---光電流或穩(wěn)流二極管極限電流 ID---暗電流 IB2---單結(jié)晶體管中的基極調(diào)制電流 IEM---發(fā)射極峰值電流 IEB10---雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極與第一基極間反向電流 IEB20---雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極向電流 ICM---最大輸出平均電流 IFMP---正向脈沖電流 IP---峰點電流 IV---谷點電流 IGT---晶閘管控制極觸發(fā)電流 IGD---晶閘管控制極不觸發(fā)電流 IGFM---控制極正向峰值電流 IR（AV）---反向平均電流 IR（In）---反向直流電流（反向漏電流）。在測反向特性時，給定的反向電流；硅堆在正弦半波電阻性負載電路中，加反向電壓規(guī)定值時，所通過的電流；硅開關(guān)二極管兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流；穩(wěn)壓二極管在反向電壓下，產(chǎn)生的漏電流；整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。 IRM---反向峰值電流 IRR---晶閘管反向重復(fù)平均電流 IDR---晶閘管斷態(tài)平均重復(fù)電流 IRRM---反向重復(fù)峰值電流 IRSM---反向不重復(fù)峰值電流（反向浪涌電流） Irp---反向恢復(fù)電流 Iz---穩(wěn)定電壓電流（反向測試電流）。測試反向電參數(shù)時，給定的反向電流 Izk---穩(wěn)壓管膝點電流 IOM---最大正向（整流）電流。在規(guī)定條件下，能承受的正向最大瞬時電流；在電阻性負荷的正弦半波整流電路中允許連續(xù)通過鍺檢波二極管的最大工作電流 IZSM---穩(wěn)壓二極管浪涌電流 IZM---最大穩(wěn)壓電流。在最大耗散功率下穩(wěn)壓二極管允許通過的電流 iF---正向總瞬時電流 iR---反向總瞬時電流 ir---反向恢復(fù)電流 Iop---工作電流 Is---穩(wěn)流二極管穩(wěn)定電流 f---頻率 n---電容變化指數(shù)；電容比 Q---優(yōu)值（品質(zhì)因素） δvz---穩(wěn)壓管電壓漂移 di/dt---通態(tài)電流臨界上升率 dv/dt---通態(tài)電壓臨界上升率 PB---承受脈沖燒毀功率 PFT（AV）---正向?qū)ㄆ骄纳⒐β?PFTM---正向峰值耗散功率 PFT---正向?qū)偹矔r耗散功率 Pd---耗散功率 PG---門極平均功率 PGM---門極峰值功率 PC---控制極平均功率或集電極耗散功率 Pi---輸入功率 PK---最大開關(guān)功率 PM---額定功率。硅二極管結(jié)溫不高于150度所能承受的最大功率 PMP---最大漏過脈沖功率 PMS---最大承受脈沖功率 Po---輸出功率 PR---反向浪涌功率 Ptot---總耗散功率 Pomax---最大輸出功率 Psc---連續(xù)輸出功率 PSM---不重復(fù)浪涌功率 PZM---最大耗散功率。在給定使用條件下，穩(wěn)壓二極管允許承受的最大功率 RF（r）---正向微分電阻。在正向?qū)〞r，電流隨電壓指數(shù)的增加，呈現(xiàn)明顯的非線性特性。在某一正向電壓下，電壓增加微小量△V，正向電流相應(yīng)增加△I，則△V/△I稱微分電阻 RBB---雙基極晶體管的基極間電阻 RE---射頻電阻 RL---負載電阻 Rs(rs)----串聯(lián)電阻 Rth----熱阻 R(th)ja----結(jié)到環(huán)境的熱阻 Rz(ru)---動態(tài)電阻 R(th)jc---結(jié)到殼的熱阻 r δ---衰減電阻 r(th)---瞬態(tài)電阻 Ta---環(huán)境溫度 Tc---殼溫 td---延遲時間 tf---下降時間 tfr---正向恢復(fù)時間 tg---電路換向關(guān)斷時間 tgt---門極控制極開通時間 Tj---結(jié)溫 Tjm---最高結(jié)溫 ton---開通時間 toff---關(guān)斷時間 tr---上升時間 trr---反向恢復(fù)時間 ts---存儲時間 tstg---溫度補償二極管的貯成溫度 a---溫度系數(shù) λp---發(fā)光峰值波長 △ λ---光譜半寬度 η---單結(jié)晶體管分壓比或效率 VB---反向峰值擊穿電壓 Vc---整流輸入電壓 VB2B1---基極間電壓 VBE10---發(fā)射極與第一基極反向電壓 VEB---飽和壓降 VFM---最大正向壓降（正向峰值電壓） VF---正向壓降（正向直流電壓） △VF---正向壓降差 VDRM---斷態(tài)重復(fù)峰值電壓 VGT---門極觸發(fā)電壓 VGD---門極不觸發(fā)電壓 VGFM---門極正向峰值電壓 VGRM---門極反向峰值電壓 VF（AV）---正向平均電壓 Vo---交流輸入電壓 VOM---最大輸出平均電壓 Vop---工作電壓 Vn---中心電壓 Vp---峰點電壓 VR---反向工作電壓（反向直流電壓） VRM---反向峰值電壓（最高測試電壓） V（BR）---擊穿電壓 Vth---閥電壓（門限電壓） VRRM---反向重復(fù)峰值電壓（反向浪涌電壓） VRWM---反向工作峰值電壓 V v---谷點電壓 Vz---穩(wěn)定電壓 △Vz---穩(wěn)壓范圍電壓增量 Vs---通向電壓（信號電壓）或穩(wěn)流管穩(wěn)定電流電壓 av---電壓溫度系數(shù) Vk---膝點電壓（穩(wěn)流二極管） VL ---極限電壓CT---勢壘電容 Cj---結(jié)（極間）電容， 表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下，鍺檢波二極管的總電容 Cjv---偏壓結(jié)電容 Co---零偏壓電容 Cjo---零偏壓結(jié)電容 Cjo/Cjn---結(jié)電容變化 Cs---管殼電容或封裝電容 Ct---總電容 CTV---電壓溫度系數(shù)。在測試電流下，穩(wěn)定電壓的相對變化與環(huán)境溫度的絕對變化之比 CTC---電容溫度系數(shù) Cvn---標稱電容 IF---正向直流電流（正向測試電流）。鍺檢波二極管在規(guī)定的正向電壓VF下，通過極間的電流；硅整流管、硅堆在規(guī)定的使用條件下，在正弦半波中允許連續(xù)通過的最大工作電流（平均值），硅開關(guān)二極管在額定功率下允許通過的最大正向直流電流；測穩(wěn)壓二極管正向電參數(shù)時給定的電流 　 IF（AV）---正向平均電流 IFM（IM）---正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許通過二極管的最大正向脈沖電流。發(fā)光二極管極限電流。 IH---恒定電流、維持電流。 Ii--- 發(fā)光二極管起輝電流 IFRM---正向重復(fù)峰值電流 IFSM---正向不重復(fù)峰值電流（浪涌電流） Io---整流電流。在特定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電壓條件下所通過的工作電流 IF(ov)---正向過載電流 IL---光電流或穩(wěn)流二極管極限電流 ID---暗電流 IB2---單結(jié)晶體管中的基極調(diào)制電流 IEM---發(fā)射極峰值電流 IEB10---雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極與第一基極間反向電流 IEB20---雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極向電流 ICM---最大輸出平均電流 IFMP---正向脈沖電流 IP---峰點電流 IV---谷點電流 IGT---晶閘管控制極觸發(fā)電流 IGD---晶閘管控制極不觸發(fā)電流 IGFM---控制極正向峰值電流 IR（AV）---反向平均電流 IR（In）---反向直流電流（反向漏電流）。在測反向特性時，給定的反向電流；硅堆在正弦半波電阻性負載電路中，加反向電壓規(guī)定值時，所通過的電流；硅開關(guān)二極管兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流；穩(wěn)壓二極管在反向電壓下，產(chǎn)生的漏電流；整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。 IRM---反向峰值電流 IRR---晶閘管反向重復(fù)平均電流 IDR---晶閘管斷態(tài)平均重復(fù)電流 IRRM---反向重復(fù)峰值電流 IRSM---反向不重復(fù)峰值電流（反向浪涌電流） Irp---反向恢復(fù)電流 Iz---穩(wěn)定電壓電流（反向測試電流）。測試反向電參數(shù)時，給定的反向電流 Izk---穩(wěn)壓管膝點電流 IOM---最大正向（整流）電流。在規(guī)定條件下，能承受的正向最大瞬時電流；在電阻性負荷的正弦半波整流電路中允許連續(xù)通過鍺檢波二極管的最大工作電流 IZSM---穩(wěn)壓二極管浪涌電流 IZM---最大穩(wěn)壓電流。在最大耗散功率下穩(wěn)壓二極管允許通過的電流 iF---正向總瞬時電流 iR---反向總瞬時電流 ir---反向恢復(fù)電流 Iop---工作電流 Is---穩(wěn)流二極管穩(wěn)定電流 f---頻率 n---電容變化指數(shù)；電容比 Q---優(yōu)值（品質(zhì)因素） δvz---穩(wěn)壓管電壓漂移 di/dt---通態(tài)電流臨界上升率 dv/dt---通態(tài)電壓臨界上升率

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