臺積電InFO封測延后一年 搭配16納米奪蘋果大單

　　臺積電內(nèi)部全力醞釀在16納米制程搶回蘋果(Apple)處理器芯片訂單，決定將規(guī)劃許久的InFO(Integrated Fan-out)封測計劃全面延后一年上線，寄望2016年搭配16納米制程，全面拿回蘋果下世代A10處理器芯片訂單。然部分IC設計客戶認為，InFO成本仍過高，恐難與傳統(tǒng)芯片尺寸覆晶封裝(FC CSP)技術匹敵，力促臺積電再度端出Cost-down版本，避免市場叫好不叫座。不過，相關消息仍有待臺積電進一步證實。

　　臺積電封測計劃原本布局3D IC技術，先嘗試推出2.5D封測技術CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)試水溫，然礙于成本過高，僅獲得賽靈思(Xilinx)采用，臺積電遂決定推出低價版本的InFO封測技術，希望提升客戶導入意愿，根據(jù)臺積電原本規(guī)劃，InFO技術將在2015年量產(chǎn)，業(yè)界預期會從20納米制程開始導入。

　　不過，近期業(yè)界傳出臺積電為了能一出手即命中關鍵客戶蘋果，決定讓InFO技術量產(chǎn)時間點延后到2016年，緊密配合16納米FinFET制程放量時程，希望能一舉痛擊三星電子(Samsung Electronics)，拿回蘋果2016年新款處理器芯片大單，并讓InFO技術策略一戰(zhàn)成名。

　　盡管臺積電20納米制程順利拿下蘋果A8處理器芯片訂單，但蘋果A9處理器芯片訂單卻再度讓三星搶回一大塊，臺積電對于2016年透過16納米FinFET制程及InFO技術爭取A10處理器芯片訂單寄予厚望。

　　目前臺積電第一代InFO技術產(chǎn)品已通過認證，鎖定16納米FinFET制程，全力鞏固大客戶訂單，后續(xù)InFO技術將以10納米制程為目標，預計2017年之后量產(chǎn)。半導體業(yè)者認為，10納米制程將是臺積電關鍵戰(zhàn)役，現(xiàn)階段積極布局封測技術，將成為臺積電更上一層樓重要推手。

　　臺積電當初跨入封測市場，主要是考量封測技術已跟不上晶圓代工技術腳步，業(yè)界傳出臺積電早期爭取蘋果處理器芯片訂單時，就是敗在封測良率上。不過，部分IC設計客戶認為，InFO封測技術成本仍過高，且現(xiàn)階段良率偏低，至少成本結構必須能夠與FC CSP互別苗頭，才有機會提升InFO技術滲透率，業(yè)者紛希望臺積電能再端出Cost-down封測技術版本。

　　另外，面對臺積電大軍壓境封測領域，對于其他封測大廠形成相當大競爭壓力，矽品日前揭露Fan-out封裝技術進度，2015年準備量產(chǎn)低階解決方案，未來目標鎖定高階技術的手機處理器芯片應用，同樣將在2016年全面加入戰(zhàn)局。