基于MSP430F169的程控開關(guān)穩(wěn)壓電源的設(shè)計(jì)
本系統(tǒng)以TI MSP430F169為核心,電壓可預(yù)置,步進(jìn)電壓為0.1V,輸出電壓范圍為20V~36V,輸出電流為0~2A。可顯示預(yù)置電壓,實(shí)測電壓,實(shí)測電流,實(shí)測效率。該系統(tǒng)主要由最小單片機(jī)系統(tǒng),PWM信號控制芯片TL494,開關(guān)電源升壓主回路,片上A/D以及片上D/A組成。系統(tǒng)通過鍵盤預(yù)置電壓值送給TL494形成閉環(huán)反饋回路,采樣康銅絲上的電壓間接推算出電流并顯示。本系統(tǒng)具有調(diào)整速度快,精度高,電壓調(diào)整率低,負(fù)載調(diào)整率低,效率高,無需另加輔助電源板,輸出紋波小等優(yōu)點(diǎn)。
一、方案論證與比較
1.1 主控CPU的選擇
方案一:采用AT89S51單片機(jī)進(jìn)行控制。51單片機(jī)外接A/D和D/A比較簡單,但是由于51單片機(jī)功能簡單,對于這種復(fù)雜的系統(tǒng)來說做起來比較復(fù)雜。
方案二:采用超低功耗單片機(jī)MSP430F169,這是一個完全集成的混合信號系統(tǒng)級MCU芯片。內(nèi)部集成12的A/D和D/A芯片,且這個單片機(jī)資源非常豐富。采用JTAG方式,可通過USB口在線下載調(diào)試,使用十分方便,并且低功耗便于整體效率的提高。
1.2 DC-DC主回路拓?fù)涞姆桨高x擇
DC-DC變換有隔離和非隔離兩種。輸入輸出隔離的方式雖然安全,但是由于隔離變壓器的漏磁和損耗等會造成效率的降低,隔離變壓器繞制復(fù)雜,所以選擇非隔離方式,具體有以下幾種方案:
方案一:BUCK拓?fù)洹R妶D1,開關(guān)管V1受占空比為D的PWM波的控制,交替導(dǎo)通或截止,再經(jīng)L和C濾波器在負(fù)載R上得到穩(wěn)定直流輸出電壓Uo=D*Vd(D≤1),由于輸入電壓為18V,輸出電壓20~36V,故不能滿足要求。
方案二:BOOST拓?fù)?。見圖2,開關(guān)V1導(dǎo)通時電感儲能,截止時電感能量輸出。只要電感繞制合理,能達(dá)到要求的輸出電壓30~36V,且輸出電壓Uo呈現(xiàn)連續(xù)平滑的特性。
方案三:BUCK-BOOST拓?fù)洹R妶D3,由于電路屬于升降壓拓?fù)?,控制比較復(fù)雜,由于本題只需升壓,故選擇方案二。
1.3 控制方法的方案選擇
方案一:采用單片機(jī)產(chǎn)生PWM波,控制開關(guān)的導(dǎo)通與截止。根據(jù)片內(nèi)A/D采樣后的反饋電壓程控改變占空比,使輸出電壓穩(wěn)定在設(shè)定值。負(fù)載電流在康銅絲上的取樣經(jīng)片內(nèi)A/D后輸入單片機(jī),當(dāng)該電壓達(dá)到一定值時關(guān)閉開關(guān)管,形成過流保護(hù)。該方案主要由軟件實(shí)現(xiàn),控制算法比較復(fù)雜,速度慢,輸出電壓穩(wěn)定性不好,若想實(shí)現(xiàn)自動恢復(fù),實(shí)現(xiàn)起來比較復(fù)雜。
方案二:采用恒頻脈寬調(diào)制控制器TL494,這個芯片可推挽或單端輸出,工作頻率為1~300KHz,輸出電壓可達(dá)40V,內(nèi)有5V的電壓基準(zhǔn),死區(qū)時間可以調(diào)整,輸出級的拉灌電流可達(dá)200mA,驅(qū)動能力較強(qiáng)。芯片內(nèi)部有兩個誤差比較器,一個電壓比較器和一個電流比較器。電流比較器可用于過流保護(hù),電壓比較器可設(shè)置為閉環(huán)控制,調(diào)整速度快。鑒于上面分析,選用方案二。
1.4 電流工作模式的方案選擇
方案一:電流連續(xù)模式。
電流連續(xù)工作狀態(tài),在下一周期到來時,電感中的電流還未減小到零,電容的電流能夠得倒及時的補(bǔ)充,輸出電流的峰值較小,輸出紋波電壓小。
方案二:電流斷續(xù)模式。斷續(xù)模式下,電感能量釋放完時,下一周期尚未到來,電容能量得不到及時補(bǔ)充,二極管的峰值電流非常大,對開關(guān)管和二極管的要求就非常高,二極管的損耗非常大,而且由于電流是斷續(xù)的,輸出電流交流成分比較大,會增加輸出電容上的損耗。由于對于相同功率的輸出,斷續(xù)工作模式的峰值電流要高很多,而且輸出直流電壓的紋波也會增加,損耗大。
鑒于上面分析,本設(shè)計(jì)采用方案一。
1.5 提高效率的方案選擇
影響效率的因素主要包括單片機(jī)及外圍電路功耗,單片機(jī)及外圍電路供電電路的效率和DC-DC變換器的效率。故我們采用了超低超低功耗的MSP430單片機(jī),采用了高轉(zhuǎn)換效率的芯片對外圍電路進(jìn)行供電,并且采用低損耗的元器件,和優(yōu)異的控制策略。
二、詳細(xì)軟硬件分析
2.1 硬件整體框圖設(shè)計(jì)(見圖4):
單片機(jī)通過鍵盤控制電壓的步進(jìn),經(jīng)過單片機(jī)控制D/A提供一個參考電壓,與輸出電壓的反饋分壓進(jìn)行比較,在TL494內(nèi)部的電壓誤差放大器產(chǎn)生一個高或低電平,控制脈寬變化,來達(dá)到調(diào)整輸出電壓的變化,反復(fù)調(diào)整后使輸出達(dá)到設(shè)定得值為止。參考電壓輸出后電壓的反饋調(diào)節(jié)是由TL494自動調(diào)節(jié)的,調(diào)節(jié)速快。
2.2 理論分析與參數(shù)計(jì)算
2.2.1 主回路器件的選擇及參數(shù)設(shè)計(jì):
2.2.1.1 磁芯和線徑選擇。當(dāng)交變電流通過導(dǎo)體時,電流將集中在導(dǎo)體表面流過,這種現(xiàn)象叫集膚效應(yīng)。電流或電壓以頻率較高的電子在導(dǎo)體中傳導(dǎo)時,會聚集于總導(dǎo)體表層,而非平均分布于整個導(dǎo)體的截面積中。線徑的選擇主要由本系統(tǒng)的開關(guān)頻率確定。開關(guān)頻率越大,線徑越小,但是所允許經(jīng)過的電流越小,并且開關(guān)損耗增大,效率降低。本系統(tǒng)采用的頻率為44K,查表得知在此頻率下的穿透深度為0.3304mm,直徑應(yīng)為此深度的2倍,即為0.6608mm。選擇的AWG導(dǎo)線規(guī)格為21#,直徑為0.0785cm(含漆皮)。磁芯選擇鐵鎳鉬磁芯,該磁芯具有高的飽和磁通密度,在較大的磁化場下不易飽和,具有較高的導(dǎo)磁率、磁性能穩(wěn)定性好(溫升低,耐大電流、噪聲?。?,適用在開關(guān)電源上。
2.2.2 控制電路設(shè)計(jì)與參數(shù)設(shè)計(jì):
控制電路選用TI的TL494來產(chǎn)生PWM波形,控制開關(guān)管的導(dǎo)通,Rt,Ct選擇為102和24K,頻率為,為44KHz。軟啟動電路由14腳和4腳接電阻和電容來實(shí)現(xiàn),通過充放電來實(shí)現(xiàn)。啟動時間為10mS, Ct=10uF,Rt=1K。13號腳接地,采用單管輸出,進(jìn)一步降芯片內(nèi)部功耗。TL494如下圖。
2.2.3 效率的分析:
輸出功率計(jì)算公式:η=Po/Pi ,輸入功率計(jì)算公式:Pi=Ui*Ii 。
由于題目要求DC/DC變換器(控制器)都只能由Uin端口供電,不能另加輔助電源,所以單片機(jī)及一些外圍電路消耗功耗要盡量的低。為此,在設(shè)計(jì)本系統(tǒng)時單片機(jī)采用超低功耗單片機(jī)MSP430F169,該系統(tǒng)集成了8路12位A/D和兩路12位D/A.減少了外加A/D和D/A的功耗。提高效率主要是要降低變換器的損耗,變換器的損耗主要有MOSFET導(dǎo)通損耗, MOSFET 開關(guān)損耗 MOSFET 驅(qū)動損耗,二極管的損耗、輸出電容的損耗,和控制部分的損耗,這些損耗可以通過降低開關(guān)頻率等方法來降低。各級損耗主要有:1.導(dǎo)通損耗:;2.開關(guān)損耗: ;3.門級驅(qū)動損耗: ;4.二極管的損耗: ;5.輸出電容的損耗:
具體損耗如下:
導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗,主要是針對開關(guān)管來說,這個根據(jù)選取IRP540,功耗為0.4W.
2.另外一個主要損耗為二極管損耗,二極管正常導(dǎo)通壓降為0.7V,損耗為Pd=0.7*Ii,門級驅(qū)動和輸出電容損耗,主要是選取低功耗的器件,和低ESR的電容。
2.2.4 保護(hù)電路設(shè)計(jì)與參數(shù)設(shè)計(jì):
康銅電阻的大小選擇:康銅絲主要起兩個作用,過流保護(hù)和測試負(fù)載電流。康銅絲接在整流輸入地和負(fù)載地之間,越小越好,這樣會使兩個地之間的電壓很小。但是如果太小由于干擾問題會造成過流保護(hù)的誤判,并且對于后級運(yùn)放的要求比較高,經(jīng)過實(shí)驗(yàn),選擇0.1歐姆的電阻效果比較好。由于電阻太小,難以測量,所以先測得1歐姆的電阻,然后截取其長度的十分之一。
TL494片內(nèi)有電流誤差放大器。可用于過流保護(hù)??点~電阻上的壓降,與預(yù)先調(diào)好的值進(jìn)行比較。若電流過大,輸出高電平,阻止PWM信號產(chǎn)生,開關(guān)管處于關(guān)斷狀態(tài),使輸出電壓降低,形成保護(hù)功能。一旦輸出電壓降低,導(dǎo)致輸出電流降低,檢測電壓降低,電流誤差放大器就會輸出低電平,重新產(chǎn)生PWM波形,所以該電路具有自恢復(fù)功能。
2.2.5 數(shù)字設(shè)定及顯示電路的設(shè)計(jì):
由于在輸出端采樣時測得的反饋電壓為輸出電壓的二十四分之一,即分壓為1.5V時輸出為36V,分壓為0.834V時輸出為30V,設(shè)計(jì)中采用了12位D/A轉(zhuǎn)換精度為0.61mV(參考電壓為2.5V),直接輸出給TL494提供參考電壓。此外還設(shè)置了三個A/D芯片,分別采集輸出電壓,輸出電流,和輸入電流。為了降低功耗,設(shè)計(jì)中采用了128*64,屏幕大,顯示內(nèi)容多,當(dāng)背光不使用時自動關(guān)閉,以降低功耗。
2.3 硬件電路設(shè)計(jì)
2.3.1 主電路圖如下:
開關(guān)穩(wěn)壓電源的設(shè)計(jì)"
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