飛兆半導(dǎo)體推出3G射頻功率放大器

飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出PowerEdge™雙頻帶(WCDMA/ UMTS) RF功率放大器模塊 (PAM)，可將效率 (PAE) 提高至42％，大大超越同類型產(chǎn)品。飛兆半導(dǎo)體的RMPA2265是第一個(gè)3x3 mm LCC 封裝,可于1850-1910 MHz 和1920-1980 MHz兩個(gè)頻帶工作的3G 射頻放大器模塊，其面積較4x4 mm封裝縮小約44％。RMPA2265可滿足當(dāng)今3G移動(dòng)電話、PDA和無(wú)線PC數(shù)據(jù)卡等產(chǎn)品設(shè)計(jì)對(duì)射頻功放 高效率、靈活的頻率特性和更小尺寸的要求。RMPA2265還合乎新興的高速下行鏈路分組接入 (HSDPA) 標(biāo)準(zhǔn)。

飛兆半導(dǎo)體RF功率產(chǎn)品部總經(jīng)理Russ Wagner稱：“飛兆半導(dǎo)體的PowerEdge雙頻帶功率放大器模塊可讓OEM廠商設(shè)計(jì)更新的產(chǎn)品，為客戶提供更多的頻帶選擇，并可大大擴(kuò)展覆蓋范圍。鑒于手機(jī)的功能不斷聚合，而且需要更高的電源效率，RMPA2265可在業(yè)界最小的封裝內(nèi)提供多項(xiàng)優(yōu)異特性，包括減少線路板空間需求、延長(zhǎng)通話時(shí)間及增加雙頻帶靈活性。”

RMPA2265的卓越線性和高功率增加效率是通過(guò)飛兆半導(dǎo)體專有的InGaP異質(zhì)結(jié)雙極晶體管 (HBT) 技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)。該器件帶有可選的高/低功率模式，用于進(jìn)一步優(yōu)化電流消耗。這種兩階功率放大器可在內(nèi)部將輸入和輸出阻抗匹配至50歐姆，從而減少外部器件數(shù)目，簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)要求。

RMPA2265是無(wú)鉛器件，能達(dá)到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020B標(biāo)準(zhǔn)要求，并符合現(xiàn)已生效的歐盟標(biāo)準(zhǔn)。

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