Diodes 30V MOSFET使大容量電容器能夠在現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電源軌上快速及安全放電

　　Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DMN3027LFG 30V N通道MOSFET作為開(kāi)關(guān)使用，確保在現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列 (FPGA) 電源軌上使用的大型大容量電容器能夠快速及安全放電。電信設(shè)備、服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心內(nèi)的最新現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列具有多個(gè)需要正確排序的電源軌，為系統(tǒng)提供安全的開(kāi)關(guān)電源。高可靠性直流-直流電源的設(shè)計(jì)人員利用這個(gè)Diodes的新MOSFET，就可快速及輕易實(shí)現(xiàn)該目標(biāo)。

　　DMN3027LFG在4.5V電壓下提供26mΩ的低導(dǎo)通電阻，足以使15mF的電容器在少於10毫秒的時(shí)間內(nèi)放電。同時(shí)該導(dǎo)通電阻又不會(huì)低至大幅提高電流峰值，繼而導(dǎo)致電磁干擾或增加瞬態(tài)熱應(yīng)力，最終有可能使MOSFET或電容器組受損。在現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列低壓電軌達(dá)到典型的1V時(shí)，電流會(huì)被安全工作區(qū)特定的MOSFET通道電阻所限制。該安全工作區(qū)的環(huán)境溫度為+60°C, 以最少的散熱片支持一般應(yīng)用狀況，從而在少於10毫秒的時(shí)間內(nèi)安全處理高達(dá)20A的峰值電流。

　　DMN3027LFG采用PowerDI 3333封裝，具有少於10°C/W的結(jié)點(diǎn)至散熱焊盤低熱阻，可耗散高達(dá)3W。新產(chǎn)品以一萬(wàn)個(gè)為出貨批量。如欲了解進(jìn)一步產(chǎn)品信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)www.diodes.com。