公布日程表　美國國家半導體宣告無鉛諾言

    美國國家半導體公司 (National Semiconductor Corporation今天宣布，該公司將于2006年6月底之前實現(xiàn)100%的無鉛生產。因此，該公司出售的所有集成電路都將采用無鉛包裝。 

    這一積極進取的計劃是一項超前的計劃的一部分，該超前的計劃是為了生產更多不影響環(huán)境的電子元件、保護環(huán)境并方便回收利用。除了消除鉛之外，美國國家半導體還極大降低了封裝過程中基于溴和銻的阻燃劑。 

    2004年4月，美國國家半導體宣布該公司計劃為其全系列的集成電路提供無鉛封裝，而現(xiàn)在該公司15000個型號的模擬和混合信號集成電路已采用無鉛封裝。2006年6月底，美國國家半導體銷售的產品將完全實現(xiàn)無鉛封裝（《有害物質限制條例》不作規(guī)定的除外），屆時，該公司將完全符合歐洲議會 (European Parliament) 制定的《有害物質限制條例》(Restriction of Hazardous Substances，RoHS)。然而，該公司降低鉛含量的目標實際上比與其交易的國家的目標更具積極進取性。 

    鉛以前用來為基于銅引線框封裝進行光澤裝飾。它還用于陣列封裝焊接球，這些陣列封裝包括微 SMD、塑膠球柵陣列 (PBGA) 和精細球柵陣列 (FBGA) 等封裝。美國國家半導體已用霧錫糙面精裝替代引線框封裝所采用的鉛，用錫、銀和銅的合金替代微 SMD 封裝中的鉛并用錫銀合金代替塑膠球柵陣列和精細球柵陣列封裝中的鉛。一旦這項積極進取的計劃全面實施，美國國家半導體預計每年將替換掉約5噸的鉛。 

    美國國家半導體中心技術加工部門 (Central Technology Manufacturing Group) 執(zhí)行副總裁 Kamal Aggarwal 表示：“作為無鉛封裝技術的領導廠商，美國國家半導體正在努力拓展在環(huán)境友好且易于回收的高性能創(chuàng)新產品方面所做的努力?！?