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一種基于MCU的同步Boost的移動電源設(shè)計

作者: 時間:2014-07-25 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

  1.引言

本文引用地址:http://2s4d.com/article/256060.htm

  隨著iphone、ipad帶動的全球智能手機、平板的風(fēng)靡一時,人手一部智能手機已經(jīng)不再是遙遠的夢想,手機與平板是人們外出的必備物品,除了兼具通信、拍照、電腦功能之外,這些數(shù)碼設(shè)備同是也是一種時尚體現(xiàn),對輕巧纖薄的完美外形之極致追求與電池的續(xù)航能力成為一對矛盾。為了追求完美,iphone、ipad更是設(shè)計出一體化用戶不可拆卸機身,電池?zé)o法拆卸,于是成為了數(shù)碼后備電源的必須品,其市場需求隨著智能設(shè)備的發(fā)展迅速擴大。

  2.方案分析

  2.1 技術(shù)規(guī)格與方案比較

  當(dāng)前適用于手機平板的主流的規(guī)格為:

  (1)具有鋰電池充放電管理功能;

  (2)5V/500mA/1A/2A輸出。

  其中,鋰電池充放電管理由“保護IC+ASIC或”實現(xiàn),5V/500mA/1A/2A輸出由鋰電池升壓加反饋控制實現(xiàn)。在移動電壓的方案中,最關(guān)鍵的指標(biāo)和技術(shù)難點是升壓輸出的效率,因為鋰電池充電電源一般來自220V市電充電器,不需要特別強調(diào)效率,而升壓是將電池的電能輸出給手機、平板,充電效率特別重要。以10000mA時的為例,90%的效率與70%效率的Boost充電電路,輸出電能相差2000mAh,從用戶體驗來看,效率低的移動電源發(fā)熱嚴(yán)重,安全隱患也較大。Boost電路主要有兩種,一種為二極管續(xù)流Boost,電路相對簡單,一種為同步Boost,電路相對復(fù)雜,對控制時序的精度要求高,過去幾年由于需求旺盛,為了快速出貨,大量方案均采用二極管續(xù)流的Boost方案,價格戰(zhàn)非常劇烈,因此,高端廠家開始轉(zhuǎn)移到同步Boost方案。

  2.2 專用的同步Boost方案

  移動電源專用 HT45F4M的方案是當(dāng)前市場廣泛采用的同步Boost方案,具有電路簡潔,效率高的特點,原廠提供的技術(shù)指標(biāo)為:靜態(tài)耗電小于10uA,實測放電轉(zhuǎn)換效率最高超過91%(5V/700mA輸出時)。鋰電池保護機制:過流過壓過溫保護。其同步Boost的原理圖與二極管續(xù)流Boost對比如圖1所示。

  

 

  圖1 HT45F4M同步Boost與通用MCU二極管續(xù)流Boost對比

  由圖1所致可見,HT45F4M與通用MCU相比,主要特點是內(nèi)置互補式的PWM輸出功能,通過OUTL、OUTH的PWM互補時序,分別控制NMOS、PMOS的通斷,從而實現(xiàn)同步Boost。我們實測過該方案的成品,效率與廠家提供的指標(biāo)基本一致,與二極管Boost方案相比,1A以上大電流工作時,其功率器件發(fā)熱量低,效果差別明顯,性能良好。

  3.互補式PWM的IC設(shè)計實

  現(xiàn)由于HT45F4M與通用MCU的主要差異是互補式的PWM輸出,如果設(shè)計一顆實現(xiàn)互補式PWM輸出的ASIC,適當(dāng)選擇具有PWM輸出功能的通用MCU搭配,也可以實現(xiàn)類似HT45F4M的功能。這種IC設(shè)計+通用MCU的方案可以廣泛利用現(xiàn)有的大量MCU資源,更具靈活性,成本也有競爭力。

  3.1 結(jié)構(gòu)框圖與時序圖

  互補式的PWM的結(jié)構(gòu)框圖與時序圖如圖2所示,由通用MCU產(chǎn)生PWM輸出,輸入ASIC,經(jīng)延時時間插入電路,產(chǎn)生互補式的PWM輸出,此PWM輸出為PWMp,PWMn兩路,PWMp控制P-MOS,PWMn控制N-MOS。這兩個MOS管在充電時,用于控制充電電流;在放電時可用于控制放電電壓。充電時,PMOS導(dǎo)通的時間越長,充電功率越大。放電時,NMOS導(dǎo)通的時間越長,放電功率越大。

  

 

  圖2 互補式的PWM的結(jié)構(gòu)框圖與時序圖

  3.2 ASIC的設(shè)計與仿真分析

  我們使用Candence IDE設(shè)計仿真了一顆ASIC,實現(xiàn)圖2所示的互補輸出,由MCU提供PWM信號,通過延時和組合邏輯實現(xiàn)圖2所示的PWM互補輸出時序。圖3所示為PWM與PWMn時序的仿真結(jié)果,圖中電壓峰值低者為來自MCU的PWM信號,電壓峰值高者為PWMn信號,PWMn下降沿與PWM的上升沿幾乎重疊,PWMn上升沿滯后于PWM的下升沿。時序上與圖2所示一致。

  

 

  圖3 PWM與PWMn信號的仿真時序


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