意法半導(dǎo)體最新的STM32 Dynamic Efficiency 微控制器為智能手機(jī)等移動(dòng)產(chǎn)品節(jié)省更多電能

　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)最新的STM32 Dynamic Efficiency™ (動(dòng)態(tài)效率)微控制器可以提高批量數(shù)據(jù)采集省電性能。批量數(shù)據(jù)采集技術(shù)還被谷歌最新的Android 4.4 (KitKat)操作系統(tǒng)采用，可最大限度提升電池使用壽命，現(xiàn)在意法半導(dǎo)體將這一技術(shù)優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到智能手機(jī)和平板電腦以外的應(yīng)用領(lǐng)域。

　　Android 4.4通過(guò)低功耗傳感器集線器(sensor hub)管理永遠(yuǎn)開(kāi)啟(always-on)的傳感器，例如加速度計(jì)或氣壓傳感器，從而降低系統(tǒng)主處理器的電池耗電量。以高性能、低動(dòng)態(tài)功耗、高集成度為亮點(diǎn)，意法半導(dǎo)體的STM32F411動(dòng)態(tài)效率微控制器是最理想的傳感器集線器解決方案。STM32F411的批量數(shù)據(jù)采集模式(BAM, Batch Acquisition Mode)省電量高達(dá)50%，當(dāng)微控制器CPU內(nèi)核處于睡眠狀態(tài)時(shí)，該模式將傳感器數(shù)據(jù)直接保存到SRAM。處理器內(nèi)核短暫?jiǎn)拘?，處理存?chǔ)的傳感器數(shù)據(jù)，然后再返回省電模式。

　　作為一款在工業(yè)和消費(fèi)電子市場(chǎng)應(yīng)用廣泛的通用微控制器，STM32F411為工業(yè)控制、醫(yī)療監(jiān)控、樓宇自動(dòng)化、穿戴式裝置市場(chǎng)帶來(lái)批量數(shù)據(jù)采集模式等創(chuàng)新的省電技術(shù)，包括新的閃存停止模式。該系列產(chǎn)品提供各種緊湊封裝，最小封裝為3.034mm x 3.22mm，可用于空間狹小的產(chǎn)品設(shè)計(jì)。

　　STM32F411搭載ARM® Cortex®-M4處理器內(nèi)核，支持DSP指令集，集成浮點(diǎn)單元(FPU, Floating-Point Unit)，閃存最大容量為512KB，SRAM最大容量為128KB。新的STM32動(dòng)態(tài)效率系列利用意法半導(dǎo)體的ART Accelerator™ 分支緩存(branch cache)[1]、90納米制造工藝和電壓調(diào)整功能將動(dòng)態(tài)功耗降至最低水平，同時(shí)提升了處理性能，STM32動(dòng)態(tài)效率系列微控制器是業(yè)內(nèi)首個(gè)從閃存執(zhí)行EEMBC® CoreMark™代碼取得100µA/MHz運(yùn)行模式電流的M4產(chǎn)品(在外設(shè)關(guān)閉的情況下)，同時(shí)最高工作頻率可達(dá)到100MHz，處理性能達(dá)到125DMIPS。當(dāng)SRAM內(nèi)容和上下文全部保存時(shí)，停止模式電流很低，典型值僅為10µA。

　　STM32F411提供-40°C-105°C的寬溫度范圍選擇，最低電源電壓降至1.7V，集成豐富的外設(shè)接口中，可用于環(huán)境惡劣的應(yīng)用。片上外設(shè)接口包括1個(gè)12位16通道模數(shù)轉(zhuǎn)換器(最高2.4Msample/s)、11個(gè)定時(shí)器(包含電機(jī)控制定時(shí)器和16位和32位通用定時(shí)器)和多功能通信接口。通信接口包括3個(gè)I2C端口(最高1Mbit/s)、3個(gè) USART(最高12.5Mbit/s)、1個(gè)集成物理層的USB 2.0 OTG 全速接口、5個(gè)SPI端口(最高50Mbit/s，包含5個(gè)I2S音頻接口)和1個(gè)SD/MMC接口。所有封裝均內(nèi)建這些功能，包括引腳最少的產(chǎn)品。

　　STM32F411是STM32F4高性能系列的入門級(jí)產(chǎn)品，現(xiàn)已量產(chǎn)，配套包括STM32Nucleo開(kāi)源硬件平臺(tái)和STM32Cube軟件工具及嵌入式軟件等開(kāi)發(fā)生態(tài)系統(tǒng)。意法半導(dǎo)體將在2014年第四季度提供探索套件(Discovery Kit)。STM32F411CCY6內(nèi)置256KB閃存和128KB SRAM，采用WLCSP49封裝。