Infineon為全緩沖DIMM提供首款測(cè)試芯片 —— 作者：eaw 時(shí)間：2005-06-01 來(lái)源：eaw 加入技術(shù)交流群 掃碼加入和技術(shù)大咖面對(duì)面交流海量資料庫(kù)查詢 收藏 <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> 英飛凌科技公司(Infineon)宣布，首款高級(jí)內(nèi)存緩沖(AMB)測(cè)試芯片已順利通過(guò)測(cè)試。該芯片面向下一代采用DDR2動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的服務(wù)器模塊，運(yùn)行速率高達(dá)6.0 Gb/s，提供了相當(dāng)大的系統(tǒng)裕度，并確保了最低誤碼率。AMB是完全緩沖雙列直插式內(nèi)存模塊(FB-DIMM)的核心部件，設(shè)計(jì)樣品將于2004年第四季度推出，并定于2005年下半年進(jìn)入市場(chǎng)。www.infineon.com
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