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選擇正確的PFC解決方案

作者:■ 安森美半導(dǎo)體 Kristie Valdez,Olivier Meilhon 時(shí)間:2005-04-27 來源:eaw 收藏

摘    要:本文用一種創(chuàng)新的方法提出了四種功率因數(shù)校正(PFC)。兩種臨界導(dǎo)通模式(CRM) 升壓,一種連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM) 升壓和一種CCM 單段回掃,并且推薦了基于功率要求、效率、失真程度、電路板空間和成本限制的解決方案。


引言
IEC1000-3-2要求電源中的功率因數(shù)預(yù)轉(zhuǎn)換器的額定值為75W或更高。功率低于100W時(shí), CRM是最適合的方法,而對(duì)高于200W的功率水平 ,一般采用CCM方法。本文提出的解決方案圍繞在 150W左右 ,這正是以上兩種可用的方法的灰色區(qū)域。
本文介紹了四種PFC電路的設(shè)計(jì),CRM升壓,CRM跟隨器升壓(輸出電壓隨著輸入電壓而改變),CCM 升壓以及CCM回掃?;诠β省⑿?、失真程度,電路板空間以及成本等方面的要求,用戶可以選擇最能滿足他需要的解決方案。分析的內(nèi)容包括如何選擇主要的功率元件,以及各種解決方案的取舍問題。

PFC 預(yù)穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)實(shí)例
首先要解決PFC段的主要功率元件問題。設(shè)計(jì)要求如下:
通用的輸入電壓范圍:  85~265Vac;
穩(wěn)壓輸出電壓:  CRM 和CCM升壓轉(zhuǎn)換器是400V,CRM跟隨器升壓轉(zhuǎn)換器是200~400V,單段是12V;
額定輸出功率:  150 W (2 段方法),120 W (1段方法);
線路頻率: 50/60 Hz;
效率: >90 %;
最大開關(guān)頻率:CRM為476kHz,CCM為100kHz。
這些規(guī)格決定了對(duì)選擇電路元件的主要要求,如電感的尺寸、MOSFET的選擇、輸出整流器和輸出二極管等等。表1列出了每種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中使用的主要功率元件的特性。

電感/變壓器 
CRM 中P1 和P2電感的設(shè)計(jì)是一個(gè)挑戰(zhàn),因?yàn)榉逯惦娏鲿?huì)引起更高的導(dǎo)通損耗,設(shè)計(jì)基于最小線路電壓和最小開關(guān)頻率時(shí)的最大紋波電流。交流線路峰值時(shí)的最小開關(guān)頻率要高于可以聽見的范圍。
設(shè)計(jì)CCM 電感時(shí),建議調(diào)整L 的值,使紋波電流最小,同時(shí)限制它的尺寸,以減小電路板占位面積。一般,最大的紋波電流峰-峰值為峰值電感電流的20%~40%是可以接受的。另外,選擇電感的最小推薦值可使得電感尺寸變小,但使開關(guān)峰值電流更高,紋波電流更大,而且輸出紋波電壓也會(huì)增大。
如表1所示,首先,如果考慮低的電感值,似乎P2 是最便宜和最緊湊的電路板設(shè)計(jì)。但是,如前所述,由于大電流紋波使得P2的電感要經(jīng)受大的磁通變化,所以在選擇磁芯時(shí)要特別小心。設(shè)計(jì)電感時(shí),減小DCR 來降低導(dǎo)通損耗也是很重要的。比較兩種CRM PFC方案,P1 和 P2的電感值的區(qū)別證明,在相同的條件下,跟隨器升壓方案允許使用更小的電感。要獲得最緊湊的電路板設(shè)計(jì),P3 是最佳的解決方案。因?yàn)樗ぷ髟贑CM模式,所以它需要處理的峰值電流最小。因此,這種設(shè)計(jì)可使用最小的磁心——EER28,從而可以制成很小的電感。
P4 采用了回掃變壓器,把第一段的升壓電感和第二段的兩開關(guān)正激變壓器結(jié)合起來。這是所有四種設(shè)計(jì)中最大和最昂貴的磁性元件。但是,和傳統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)升壓PFC加DC-DC段方法所需的三個(gè)磁性元件相比,用這種方法節(jié)約了兩個(gè)磁性元件。為了挑選合適的磁性元件,必須做一些取舍,或者是優(yōu)化設(shè)計(jì)降低MOSFET和輸出二極管的損耗,或者對(duì)磁性元件優(yōu)化以降低加到MOSFET上的電壓和減少變壓器及緩沖器中的損耗。較少匝數(shù)比有利于在初級(jí)形成較高的峰值電流,以及在輸出整流器上施加較高的正向電壓。相應(yīng)的,它會(huì)減少次級(jí)反射到初級(jí)的電壓大小,以及減少M(fèi)OSFET漏極上的漏感脈沖尖峰。較高的變壓器匝數(shù)比有利于漏感,磁心和線圈損耗,以及較高的漏極到源極的電壓和輸出電容紋波電流。另一方面,大匝數(shù)比可使小初級(jí)電流能夠支持負(fù)載。因?yàn)镸OSFET中的功耗和Ip2 x RDS(on) 成正比,初級(jí)電流的細(xì)微減小會(huì)引起功耗的大幅度下降。另外,它導(dǎo)致低的次級(jí)電壓,并減小截止?fàn)顟B(tài)時(shí)加在次級(jí)二極管上的電壓。因而可以選擇一個(gè)反向電壓額定值低的輸出整流器,這很重要,因?yàn)檩^低的VR二極管有較低的正向壓降。二極管損耗正比于IF



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