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28V直流輸入過(guò)壓浪涌電路抑制方法研究

作者: 時(shí)間:2012-12-26 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
基礎(chǔ)上改進(jìn)的。在正常輸入電壓時(shí),MOS 管開(kāi)通,輸出正常電壓;當(dāng)輸入電壓存在浪涌時(shí),反饋電壓控制電路控制MOS 管驅(qū)動(dòng),使其處于線(xiàn)性工作狀態(tài),抑制浪涌電壓。高壓、低能量尖峰由跨接在輸入端的電容及瞬態(tài)抑制器吸收。余下的電路都用作處理高能量的浪涌。  

具體工作原理如下:  

輸入電壓通過(guò)電阻R5 給電容C3 充電,由D2 箝制充電電壓。若D2 為12V 的穩(wěn)壓管,則C3 的電壓被箝制在12V。由于電容C3 上的電壓沒(méi)有放電回路,所以C3 上電壓能穩(wěn)定在12V。12V 電壓接至定時(shí)器555 的Vcc(8 腳)和運(yùn)放LM10C 的V+(7 腳),作為兩個(gè)芯片的供電電壓。在正常輸入電壓時(shí),定時(shí)器產(chǎn)生高頻方波,按照充電泵原理[4],由R3、C4、D1 及D3 進(jìn)行峰值檢波及電平位移,能將C4、D1 相連的節(jié)點(diǎn)處電壓變?yōu)榈碗娖綖?a class="contentlabel" href="http://2s4d.com/news/listbylabel/label/28V">28V,高電平為38V 的方波,該方波通過(guò)D1 給電容C7 充電,D4 限制充電的最高電壓,由于電容C7 充電后沒(méi)有放電回路,所以充電電壓不超過(guò)D4 最高電壓,則電容C7 能保持充得的最高電壓。C7 的電壓給MOS管的柵極供電,則柵源極間存在電壓差(該電壓差值可以通過(guò)改變定時(shí)器的驅(qū)動(dòng)電壓來(lái)控制),高于MOS 管的開(kāi)啟電壓,此時(shí)MOS 管工作在飽和區(qū),輸出電壓為輸入電壓。由于R13、R14 分得的電壓反饋至LM10C 的3 腳,因?yàn)長(zhǎng)M10C 的1 腳電壓值設(shè)計(jì)為2V,所以LM10C 的反相輸入端電壓為2V。若反饋電壓也為2V,則運(yùn)放LM10C 的輸出電壓為0V,晶體管Q2 處于關(guān)斷狀態(tài)。建壓完成后,C7 上的電壓穩(wěn)定,D1、D3 都處于關(guān)斷狀態(tài),Ugs 大于開(kāi)啟電壓,MOS 管一直導(dǎo)通。當(dāng)輸入電壓中出現(xiàn)浪涌電壓時(shí),R13、R14 的分壓值大于2V,經(jīng)過(guò)運(yùn)放LM10C 后,輸出電壓為某一定值,它驅(qū)動(dòng)晶體管Q2 導(dǎo)通,使其處于放大區(qū)。由于MOS驅(qū)動(dòng)電壓Ugs 小于開(kāi)啟電壓,MOS 管處于線(xiàn)性區(qū),輸出電壓為浪涌電壓減去MOS 管兩端的Uds。電荷泵驅(qū)動(dòng)型浪涌抑制器仿真結(jié)果如圖10 所示。在4ms處,輸入電壓出現(xiàn)浪涌電壓,浪涌抑制器將輸出電壓穩(wěn)定在40V。仿真驗(yàn)證其浪涌抑制性能良好。

該電路優(yōu)點(diǎn):相比于Buck 型浪涌抑制電路,正常工作時(shí),電流只流過(guò)一個(gè)開(kāi)關(guān)管,損耗更小;缺點(diǎn):電路復(fù)雜性增加。對(duì)比三種有源浪涌抑制電路性能,如表2 所示,雙晶體管控制型浪涌抑制電路原理簡(jiǎn)單,器件較少,但采用P 溝道型MOS 管,在大功率場(chǎng)合下,開(kāi)關(guān)器件通態(tài)損耗大,所以適用于小功率場(chǎng)合;Buck 型浪涌抑制電路和電荷泵驅(qū)動(dòng)型浪涌抑制電路可用于各種功率等級(jí),但從成本角度考慮,電荷泵驅(qū)動(dòng)型浪涌抑制電路更具優(yōu)勢(shì)。

對(duì)小功率場(chǎng)合,雙晶體管控制型尖峰抑制器比較好,功率比較大的應(yīng)用場(chǎng)合,Vicor 型尖峰抑制器比較適合?! ?/P>

3.實(shí)驗(yàn)  

設(shè)計(jì)實(shí)例:輸入電壓18~36V;尖峰電壓:80V/50ms;輸出功率:0~40W;尖峰電壓期間輸出電壓控制在40V;啟動(dòng)沖擊電流不高于5A。R1、R2、C2 的取值無(wú)特定要求,但需要保證555定時(shí)器能輸出高頻的方波, 所以取R1=5.1kΩ,R2=2.2kΩ,C2=1nF,R3=68Ω,C4=10nF,則將參數(shù)代入式

則f=150kHz,幅值為10V?! ?/P>

由于LM10C 的工作原理,1 腳電壓值為2V,所以取R11=2.7kΩ,R12=0.3kΩ,代入式( ) 1 12 11 12 2.5V = V × R R + R (3)得V1=2V。R13 和R14 的取值決定在存在尖峰電壓時(shí),輸出電壓的幅值。若需將電壓抑制成40V,則取R13=3.4kΩ,R14=64.6kΩ,使得40V 輸出時(shí)的R13 分得電壓為2V。

圖12 電荷泵驅(qū)動(dòng)型浪涌抑制電路存在浪涌輸入電壓時(shí),輸入電壓與輸出電壓波形圖實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,在 輸入電壓下,輸出電壓能正常跟蹤輸入電壓;當(dāng)輸入電壓出現(xiàn)浪涌時(shí),浪涌抑制器能將電壓抑制在40V 范圍內(nèi),較好地實(shí)現(xiàn)了浪涌抑制功能?! ?/P>

4.結(jié)論  

本文研究了抑制直流電源系統(tǒng)的輸入電壓浪涌,針對(duì)無(wú)源浪涌電壓抑制器存在易老化、易損壞、箝位電壓精度不高等問(wèn)題,研究了三種有源浪涌電壓抑制方法,都進(jìn)行仿真驗(yàn)證,并選取電荷泵驅(qū)動(dòng)型浪涌抑制電路進(jìn)行實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。研究表明,電荷泵驅(qū)動(dòng)型浪涌抑制電路具有較好的抑制浪涌電壓的性能。

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